粘接带的粘贴方法技术

本发明专利技术提供粘接带的粘贴方法，能够使半导体晶片无破损地粘贴到粘接带上，在该晶片中，仅对与器件区域对应的背面进行磨削从而形成有圆形凹部，在与围绕器件区域的外周剩余区域对应的背面形成有环状加强部。上述粘接带的粘贴方法是在晶片背面粘贴粘接带的方法，该晶片在表面具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，在与器件区域对应的背面形成有圆形凹部，在圆形凹部外周侧形成有包含外周剩余区域的环状加强部，在该粘贴方法中，在减压气氛中以对置方式保持晶片和粘接带，在将晶片按压向粘接带的粘接面时，使固定配设在粘接带的与粘接面相反一侧的板状物在支承粘接带的同时配合到圆形凹部内，从而将粘接带粘贴到晶片的背面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在晶片的背面侧粘贴粘接带的，其中， 上述晶片在背面形成有圆形凹部。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，在大致圆盘形状的半导体晶片的表面 上，通过呈格子状地排列的被称为间隔道的分割预定线划分有多个区域，在该划分开的区域中形成IC(integrated circuit:集成电路)、LSI(large-scale integration:大规模集成电路)等器件。然后，通过利用切削装置沿着间 隔道对半导体晶片进行切削，来将半导体晶片分割成一个个半导体芯片 (器件)。关于被分割的晶片，在沿着间隔道进行切削之前，通过对背面进行 磨削或者研磨而形成为预定厚度。近年来，为了实现电气设备的轻量化、 小型化，要求使晶片的厚度变得更薄、例如为50pm左右。关于这样形成得很薄的晶片，处理起来很困难，有可能在搬送等时 破损。因此，在日本特开2007—19461号公报中提出了这样的磨削方法 仅对晶片的与器件区域对应的背面进行磨削，从而在晶片的与围绕器件 区域的外周剩余区域对应的背面上形成环状加强部。另一方面，为了使分割开的一个个器件容易处理，在分割时将半导 体晶片粘贴在切割带(粘接带)上来进行一体化。在利用切削装置进行 切削时，利用切削刀具切入到晶片以及粘贴于晶片上的粘接带的中途来 分割成一个个器件，由此，在半导体晶片被分割成器件之后，各器件也 与粘接带为一体，从而防止了被分割开的器件散乱。作为将粘接带粘贴到半导体晶片上的方法，采用了如下方法使粘 接带的粘接面与半导体晶片的背面侧对置，通过使辊子在粘接带的非粘接面上滑动，来将粘接带粘贴在半导体晶片的背面(日本特开平6_ 177243号公报)。然而，形成得很薄的半导体晶片有可能因辊子所施加的压力而破损。 因此，在日本特开2005 — 135931号公报中，提出了通过支撑半导体晶片 的弹性体的膨胀来将半导体晶片粘贴到粘接带上的装置。专利文献1:日本特开2007—19461号公报专利文献2:日本特开平6 — 177243号公报专利文献3:日本特开2005 — 135931号公报但是，即使使用这样的装置将粘接带粘贴到半导体晶片的背面，对 于仅对与器件区域对应的背面进行磨削从而形成有圆形凹部、并在与围 绕器件区域的外周剩余区域对应的背面形成有环状加强部的半导体晶 片，也存在当粘贴粘接带时在环状加强部和圆形凹部之间的交界部产生 应力而发生破损的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的问题而完成的，其目的在于，提供一种能够使 半导体晶片无破损地粘贴到粘接带上的，在上述半导 体晶片中，仅对与器件区域对应的背面进行磨削，从而形成有圆形凹部， 并在与围绕器件区域的外周剩余区域对应的背面形成有环状加强部。根据第一方面所述的专利技术，提供一种，其是在晶 片的背面上粘贴粘接带的方法，上述晶片在表面上具有形成有多个器件 的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，在与上述器件区域对应 的背面形成有圆形凹部，在上述圆形凹部的外周侧形成有包含上述外周 剩余区域的环状加强部，上述的特征在于，在减压气 氛中以对置方式保持上述晶片和上述粘接带，在将上述晶片按压向上述 粘接带的粘接面时，使固定配设在上述粘接带的与粘接面相反一侧的板 状物在支承该粘接带的同时配合到上述圆形凹部内，从而将上述粘接带 粘贴到上述晶片的背面。优选的是，使晶片的圆形凹部侧与粘接带的粘接面对置，利用弹性体来支承晶片的表面侧，通过使形成在上述弹性体的晶片保持面的相反 面侧的气密空间的气压向大气开放，来将晶片按压向粘接带。