制造碳化硅半导体器件的方法和制造碳化硅半导体器件的装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于制造SiC半导体器件的方法，该方法包括：在SiC衬底（1）的表面上形成氧化物膜（3）的步骤（步骤S3）；以及去除该氧化物膜（3）的步骤（步骤S5）。在用于形成氧化物膜（3）的步骤（步骤S3）中使用臭氧气体。在用于去除氧化物膜（3）的步骤（步骤S5）中，优选的是使用卤素等离子体或氢等离子体。因此，可以得到一种用于制造SiC半导体器件的方法和一种用于制造SiC半导体器件的装置，其在提高清洁效果的同时，可以减少与化学溶液相关的问题。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于制造碳化硅(SiC)半导体的方法和用于制造SiC半导体的装置。
技术介绍
SiC具有大的带隙，并且具有比硅(Si)大的最大介电击穿电场和导热率。另外，SiC具有与Si的载流子迁移率一样大的载流子迁移率，并且具有大的电子饱和漂移速度和大的击穿电压。因此，期望在需要实现高效率、高击穿电压和大电容的半导体器件中应用SiC。 在用于制造这种SiC半导体器件的方法中，执行清洁，以从SiC半导体器件的表面去除所附着的物质。一种示例性的清洁方法是在日本专利特许公开No. 2001-35838 (专利文献I)中公开的技术。专利文献I公开了，在进行退火以活化借助离子注入而注入SiC衬底中的杂质之后，执行RCA清洁作为表面清洁的预处理方法，然后借助等离子体执行表面蚀刻。专利文献I还公开了在以下工序中执行RCA清洁。也就是说，为了去除有机物质和贵金属，使用硫酸和过氧化氢(H2SO4 = H2O2 = 4:1)执行处理，并且然后执行稀释HF处理，以去除自然氧化膜。此后，为了去除自然氧化的氧化物膜中存在的金属，使用盐酸和过氧化氢(HCl:H2O2:H2O= 1:1:6)执行处理。最终，为了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫崎富仁，盐见弘，玉祖秀人，增田健良，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：