半导体封装制造技术

技术编号:15824356 阅读:39 留言:0更新日期:2017-07-15 06:02
本发明专利技术提供一种半导体封装。该半导体封装包括:基板;导线,设置于所述基板上;导电柱状凸块,设置于所述导线上,其中所述导电柱状凸块耦接至芯片;以及阻焊层,设置于所述基板上,且具有延伸部分,所述延伸部分覆盖所述导线的部分,且所述延伸部分沿所述导线延伸进所述基板与所述芯片之间的重叠区域。本发明专利技术所提供的半导体封装,能够解决高密度倒装芯片封装的热电特性问题。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装本申请是2013年03月26日递交的,申请号为“201310098563.4”的,名称为“半导体封装”的,中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术有关于一种半导体封装,特别是关于一种高密度的倒装芯片封装。
技术介绍
为了确保电子产品或通信设备的小型化和多功能性,会要求半导体封装具有小尺寸,多针连接,高速和高功能。输入/输出(I/O)引脚数的增加再加上对高性能集成电路(IC)的需求增加,导致了倒装芯片封装体的发展。倒装芯片技术使用芯片上凸块以与例如封装基板的封装介质互连。正面朝下的倒装芯片接合至封装基板经过最短的路径。这些技术可以不仅适用于单一芯片封装技术,也可以适用于更高层数或集成层数的封装技术,在更高层数或集成层数的封装技术中的封装体更大,且这些技术可以适用于容纳数个芯片的更复杂的基板,以形成较大的功能单元。使用一区域阵列的上述倒装芯片技术的优点为实现连接至元件的内连接结构具有更高的密度和使内连接结构对封装体具有非常低的电感。然而,多功能芯片封装因增加了输入/输出(I/O)连接数量会导致热电特性问题,举例来说,散热问题、串扰(crosstalk)、讯号传输延迟(Pro本文档来自技高网...
半导体封装

【技术保护点】
一种半导体封装,其特征在于,包括:基板;导线,设置于所述基板上;导电柱状凸块,设置于所述导线上,其中所述导电柱状凸块耦接至芯片;以及阻焊层,设置于所述基板上,且具有延伸部分,所述延伸部分覆盖所述导线的部分,且所述延伸部分沿所述导线延伸进所述基板与所述芯片之间的重叠区域。

【技术特征摘要】
2012.03.27 US 61/616,040;2013.03.15 US 13/835,7011.一种半导体封装,其特征在于,包括:基板;导线,设置于所述基板上;导电柱状凸块,设置于所述导线上,其中所述导电柱状凸块耦接至芯片;以及阻焊层,设置于所述基板上,且具有延伸部分,所述延伸部分覆盖所述导线的部分,且所述延伸部分沿所述导线延伸进所述基板与所述芯片之间的重叠区域。2.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述延伸部分的宽度大于所述导线的所述部分的宽度;或者,所述延伸部分与所述导线的所述部分共同具有T型的剖面,所述延伸部分形成所述T型的顶部的水平部分,所述导线的所述部分形成所述T型的底部的垂直部分,并且所述垂直部分在所述水平部分的中部接触所述水平部分。3.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述导线包括具有第一宽度的第一部分和具有第二宽度的第二部分,且所述导电柱状凸块设置于所述导线的所述第二部分上。4.如权利要求3所述的半导体封装,其特征在于,所述导电柱状凸块具有多个,且均设置于所述导线的所述第二部分上。5.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,更包括金属焊垫,位于所述基板和所述导线之间或者位于所述导电柱状凸块和所述导线之间。6.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述导线包括多个导电层和金属焊垫,其中所述金属焊垫夹设于所述多个导电层之间。7.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述延伸部分包括:第一延伸部分和第二延伸部分,所述导电柱状凸块位于所述第一延伸部分和所述第二延伸部分之间。8.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,更包括倒装芯片填充材质,填充所述基板和所述半导体芯片之间的间隙,且覆盖所述阻焊层。9.一种半导体封装,其特征在于,包括:基板;第一导线,设置于所述基板上;第二导线,设置于所述基板上;半导体芯片,设置于所述第一导线和所述第二导线的上方;导电柱状凸块,设置于所...

【专利技术属性】
技术研发人员:许文松林子闳于达人
申请(专利权)人:联发科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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