一种低温升高气密性肖特基二极管制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种低温升高气密性肖特基二极管
本技术主要涉及到肖特基二极管，尤其涉及一种低温升高气密性肖特基二极管结构。
技术介绍
肖特基二极管广泛应用于直流-直流转换器、交流电源适配器及充电器领域近年来，随着消费类电子产品的厚度越来越薄，要求相应的肖特基二极管也要越来越小且低温升低功耗，同时也要求肖特基二极管气密性高，能在高温高湿的环境中稳定工作。本技术通过引入高的杂质浓度缓冲层，降低了的肖特基二极管的导通电阻从而减少了正向压降，正向压降降低对应的肖特基二极管温升也随之降低；当肖特基二极管加反偏电压时，缓冲层和漂移层承担反向阻断电压时，与常规的肖特基二极管相比会减缓或改变电场强度的下降，但不改变整个器件耗尽层中电场强度最大地方仍然为势垒层附近的情况，合理的缓冲层与漂移层设计可以保证肖特基二极管即有额定的反向工作电压又具有低的正向压降。另外在终端氧化层和阳极金属边缘引入高介电常数的耐热抗腐蚀性的氮化硅作为钝化层，可保证肖特基二极管的热稳定性好，耐湿性强，器件气密性高。
技术实现思路
本技术的肖特基二极管件具有低温升高气密性，与传统的肖特基制作流程兼容增加工步少容易实现。本技术提供一种低温升高气密性肖特基二极管结构，其特征在于：双层外延，在N+衬底上通过外延生长方式形成缓冲层与漂移层；终端钝化层，在终端氧化层与阳极金属边缘覆盖介电常数高耐热抗腐蚀性的氮化硅作为钝化层。本技术的特点是N+衬底上生长双层外延结构，通过降低导通压降来有效降低肖特基二极管工作时的温升，降低能耗提升效率。同时在终端氧化层及阳极金属边缘引入氮化硅钝化层，可以提升肖特基二极管封装后的气密性，保证肖特基二极管...
【技术保护点】
一种肖特基二极管结构，其特征在于：双层外延，在N+衬底上通过外延生长方式形成缓冲层与漂移层；终端钝化层，在终端氧化层与阳极金属边缘覆盖含氮化物的钝化层。
【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管结构，其特征在于：双层外延，在N+衬底上通过外延生长方式形...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪旭峰，
申请(专利权)人：上海芯石微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31
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