晶片加工用胶带及其制造方法技术

提供即使在胶粘剂层很薄(10μm以下，特别是5μm以下)的情况下，传感器识别性也很良好，且生产性或检查精度为良好的晶片加工用胶带及其制造方法。晶片加工用胶带(10)，具备：长条状的脱模型膜(11)，与胶粘剂层(12(22))、粘合膜(13(23a、23b))。脱模型膜(11)，于面(11a)形成有沿着标签形状粘接部(22)的外周的环状的第1切痕部(26)。此第1切痕部(26)，在脱模型膜(11)与粘合膜(13(23a))被层叠的层叠部，是以对应于有第1切痕部(26)的位置的层叠部(27b)的600～700nm波长的透过率A(％)与对应于没有第1切痕部(26)的位置的层叠部(27a)的600～700nm波长的透过率B(％)的透过率差C成为0.1％以上的方式被形成的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及芯片加工用胶带及其制造方法。特别涉及具有粘合膜与设于该粘合膜上的胶粘剂层的。
技术介绍
近年来，为了在将半导体晶片切断分离(dicing)为各个芯片时固定半导体晶片，开发出在基材膜上设有粘合剂层的晶片加工用胶带。此外，为了把被切断的半导体芯片粘接于导线架、封装基板等，或是为了在堆栈封装中层叠半导体芯片彼此而粘接，也开发出了具有在粘合剂层上进而层叠有胶粘剂层的构造的晶片加工用胶带(切割芯片粘接膜(dicing diebonding film))(例如，参照专利文献 I)。作为这样的晶片加工用胶带(切割芯片粘接膜)，考虑到向半导体晶片的贴附，或是切割时的向环形骨架的安装等的作业性，有被施以预切加工的材料(例如，参照专利文献2) ο被施以预切加工的晶片加工用胶带(切割芯片粘接膜)的制作工序，是具备在由脱模型膜与胶粘剂层构成的粘接膜的胶粘剂层导入规定形状(例如，圆形)的第I切痕，使第I切痕的外侧的不要的胶粘剂层部分从脱模型膜剥离，使在脱模型膜上形成有规定形状的胶粘剂层的粘接膜，与由粘合剂层与基材膜构成的粘合膜，以胶粘剂层与粘合剂层相接的方式贴合的一次预切工序，及向粘合膜导入包围胶粘剂层的形状的那样的规定的形状(例如，圆形)的第2切痕，使第2切痕的外侧的不要的粘合膜部分从粘接膜(脱模型膜)剥离而卷取，在粘接膜(脱模型膜)上形成规定的形状的粘合膜的二次预切加工的工序。在如前所述的晶片加工用胶带的制作，有以下的制作方法，即，通过连续进行上述的2道工序(一次预切加工工序及二次预切加工工序)制作晶片加工用胶带的制作方法(第I制作方法)；向胶粘剂层导入规定形状(例如，圆形)的第I切痕，使第I切痕的外侧的不要的胶粘剂层部分从脱模型膜剥离，将在脱模型膜上形成有规定形状的胶粘剂层的粘接膜与由粘合剂层和基材膜构成的粘合膜，以胶粘剂层与粘合剂层相接的方式贴合的进行了一次预切工序的粘接膜卷取为卷状，其后，识别胶粘剂层的位置而位置对准后通过进行二次预切加工工序而制作晶片加工用胶带的制作方法(第2制作方法)。此外，对应于半导体装置的高速化、省电力化、小型化等，半导体装置也进行着细微化或薄膜化。伴此，半导体芯片的层叠数也进行着高层叠化，使用于半导体装置的制造的晶片加工用胶带，越来越需要具有比从前更薄(ΙΟμπι以下)的胶粘剂层的晶片加工用胶带。在如上所述的需要中，在进行二次预切加工时，在上述的第I制作方法中，不去识别被一次预切加工的胶粘剂层的位置，而以预先设定的间隔向粘合膜导入第2切痕，相对于此，在上述的第2制作方法中，在识别被一次预切加工的胶粘剂层的位置后，配合于该胶粘剂层的位置向粘合膜导入第2切痕，因此如专利文献I或专利文献2所提案那样的，在基材膜与粘合剂层与胶粘剂层依此顺序被层叠的从前的晶片加工用胶带中，在使胶粘剂层较薄(为10 μ m以下)的情况下，在上述的第2制作方法中，会有被一次预切加工的胶粘剂层的外周部分无法以光学传感器(例如，透过型传感器、反射型传感器)识别的标签识别性降低的问题发生。因此，在进行由基材膜和粘合剂层构成的粘合膜的预切加工(二次预切加工)时，例如，发生了招致预切刃不动作的生产性的降低，或者招致无法检查胶粘剂层的有无、形状的检查精度降低的这样的问题。