半导体元件的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种能够抑制缺口的产生而对晶片进行研磨的半导体元件的制造方法。本申请发明专利技术的半导体元件的制造方法的特征在于，具备：晶片研磨工序，利用旋转的研磨磨具，一边在已经形成的斜面和该研磨磨具之间设置有间隙的状态下沿着晶片外周部的内侧形成与该晶片的主面所成的角为75°以上且不足90°的斜面，一边在被该斜面包围的部分形成比该外周部薄的薄化部；在该薄化部形成半导体元件的工序。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件的制造方法
本专利技术涉及在例如工业用电机或汽车用电机的控制等中使用的半导体元件的制造方法。
技术介绍
在专利文献1中公开了用研磨磨具对中央部进行研磨并且外周部保持厚的状态不变的晶片。研磨晶片中央部是为了使半导体元件成为所希望的厚度。使晶片外周部保持厚的状态不变是为了确保晶片的强度。专利文献专利文献1：日本特开2009-279661号公报；专利文献2：日本特开2007-19379号公报。若用研磨磨具对晶片进行研磨，则产生研磨屑。若在研磨屑夹在研磨磨具与晶片之间的状态下进行研磨，则存在晶片局部地产生缺损的情况。将该“缺损”称为“缺口”（chipping）。缺口成为晶片裂隙的起点或者成为药液等残留在晶片表面的原因。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供一种能够抑制缺口的产生而对晶片进行研磨的半导体元件的制造方法。本申请专利技术的半导体元件的制造方法的特征在于，具备：晶片研磨工序，利用旋转的研磨磨具，一边在已经形成的斜面和该研磨磨具之间设置有间隙的状态下沿着晶片外周部的内侧形成与该晶片的主面所成的角为75°以上且不足90°的斜面，一边在被该斜面包围的部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具备：晶片研磨工序，利用旋转的研磨磨具，一边在已经形成的斜面和所述研磨磨具之间设置有间隙的状态下沿着晶片外周部的内侧形成与所述晶片的主面所成的角为75°以上且不足90°的斜面，一边在被所述斜面包围的部分形成比所述外周部薄的薄化部；以及在所述薄化部形成半导体元件的工序。

【技术特征摘要】
2011.08.26 JP 2011-1844411.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，具备：晶片研磨工序，利用旋转的研磨磨具，一边在已经形成的斜面和所述研磨磨具之间设置有间隙的状态下沿着晶片外周部的内侧形成与所述晶片的主面所成的角为75°以上且不足90°的斜面，一边在被所述斜面包围的部分形成比所述外周部薄的...

【专利技术属性】
技术研发人员：中田和成，松村民雄，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：