本发明专利技术提供一种能够将粘接剂层(3)高精度地进行切片，能够提高带粘接剂层的半导体芯片的拾取性的切片及芯片键合带。切片及芯片键合带(1)具备粘接剂层、和叠层于粘接剂层的一面(3a)的基体材料层(4)。在进行切片时，在基体材料层的外周部分贴合切片环(26)。基体材料层在外周部分具有贴合起点(4C)。将除贴合起点外的部分的基体材料层的贴合于切片环的部分的宽度设为W(mm)、将除贴合起点外的部分的基体材料层的外径设为D(mm)时，从基体材料层的贴合起点侧的外周前端朝向内侧处于0.3W(mm)的距离的位置的贴合起点的长度L(mm)在0.30D~0.44D(mm)的范围内。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于得到带粘接剂层的半导体芯片，且用于对该带粘接剂层的半导体芯片进行芯片键合的切片及芯片键合带、以及使用该切片及芯片键合带的带粘接剂层的半导体芯片的制造方法。
技术介绍
从半导体晶片切出半导体芯片时，使用被称为先切片法的切片法。例如，下述专利文献I中公开了先切片法的一例。在先切片法中，首先，在半导体晶片的表面形成切痕。接着，在形成有切痕的半导体晶片的表面贴合保护片。然后，对半导体晶片的背面进行磨削，直到切痕部分，减薄半导 体晶片的厚度，并分割成一个一个的半导体芯片。在分割成一个一个的半导体芯片的分割后半导体晶片的表面贴合有保护片。另外，为了将通过上述先切片法得到的一个一个的半导体芯片容易地安装在基板上，多在半导体芯片的背面贴合芯片键合层。为了得到该带芯片键合层的半导体芯片，使用了具备芯片键合层和切片层的切片及芯片键合带。作为切片及芯片键合带的一例，下述专利文献2中公开了一种切片及芯片键合带，其在剥离片上叠层有芯片键合层，并以被覆该芯片键合层的方式，在剥离片及芯片键合层上叠层有切片层。芯片键合层是在切片后与半导体芯片一同取出，用于半导体芯片的芯片键合的层。为了容易将切片层从剥离片剥离，在切片层的外周缘设有突出部。专利文献I :日本特开2006-245467号公报专利文献2 :日本特开2005-116790号公报使用专利文献I所记载的切片及芯片键合带得到带芯片键合层的半导体芯片时，将切片层的突出部作为剥离起点，将芯片键合层和切片层从剥离片剥离，使芯片键合层和切片层的外周部分露出。接着，将露出的芯片键合层贴合于分割后半导体晶片，且将露出的切片层的外周部分贴合于切片环。接着，剥离贴合于分割后半导体晶片的表面上的保护片。然后，沿着分割后半导体晶片的切断部分，将芯片键合层切片。切片后，将带芯片键合层的半导体芯片从切片层剥离后取出。取出的带芯片键合层的半导体芯片从芯片键合层侧安装于基板上。在专利文献I所述的切片及芯片键合带中，有时该带以局部变形的状态贴合于切片环。该情况下，将切片层贴合于切片环后，通常，缓和贴合时的拉伸应力的收缩力会作用于切片层，使得有时切片层的收缩力在各部分有所不同。因此，分割后半导体晶片的切断部分，即切片线可能弯曲(被称为划痕偏离的现象)。特别是，加热保护片进行剥离的情况下，通过加热，切片层在贴合时的拉伸应力容易缓和，切片线容易弯曲。因此，可能出现以下情况不能将芯片键合层高精度地进行切片，或芯片间不均等伸展，带芯片键合层的半导体芯片的拾取性低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供得到带粘接剂层的半导体芯片时，能够在向切片环贴合时抑制局部变形，能够提高切片的精度，另外，能够通过芯片间均等地伸展来提高带粘接剂层的半导体芯片的拾取性的切片及芯片键合带、以及使用该切片及芯片键合带的半导体芯片制造方法。根据本专利技术的广义方面，提供一种切片及芯片键合带，其具备粘接剂层、和叠层于该粘接剂层的一面的基体材料层，在进行切片时，切片环贴合在所述基体材料层的外周部分，所述基体材料层在外周部分具有贴合起点，该贴合起点在贴合开始时贴合于切片环，将除了所述贴合起点以外的部分的所述基体材料层的贴合于所述切片环的部分的宽度设为W(mm)，将除了所述贴合起点以外的部分的所述基体材料层的外径设为D(mm)时，从所述基体材料层的所述贴合起点侧的外周前端起算，位于朝向内侧O. 3W距离的位置上的所述贴合起点的长度L(mm)在O. 30D O. 44D(mm)的范围内。 在本专利技术的切片及芯片键合带的某一特定方面中，所述基体材料层的所述贴合起点侧的外周前端的曲率比所述基体材料层的除了所述贴合起点以外的部分的外周端的曲率大。在本专利技术的切片及芯片键合带的其它特定方面中，所述基体材料层在所述贴合起点侧的外周端具有凸部，所述基体材料层的贴合起点侧的外周前端为所述凸部的顶点。在本专利技术的切片及芯片键合带的另外其它特定方面中，所述基体材料层在所述贴合起点侧的外周端具有多个凸部，且该多个凸部以曲线连接。