粘接片制造技术

半导体装置制造用粘接片1，具备：基材薄膜10、配置于基材薄膜10上的粘接层20、配置于粘接层20上并且具有露出粘接层20的开口30a的粘接层30和配置于粘接层20中从开口30a露出的部分25上的芯片接合薄膜40，芯片接合薄膜40的外周的至少一部分与粘接层30相接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术关于粘接片。
技术介绍
半导体装置的制造工序中，有一道是将经过所需前处理而形成回路的半导体晶圆切割分离为多个芯片的切割(dicing)工序。该工序中，在被称为环形框架的圆环状或矩形环状的框架上粘贴固定晶圆用的切割片，在该切割片上粘贴半导体晶圆后，将半导体晶圆以回路为单位进行切割，得到半导体芯片。接着，通过焊接机进行扩片工序、芯片安装工序，再进行焊线工序、压模工序，制造出半导体装置。近年来，有人提出，在半导体装置制造时，使用切割片以及芯片粘接薄膜(DieAttachFilm) 一体化的芯片粘接薄膜一体型片的方法。芯片粘接薄膜一体型片是兼具 切割片功能和将芯片固定在引线框架或配线基板等的粘接剂功能的多层切割片，较之于以往的方法，具有可缩短加工工序等优点。但是，随着近年来半导体元件的高集成化·大芯片化、薄型化，切割后的芯片的拾取作业变得困难的情况增加。用于这些用途的切割片，要求对于切割后的半导体芯片(例如Si芯片)-芯片接合薄膜(Die bonding Film)层积品为微粘接。但是,令切割片微粘接化的话，对于环形框架的粘结性也较弱，有时会出现切割工序中切割片与环形框架剥离的情况。因此，必须要有具有更高切割性能的胶带，开发出了在切割工序中能够以高粘附力保持晶圆(芯片)、在拾取工序中可通过紫外线照射等降低粘附力、方便地拾取芯片的切割片(例如，参照下述专利文献1、2)。专利文献I日本专利特开昭60-196956号公报专利文献2日本专利特开昭61-28572号公报
技术实现思路
但是，专利文献I的紫外线固化型切割片中，通过仅对期望部分照射紫外线而降低该部分的粘附力，但有时难以仅对期望部分高精度地照射紫外线。因此，有时难以得到在切割工序中有效保持晶圆和环形框架的保持力与切割后方便地剥离芯片的易易剥离性两者平衡兼备的粘接层。此外，专利文献2中，由于芯片接合薄膜仅层积在粘结性低的粘接层上，因此存在切割工序中芯片接合薄膜的外周部分从粘接层剥离、粘贴在芯片接合薄膜上的芯片飞散的问题。本专利技术鉴于上述问题，目的是提供可在维持拾取工序中的芯片接合薄膜以及切割片间的易剥离性的同时，可抑制切割工序中的环形框架剥离以及芯片飞散的粘接片。即，本专利技术提供一种粘接片，具备基材、配置于基材上的第I粘接层、配置于第I粘接层上并且具有露出第I粘接层的开口的第2粘接层、配置于第I粘接层中从上述开口露出部分的芯片接合薄膜，芯片接合薄膜的外周的至少一部分与第2粘接层相接。本专利技术的粘接片中，该片除了第I粘接层还具备第2粘接层，因而可以个别调整第I粘接层的粘附力与第2粘接层的粘附力。因此，可以为了方便拾取工序中芯片接合薄膜以及切割片间的剥离而调整第I粘接层的粘附力的同时，为了切割工序中不令环形框架与第2粘接层剥离而调整第2粘接层的粘附力。另外，本专利技术的粘接片中，通过芯片接合薄膜的外周的至少一部分与第2粘接层相接，可以令粘附力经过调整的第2粘接层与芯片接合薄膜的外周粘接。因此，可以抑制切割工序中芯片接合薄膜的外周部分成为剥离起点、芯片接合薄膜剥离，因此可以抑制芯片飞散。优选芯片接合薄膜的外周的至少一部分与第2粘接层重叠。此时，可以进一步抑 制切割工序中芯片接合薄膜的外周部分成为剥离起点、芯片接合薄膜剥离，因此可以进一步抑制芯片飞散。此外，根据此种结构，将粘接片卷成卷状时，通过芯片接合薄膜与第2粘接层的重叠部分可以保护芯片接合薄膜的中央部分，可以抑制卷痕转印至芯片接合薄膜。此外，也优选第2粘接层的内周的至少一部分与芯片接合薄膜重叠。