根据第三方面所述的专利技术，提供一种，其是在晶 片的背面上粘贴粘接带的方法，上述晶片在表面上具有形成有多个器件 的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，在与上述器件区域对应 的背面形成有圆形凹部，在上述圆形凹部的外周侧形成有包含上述外周 剩余区域的环状加强部，上述的特征在于，通过插入 在气密空间内的活塞将该气密空间分离成第一气密空间和第二气密空 间，以粘接面朝向该活塞侧的方式将上述粘接带固定地保持在上述第二 气密空间内，以上述圆形凹部与上述粘接带对置的方式将上述晶片通过 上述活塞保持在上述第二气密空间内，相对于上述粘接带在与上述晶片 相反的一侧固定地设置与该晶片的上述圆形凹部配合的板状部件，通过 使上述第二气密空间内减压，并使上述第一气密空间向大气开放，来驱 动上述活塞，使上述板状部件隔着上述粘接带与上述晶片的上述圆形凹 部配合，由此将上述粘接带粘贴到上述晶片的背面。根据本专利技术，通过将板状物配合到仅磨削半导体晶片的与器件区域 对应的背面而形成的圆形凹部中，来将粘接带粘贴到半导体晶片的背面， 因此，能够使半导体晶片无破损地粘贴到粘接带上。附图说明图l是晶片的表面侧的立体图。图2是在背面粘贴有保护带的状态下的晶片的背面侧的立体图。 图3是表示磨削装置的主要部分的立体图。 图4是利用磨削装置来实施的圆形凹部磨削工序的说明图。 图5是实施了圆形凹部磨削工序的半导体晶片的剖视图。 图6是经切割带安装在环状框架上的状态下的晶片的剖视图。 图7是适于实施本专利技术的的粘接带粘贴装置的纵 剖视图。图8是用于说明粘接带粘贴装置的作用的纵剖视图。标号说明2:磨削装置；4:卡盘工作台；6:磨削单元；10:磨轮；11:半导 体晶片；12:磨削磨具；13:间隔道；15:器件；24:圆形凹部；26: 环状加强部；34:粘接带粘贴装置；36:基座；38:顶盖；44:第一气 密空间；46:第二气密空间；50、 54:电磁阀；60:环状框架；62:切 割带(粘接带)；64:圆形板。具体实施例方式下面，参照附图详细说明本专利技术实施方式。图1是加工至预定厚度 前的半导体晶片的立体图。图1所示的半导体晶片11由例如厚度为700pm的硅晶片构成，在该半导体晶片11的表面lla上呈格子状地形成 有多个间隔道13，并且在被该多个间隔道13划分出的多个区域中形成有 IC、 LSI等器件15。这样构成的半导体晶片11包括形成有器件15的器件区域17、和 围绕器件区域17的外周剩余区域19。此外，在半导体晶片11的外周， 形成有作为表示硅晶片的结晶方位的标记的槽口 21。在半导体晶片11的表面iia上，通过保护带粘贴工序粘贴有保护带23。由此，半导体晶片ll的表面lla被保护带23所保护，如图2所示成 为露出背面llb的形态。参照图3至图5说明如下磨削方法在这样的半导体晶片11的与器 件区域17对应的背面形成圆形凹部，在该圆形凹部的外周侧形成包含外 周剩余区域19的环状加强部。首先，参照图3，表示磨削装置2的主要 部分的立体图。磨削装置2包括卡盘工作台4，其用于保持晶片，并且能够旋转； 和磨削单元6，其对晶片实施磨削加工。磨削单元6具有主轴8，其能 够旋转并且能够升降；磨轮10，其安装在主轴8的前端；和磨削磨具12， 其固定在磨轮10的下表面上。晶片11的保护带23侧被卡盘工作台4吸引保持，晶片11的背面lib 与磨削磨具12对置地设置。此处，参照图4对保持在卡盘工作台4上的7晶片11和安装在磨轮IO上的磨削磨具12之间的关系进行说明。磨削磨具12的旋转中心P2相对于卡盘工作台4的旋转中心P1偏心， 磨削磨具12的外径设定为比晶片11的器件区域17与外周剩余区域19 之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粘接带的粘贴方法，其是在晶片的背面上粘贴粘接带的方法，上述晶片在表面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，在与上述器件区域对应的背面形成有圆形凹部，在上述圆形凹部的外周侧形成有包含上述外周剩余区域的环状加强部，上述粘接带的粘贴方法的特征在于，　在减压气氛中以对置方式保持上述晶片和上述粘接带，　在将上述晶片按压向上述粘接带的粘接面时，使固定配设在上述粘接带的与粘接面相反一侧的板状物在支承该粘接带的同时配合到上述圆形凹部内，从而将上述粘接带 粘贴到上述晶片的背面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：近藤安昙，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]