本专利技术的带粘接剂层的半导体芯片的制造方法包括使用下述叠层体以及按照本专利技术构成的切片及芯片键合带，所述叠层体具有保护片及叠层于该保护片的一面上且被分割成一个一个的半导体芯片的分割后半导体晶片，将所述切片及芯片键合带的所述粘接剂层贴合于所述叠层体的所述分割后半导体晶片上的工序；将所述基体材料层的所述贴合起点贴合于圆环状的切片环上，接着将除了所述贴合起点以外的所述基体材料层的外周部分贴合于所述切片环的工序；将所述保护片从所述分割后半导体晶片上剥离的工序；沿所述分割后半导体晶片的切断部分对所述粘接剂层进行切片的工序；切片后将贴合有所述半导体芯片的所述粘接剂层从所述基体材料层剥离，将半导体芯片与所述粘接剂层一同取出的工序。另外，将所述切片及芯片键合带的所述粘接剂层贴合于所述叠层体的所述分割后半导体晶片的工序和将所述基体材料层的所述贴合起点贴合于圆环状的切片环上，接着将除所述贴合起点外的所述基体材料层的外周部分贴合于所述切片环的工序也可以同时进行。在本专利技术的带粘接剂层的半导体芯片的制造方法的某一特定方面中，还具备在半导体晶片的表面形成用于将该半导体晶片分割成一个一个的半导体芯片的切痕的工序；在形成有切痕的所述半导体晶片的表面贴合保护片的工序；以及对贴合有所述保护片的所述半导体晶片的背面进行磨削，将所述半导体晶片分割成一个一个的半导体芯片，得到所述置层体的工序。本专利技术的带粘接剂层的半导体芯片的其它制造方法包括使用半导体晶片和根据本专利技术构成的切片及芯片键合带，将所述切片及芯片键合带的所述粘接剂层贴合于所述半导体晶片的工序；将所述基体材料层的所述贴合起点贴合于圆环状的切片环上，接着，将除了所述贴合起点以外的所述基体材料层的外周部分贴合于所述切片环的工序；将所述半导体晶片和所述粘接剂层进行切片的工序；以及，在切片后，将贴合有所述半导体芯片的所述粘接剂层从所述基体材料层剥离，将半导体芯片与所述粘接剂层一同取出的工序。另外，贴合于所述叠层体的所述分割后半导体晶片的工序和将所述基体材料层的所述贴合起点贴合于圆环状的切片环，接着将除所述贴合起点外的所述基体材料层的外周部分贴合于所述切片环的工序也可以同时进行。专利技术的效果就本专利技术的切片及芯片键合带而言，将基体材料层除贴合起点外的部分的贴合于切片环的部分的宽度设为W(mm)，将基体材料层除贴合起点外的部分的外径设为D(mm)时， 从基体材料层的贴合起点侧的外周前端起算，位于朝向内侧O. 3ff(mm)距离的位置上的贴合起点的长度L(mm)在O. 30D^0. 44D(mm)的范围内，因此，能够通过将基体材料层的贴合起点贴合于圆环状的切片环，接着将除贴合起点外的基体材料层的外周部分贴合于切片环，由此将切片及芯片键合带以抑制局部变形的方式贴合于切片环。因此，切片后的切片线不易弯曲。因此，能够提高带粘接剂层的半导体芯片的拾取性。另外，使用保护片和分割后半导体晶片的叠层体得到带粘接剂层的半导体芯片的情况下，即使将切片及芯片键合带的粘接剂层贴合于叠层体的分割后半导体晶片后，将保护片从分割后半导体晶片剥离，分割后半导体晶片的切断部分，即切片线也不易弯曲。因此，能够将粘接剂层高精度地进行切片，能够提高拾取性。附图说明图I (a)及本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.12 JP 2010-0286821.ー种切片及芯片键合带，其具有粘接剂层以及叠层于所述粘接剂层的一面的基体材料层， 在进行切片时，切片环贴合在所述基体材料层的外周部分，所述基体材料层在外周部分具有贴合起点，该贴合起点在贴合开始时贴合于切片环，将除了所述贴合起点以外的部分的所述基体材料层的贴合于所述切片环的部分的宽度设为W(mm)，将除了所述贴合起点以外的部分的所述基体材料层的外径设为D(mm)吋，从所述基体材料层的所述贴合起点侧的外周前端起算，位于朝向内侧O. 3W距离的位置上的所述贴合起点的长度L(mm)在O. 30D O. 44D(mm)的范围内。2.如权利要求I所述的切片及芯片键合带，其中， 所述基体材料层的所述贴合起点侧的外周前端的曲率比所述基体材料层的除了所述贴合起点以外的部分的外周端的曲率大。3.如权利要求I或2所述的切片及芯片键合带，其中， 所述基体材料层在所述贴合起点侧的外周端具有凸部， 所述基体材料层的贴合起点侧的外周前端为所述凸部的顶点。4.如权利要求I所述的切片及芯片键合带，其中， 所述基体材料层在所述贴合起点侧的外周端具有多个凸部，且该多个凸部以曲线连接。5.一种带有粘接剂层的半导体芯片的制造方法，其包括以下エ序 使用下述叠层体以及权利要求I 4中任一项所述的切片及芯片键合带，所述叠层体具有保护片及叠层于该保护片的一面上且被分割成一个ー个的半导体芯片的分割后半...
【专利技术属性】
技术研发人员：石丸维敏，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：
国别省市：
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