此种结构中，将粘接片卷成卷状时，也可通过芯片接合薄膜与第2粘接层的重叠部分保护芯片接合薄膜的中央部分，可以抑制卷痕转印至芯片接合薄膜。芯片接合薄膜与第2粘接层的重叠部分的宽度优选为O. f 25mm。本专利技术的粘接片用于切割加工以及芯片接合加工。根据本专利技术，可提供在拾取工序中维持芯片接合薄膜及切割片间的易剥离性的同时，可抑制切割工序中的环形框架剥离以及芯片飞散的粘接片。本专利技术中，由于可以方便地拾取单片化的带芯片接合薄膜的半导体芯片，可以提高半导体装置的成品率。附图说明图I显示粘接片的一种实施方式的平面图。图2沿图I的II-II线的截面示意图。图3显示粘接片上粘贴了半导体晶圆以及环形框架的层积物的截面示意图。图4显不用切割刀具切割半导体晶圆的工序的截面不意图。图5显示拾取单片化的带芯片接合薄膜的半导体芯片的工序的截面示意图。图6显示使用了拾取的带芯片接合薄膜的半导体芯片的半导体装置的截面示意图。图7(a)为显示以往的粘接片的一例的平面图，(b)为(a)的X-X线截面图。图8显示图7所示的粘接片的卷轴体的侧视图。图9(a)为显示图7所示的粘接片中的卷痕样子的平面图，(b)为(a)的Y-Y线截面图。图10(a)为显示以往的粘接片的其他例子的平面图，(b)为(a)的Z-Z线截面图。图11显不粘接片的变形例的截面不意图。符号说明1，2…半导体装置制造用粘接片、10···基材薄膜、20···粘接层(第I粘接层)、25…从开口露出的部分、30···粘接层(第2粘接层)、30a···开口、40，45…芯片接合薄膜、50···环形框架、60···半导体晶圆、100…半导体装置。具体实施例方式以下根据需要参照附图详细说明本专利技术的适宜的实施方式。图中，相同或同等的构成要素赋予相同符号，适当省略重复说明。图I为显示粘接片的一种实施方式的平面图，图2为沿图I的II-II线的截面示意图。图3为显示粘接片上粘贴了半导体晶圆及环形框架的层积物的截面示意图。图1、2所示的半导体装置制造用粘接片(芯片粘接薄膜一体型片)1，具备长的基材薄膜10、长的粘接层(第I粘接层)20、粘接层(第2粘接层)30、芯片接合薄膜40。半导体装置制造用粘接片I上，如图3所示，配置有环形框架(切割环)50、半导体晶圆60。作为基材薄膜10，可使用例如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物薄膜、离子聚合物树脂薄膜等。基材薄膜10的厚度优选例如15 200 μ m左右。 粘接层20配置为覆盖基材薄膜10的整个一侧主面。粘接层20的厚度优选例如5 50μπι左右。作为构成粘接层20的粘接剂，可使用例如丙烯系粘接剂、橡胶系粘接剂、硅酮系粘接剂等。粘接层20是拾取工序中可从芯片接合薄膜40方便地剥离的弱粘结性的压敏粘接剂层。粘接层20与芯片接合薄膜40的粘附力优选O. 6N/25mm以下，更优选O. 4N/25mm以下，进一步优选O. 3N/25mm以下。粘接层20具有此种粘附力的话，拾取工序中粘接层20及芯片接合薄膜40间可方便地剥离。粘接层20的粘附力可使用例如Orientec (才U 二 >〒'”、制造的“Tensilon ( f 口 >)拉伸强度试验机RTA-100型”或与此类似的试验机，以在垂直方向(90°剥离)以200mm/min的速度剥离时的剥离力测定。粘接层30沿基材薄膜10的长度方向每隔一定间隔配置于粘接层20上，配置有多个。粘接层30配置于粘接层20中计划粘贴环形框架50的区域。各粘接层30例如呈圆环状，各粘接层30的中央部上，设置有贯穿粘接层30的表面至背面的截面为圆形的开口 30a。粘接层20中的从开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村祐树，宫原正信，片山阳二，玉置刚士，畠山惠一，池谷卓二，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：
国别省市：