晶片加工用胶带及其制造方法技术

提供即使在胶粘剂层很薄(10μm以下，特别是5μm以下)的情况下，传感器识别性也很良好，且生产性或检查精度为良好的晶片加工用胶带及其制造方法。晶片加工用胶带(10)，具备：长条状的脱模型膜(11)，与胶粘剂层(12(22))、粘合膜(13(23a、23b))。脱模型膜(11)，于面(11a)形成有沿着标签形状粘接部(22)的外周的环状的第1切痕部(26)。此第1切痕部(26)，在脱模型膜(11)与粘合膜(13(23a))被层叠的层叠部，是以对应于有第1切痕部(26)的位置的层叠部(27b)的600～700nm波长的透过率A(％)与对应于没有第1切痕部(26)的位置的层叠部(27a)的600～700nm波长的透过率B(％)的透过率差C成为0.1％以上的方式被形成的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及芯片加工用胶带及其制造方法。特别涉及具有粘合膜与设于该粘合膜上的胶粘剂层的。
技术介绍
近年来，为了在将半导体晶片切断分离(dicing)为各个芯片时固定半导体晶片，开发出在基材膜上设有粘合剂层的晶片加工用胶带。此外，为了把被切断的半导体芯片粘接于导线架、封装基板等，或是为了在堆栈封装中层叠半导体芯片彼此而粘接，也开发出了具有在粘合剂层上进而层叠有胶粘剂层的构造的晶片加工用胶带(切割芯片粘接膜(dicing diebonding film))(例如，参照专利文献 I)。作为这样的晶片加工用胶带(切割芯片粘接膜)，考虑到向半导体晶片的贴附，或是切割时的向环形骨架的安装等的作业性，有被施以预切加工的材料(例如，参照专利文献2) ο被施以预切加工的晶片加工用胶带(切割芯片粘接膜)的制作工序，是具备在由脱模型膜与胶粘剂层构成的粘接膜的胶粘剂层导入规定形状(例如，圆形)的第I切痕，使第I切痕的外侧的不要的胶粘剂层部分从脱模型膜剥离，使在脱模型膜上形成有规定形状的胶粘剂层的粘接膜，与由粘合剂层与基材膜构成的粘合膜，以胶粘剂层与粘合剂层相接的方式贴合的一次预切工序，及向粘合膜导入包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：丸山弘光，石渡伸一，杉山二朗，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：
国别省市：