【技术实现步骤摘要】
各种实施例总体涉及采用嵌入式封装方案的半导体封装。
技术介绍
对更轻且更小的电子产品的需求日益增加。该需求源于诸如智能手机等移动系统的发展。为响应这种需求,应用在电子产品中的半导体封装不断按比例缩小以减小其厚度和尺寸。大量努力已经被集中在了薄的半导体封装的实现上。然而,在减小半导体封装的厚度上可能存在一些限制。例如,由于其上安装有半导体芯片的封装基板的厚度和用于将半导体芯片电连接至封装基板的键合线(bonding wires)的回路高度(loop height),可能难以减小半导体封装的厚度。特别地,如果多个半导体芯片被垂直堆叠以实现半导体堆叠封装,堆叠的半导体芯片可通过键合线彼此电连接且可使用环氧模塑料(EMC)材料来封入。因此,可更多地增加半导体堆叠封装的厚度。
技术实现思路
根据一个实施例,半导体封装可包括嵌入式基板,嵌入式基板包括在嵌入式基板的第一表面处开口的腔体和在腔体的底部中打开嵌入式基板的与第一表面相对的第二表面的连接窗口。半导体封装可包括设置在腔体中并联接至包括第一芯片第一连接器和第一芯片第二连接器的第一芯片连接器的第一半导体芯片,第一半导体芯片的第一芯 ...
【技术保护点】
一种半导体封装,其特征在于,包括:嵌入式基板,其包含在所述嵌入式基板的第一表面处开口的腔体并包含穿透所述腔体的底部打开所述嵌入式基板的第二表面的连接窗口,所述嵌入式基板的所述第二表面与所述第一表面相对;第一半导体芯片,其设置在所述腔体中并联接至包括第一连接器和第二连接器的第一芯片连接器,所述第一半导体芯片的所述第一芯片连接器的所述第一连接器和所述第二连接器插入所述连接窗口中;介电层,其填充所述腔体和所述连接窗口以暴露所述第一芯片连接器的所述第一连接器和所述第二连接器的端部并覆盖所述第一半导体芯片;外部连接器,其设置在所述介电层上;第二半导体芯片,其设置在所述嵌入式基板的所述 ...
【技术特征摘要】
2015.02.24 KR 10-2015-00258361.一种半导体封装,其特征在于,包括:嵌入式基板,其包含在所述嵌入式基板的第一表面处开口的腔体并包含穿透所述腔体的底部打开所述嵌入式基板的第二表面的连接窗口,所述嵌入式基板的所述第二表面与所述第一表面相对;第一半导体芯片,其设置在所述腔体中并联接至包括第一连接器和第二连接器的第一芯片连接器,所述第一半导体芯片的所述第一芯片连接器的所述第一连接器和所述第二连接器插入所述连接窗口中;介电层,其填充所述腔体和所述连接窗口以暴露所述第一芯片连接器的所述第一连接器和所述第二连接器的端部并覆盖所述第一半导体芯片;外部连接器,其设置在所述介电层上;第二半导体芯片,其设置在所述嵌入式基板的所述第二表面上并联接至第二芯片连接器的第一连接器,所述第二半导体芯片的所述第二芯片连接器的所述第一连接器连接至所述第一芯片连接器的所述第一连接器;以及导电连接结构,其将所述第二芯片连接器的第二连接器电连接至所述外部连接器。2.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,进一步包括第三半导体芯片,所述第三半导体芯片设置在所述嵌入式基板的所述第二表面上并且联接至第三芯片连接器的第一连接器,所述第三芯片连接器的所述第一连接器连接至所述第一芯片连接器的所述第二连接器,其中,所述第二半导体芯片和所述第三半导体芯片在彼此不垂直重叠的情况下并排定位。3.根据权利要求2所述的半导体封装,其特征在于,进一步包括保护层,所述保护层设置在所述嵌入式基板的所述第二表面上以大致 覆盖所述第二半导体芯片和所述第三半导体芯片。4.根据权利要求3所述的半导体封装,其特征在于,所述保护层包含环氧模塑料(EMC)材料。5.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述导电连接结构包含:第一内部连接器,其设置在所述嵌入式基板的所述第二表面上并连接至所述第二半导体芯片的所述第二芯片连接器的所述第二连接器;第一过孔部分,其穿透所述嵌入式基板并连接至所述第一内部连接器;第二过孔部分,其穿透所述嵌入式基板的所述第一表面上的所述介电层并连接至所述第一过孔部分;以及第二内部连接器,其设置在所述介电层上并将所述第二过孔部分连接至所述外部连接器。6.根据权利要求5所述的半导体封装,其特征在于,所述导电连接结构进一步包括:第一线迹图案,其设置在所述嵌入式基板的所述第一表面上将所述第一过孔部分连接至所述第二过孔部分;以及第二线迹图案,其设置在所述介电层上。7.根据权利要求5所述的半导体封装,其特征在于,其中,所述第一芯片连接器的所述第一连接器和所述第二连接器的端部从所述介电层的与所述第一半导体芯片相对的表面突出;以及其中,所述第一芯片连接器的所述第一连接器和所述第二连接器的突出的端部的高度大致等于所述第一内部连接器的高度。8.根据权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,其中,所述第一芯片连接器的所述第一连接器和所述第二连接器各自具有垂直长度,其中...
【专利技术属性】
技术研发人员:成基俊,刘荣槿,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:新型
国别省市:韩国;KR
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