【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶硅片背处理工艺技术，特别是涉及。
技术介绍
在集成电路的生产过程中，单晶硅晶圆片表面的金属沾污及缺陷会在硅中引入半导体深能级，形成复合中心，降低少子寿命；还可能在绝缘层中沉淀从而引起电路的击穿，引起器件失效。因此为了提高晶体管和集成电路的成品率和可靠性，除了制造高质量单晶硅晶圆片之外，还用“吸杂”的方式，在背面引入物理损伤或利用硅中氧的固有性质，经过适当的热处理工艺，吸引硅中的杂质在硅片的背面或硅片内部沉淀，从而在硅片表面形成无缺陷的洁净区。 其中在硅片背面进行喷砂处理，引入机械损伤以其可以俘获在制造工艺中引入的可移动金属离子污染的优点成为行业内较为通用的工艺技术。它的原理是通过在硅片背面喷砂，形成机械损伤层，利用损伤层与硅片基体对杂质吸收能力的不同，将Cu、Ni等快速扩散杂质俘获到背面损失层，从而在硅片正面获得无缺陷的洁净区。遗憾的是，利用这种方法为了形成一定深度的损伤层，达到充分吸杂的作用，通常只能采用#3000较大粒径的沙料，而这种沙料通常较为昂贵，目前完全依赖进口。
技术实现思路
鉴于目前硅片背损伤技术的现状，本专利技术为了研发一种更高效，...
【技术保护点】
一种使用普通沙料的单晶硅晶圆片背损伤加工方法，其特征在于，包括如下方法步骤：一、配制砂浆溶液：按重量百分比取15%的TWA?5沙料与去离子水进行配制；二、采用背损伤喷砂机进行加工，喷枪压力为0.15?0.45MPa，X方向喷砂速度为300?500mm/s，Y方向喷砂速度为20?40mm/s；三、在喷砂过程中，采用干冰进行吹扫，吹扫流量为24?28sccm，使硅晶圆片表面温度在喷砂过程瞬间中降至?10至6℃；四、经过背损伤的晶圆片清洗后进行检测。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张俊生，刘博，刘沛然，罗翀，严政先，
申请(专利权)人：天津中环领先材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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