【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种二极管制作工艺，具体是一种由以下步骤制作的工艺原硅片清洗、排磷纸、扩磷、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、扩硼、镀镍前清洗。该工艺适用于低破片率二极管的扩散方法。
技术介绍
传统的二极管芯片制作工艺为以下步骤原硅片清洗、排磷纸、扩磷、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、扩硼、双面喷砂、镀镍前清洗。上述步骤中双面喷砂工序为硅片二次机械去氧化层，其中硅片的破碎率偏高一般达到1%-1. 5%，使得生产成本提高，影响了经济效益。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供，使得硅片破碎率降低到O. 4%-0. 8%左右。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为，主要由以下步骤构成原硅片清洗、排磷纸、扩磷、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、扩硼、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍，其创新点在于所述镀镍前清洗工序中先将混酸溶液中浸20秒后冲水10分钟，再在混酸溶液中浸20秒，再进行后续清洗处理。所述混酸溶液按体积比硝酸9 :氢氟酸9 :冰醋酸12 :硫酸4的比例。本专利技术的优点在于本专利技术用化学处理替代二次机械去氧化层方法，特别针对快恢复管，大大降低...
【技术保护点】
一种低破片率二极管的扩散方法，主要由以下步骤构成：原硅片清洗、排磷纸、扩磷、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、扩硼、镀镍前清洗、一次镀镍、合金、二次镀镍，其特征在于：所述镀镍前清洗工序为：?混酸溶液中浸20秒后冲水10分钟,再在混酸溶液中浸20秒，然后用纯水清洗5?10min，再用哈摩粉溶液超声清洗两次，每次的时间为20±0.1min，每次清洗完后均要用纯水清洗一次，纯水清洗时间为5?10min；上述清洗步骤?完毕后，用90±10℃热纯水继续超声清洗20?±1min并紧接着常温纯水冲洗5?10min，然后浸氢氟酸5分钟，最后再用常温纯水常规冲洗一遍即可。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曹孙根，陶小鸥，
申请(专利权)人：南通康比电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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