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本发明涉及一种使用普通沙料的单晶硅晶圆片背损伤加工方法。其步骤是：一、配制砂浆溶液：按重量百分比取15%的TWA-5沙料与去离子水进行配制。二、采用背损伤喷砂机进行加工，喷枪压力为0.15-0.45MPa，X方向喷砂速度为300-500mm...
该专利属于天津中环领先材料技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津中环领先材料技术有限公司授权不得商用。

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