为了解决这样的传感器识别性降低的问题，通过使用含有吸收或反射光学传感器反应的波长区域的范围内的光的颜料的胶粘剂层，使光学传感器识别到被一次预切加工的胶粘剂层的外周部分的粘接薄片(粘接膜)也被开发出来(例如，参照专利文献3)。日本特开2005-303275号公报日本特开2006-111727号公报日本特开2009-059917号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题然而，在专利文献3所提案的粘接膜或使用此粘接膜的晶片加工用胶带中，因为胶粘剂层含有颜料，所以胶粘剂层的粘接性降低，会产生粘接膜或使用此粘接膜的晶片加工用胶带的可靠性降低的新的问题。因此，本专利技术是为了解决以上这样的问题点而完成的专利技术，目的在于提供即使在胶粘剂层很薄(ΙΟμπι以下，特别是5μπι以下)的情况下，传感器识别性也很良好，且生产性或检查精度为良好的。用于解决课题的手段本案专利技术人等，对于上述课题经过锐意研究的结果，发现在脱模型膜、胶粘剂层及粘合膜依此顺序被层叠的晶片加工用胶带中，通过使在将胶粘剂层进行一次预切时被形成于脱模型膜的面的切痕部，以脱模型膜与粘合膜被层叠的层叠部的对应于有切痕部的位置的部分的600 700nm波长的透过率A与对应于没有切痕部的位置的部分的600 700nm波长的透过率B的透过率差C ( = A-B)，成为O. I %以上的方式形成，即使在胶粘剂层很薄(10 μ m以下，特别是5 μ m以下)的情况下，传感器识别性、生产性或检查精度也很良好，从而完成本专利技术。S卩，本专利技术的第I实施方式的晶片加工用胶带，特征为具备长条状的脱模型膜、设于所述脱模型膜上的具有规定的平面形状的I个以上的胶粘剂层、和分别覆盖所述胶粘剂层、且在该胶粘剂层的周围以与所述脱模型膜接触的方式被设置的I个以上的粘合膜；所述脱模型膜，在该脱模型膜的层叠有所述胶粘剂层的面，形成有沿着该胶粘剂层的外周的环状的切痕部，在所述脱模型膜与所述粘合膜被层叠的层叠部，对应于有所述切痕部的位置的所述层叠部的600 700nm波长的透过率A与对应于没有所述切痕部的位置的所述层叠部的600 700nm波长的透过率B的透过率差C ( = A-B)，为O. I %以上。另外，所谓600 700nm是指600nm以上700nm以下。关于本专利技术的第2实施方式的晶片加工用胶带，是在本专利技术的第I实施方式的晶片加工用胶带中，所述透过率差C为O. 6 1.3%。关于本专利技术的第2实施方式的晶片加工用胶带，是在本专利技术的第I或第2实施方式的晶片加工用胶带中，所述透过率A为75 95%。关于本专利技术的第4实施方式的晶片加工用胶带，是在本专利技术的第I至第3的任一实施方式的晶片加工用胶带中，具备在所述脱模型膜上以包围上述粘合膜的外侧的方式设置的、由所述粘合膜构成的周边部。关于本专利技术的第I实施方式的晶片加工用胶带的制造方法，特征为具备(a)在长条状的脱模型膜上设置具有规定的平面形状的多个胶粘剂层，在所述脱模型膜与所述胶粘剂层以此顺序被层叠的粘接膜上，以覆盖所述胶粘剂层、且在所述胶粘剂层的周围与所述脱模型膜接触的方式，层叠粘合膜的工序，以及(b)在通过所述工序(a)形成的由所述粘接膜和所述粘合膜构成的层叠体中，在由所述脱模型膜和所述粘合膜构成的层叠部，形成从所述粘合膜的表面到达到所述脱模型膜为止的、分别包围所述胶粘剂层的环状的多个第2切痕部的工序；在所述工序(a)之前，具备(c)在所述脱模型膜上设置具有规定的平面形状的多个所述胶粘剂层时，在所述脱模型膜上形成沿着该胶粘剂层的外周的环状的第I切痕部的工序；所述工序(b)，在所述脱模型膜和所述粘合膜被层叠的上述层叠部，根据对应于有所述切痕部的位置的所述层叠部的600 700nm波长的透过率A与对应于所述脱模型膜与没有所述切痕部的位置的所述层叠部的600 700nm波长的透过率B的透过率差C (=A-B)，识别所述第I切痕部，根据识别的所述第I切痕部形成包围所述胶粘剂层的环状的第2切痕部。关于本专利技术的第2实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：丸山弘光，石渡伸一，杉山二朗，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：
国别省市：