本发明专利技术提供一种从涂敷喷嘴（１７）向被旋转卡盘（１６）旋转的晶片（Ｗ）表面供给抗蚀剂液并使其扩展而形成抗蚀剂膜的基板处理装置，其包括：具有包围由旋转卡盘保持的晶片外侧的外侧壁部（６２ａ）的外罩（６２）、位于晶片外周部下方的内罩（６３）、被固定在外罩的外侧壁部的内周面上，同时，位于与晶片的外周边缘之间保持间隙（６５）的位置，并且连通外罩上部与内罩外侧的多个通气孔（６６）的中间罩（６４）、开闭中间罩的通气孔的开闭部件（６７）、以及开闭移动开闭部件的升降气缸（６８）。当供给抗蚀剂时，利用开闭部件封闭通气孔，阻断气流经过通气孔，当形成抗蚀剂膜时，开放通气孔，容许气流经过通气孔。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种例如在半导体晶片或FPD (平板显示器)基板等 基板上形成例如抗蚀剂等的处理膜的基板处理装置。
技术介绍
一般情况下，在半导体元器件的制造中，为了在例如半导体晶片 和FPD基板这样的基板上涂敷感光剂，对掩膜图形进行曝光处理然后 形成电路图形，使用了光刻技术。在该光刻技术中，使用旋涂法在晶 片上涂敷抗蚀剂，按照规定的电路图形对由此形成的抗蚀剂膜进行曝 光，并对该曝光图形进行显像处理，由此在抗蚀剂膜上形成电路图形。一般情况下，在旋涂法中，为了接受飞散的抗蚀剂，在由外罩和 内罩构成的涂料器罩内使晶片等基板旋转。此外，为了防止从基板的边缘部分飞散的抗蚀剂变成雾状，在罩 的上方飞舞，而附着在周围的装置或仪器上产生污染，从罩的底部进 行排气。此外，在采用使基板高速旋转的抗蚀剂涂敷装置的情况下，为了 抑制基板周边部的抗蚀剂膜隆起的现象，采用一种在外罩与内罩之间 配置控制晶片附近气流的气流控制板的构造(例如，特开2001-189266 号公报)。出于回收液雾的目的，现有的罩排气设定排出(供给)抗蚀剂和 清洗液时的排气压力。此外，多个抗蚀剂涂敷装置的排气部与工厂的 排气系统连接，气体被向工厂外排出。但是，存在以下问题，即随着处理能力的提高，需要增加涂料器 罩的安装数量，这样排气量就会相应地增加，工厂的排气容量变得紧 张。为了解决这个问题，考虑降低排气量，但是，为了达到防止排出 抗蚀剂和清洗液时的液雾的目的，却不能降低排气量。
技术实现思路
专利技术的目的在于提供一种既能形成均一性高的处理膜，同时能够 防止液雾，并且能够提高工厂的排气效率的基板处理装置。本专利技术提供一种基板处理装置，它是一种向旋转的被处理基板的 表面供给处理液，使处理液扩展后形成处理膜的基板处理装置，它具 备在水平姿势下保持被处理基板的保持单元、使被处理基板在水平面 内旋转的旋转机构、向被处理基板的表面供给处理液的处理液供给喷 嘴、以及收纳前述保持单元并且在底部与排气装置连接的处理罩，前 述处理罩包括具有包围由前述保持单元所保持的上述被处理基板的 外侧的外侧壁部的外罩、具有位于被处理基板的外周部下方的内侧壁 部的内罩、外周部被固定在前述外罩的外侧壁部的内周面上，同时内 周部位于与被处理基板的外周边缘之间保持间隙的位置，并且，具有 连通前述外罩的上部与前述内罩的外侧的多个通气孔的中间罩、开闭 前述中间罩的通气孔的开闭部件、以及开闭移动前述开闭部件的开闭 移动机构，在向被处理基板供给处理液时，利用前述开闭部件封闭前 述通气孔，阻断气流通过前述通气孔，在处理液供给后的处理膜形成 时，开放前述通气孔，容许气流通过前述通气孔。在此情况下，前述通气孔最好以相等的间隔设置成同心圆形状。在本专利技术中，前述外罩包括具有构成前述外侧壁部的一部分的可 动外侧壁部的上部罩体，前述开闭部件具有外周部被固定在上述上部 罩体的可动外侧壁部的内周面上，内周部可抵接在上述中间罩中的相 比通气孔的内周侧面上的环形圆板状部件，前述开闭移动机构具有升 降移动前述上部罩体的升降机构。在此情况下，对于前述开闭部件， 只要其内周部能够抵接前述中间罩中的相比通气孔的内周侧面，其设 置方式并无限定，但是最好在其内周部安装能够与前述中间罩的上面 接触的可挠性密封部件。在本专利技术中，前述开闭部件具有能够开闭各个通气孔的上端开口 部的多个棒状部件和连结各个棒状部件的连结部件，前述开闭移动机 构具有升降前述连结部件的升降机构。在此情况下，前述棒状部件优 选下端封闭部具有能够插入上述通气孔内的狭小圆锥面。在本专利技术中，前述外罩具有连通前述通气孔与前述外罩的外方一侧并且在与外侧壁部之间设置环状进气口的外装罩体，前述开闭部件 具有能够开闭前述环状进气口的环状部件，前述开闭移动机构具有升 降移动前述环状部件的升降机构。在本专利技术中，前述多个通气孔既可以形成相同的圆形，也可以形 成相同的椭圆形。根据本专利技术，当向被处理基板供给处理液时，利用前述开闭部件 封闭前述通气孔，这样就只能从被处理基板的周边缘部与中间罩的内 周部之间的缝隙进行排气，即便是少量的排气量，也能有效地回收液 雾。此外，当形成处理膜时，驱动开闭移动机构，移动开闭部件，然 后开放通气孔，于是，利用中间罩控制被处理基板的周边缘部附近的 气流，从而能够抑制被处理基板的周边缘部的处理膜出现隆起的现象。因此，能够形成均一性高的处理膜，同时，能够防止液雾。此外， 通过有效地进行供给处理液时与形成处理膜时的排气，这样在较低的 排气压力下也能回收液雾，因此，能够提高工厂的排气效率。附图说明图1是表示适用本专利技术的基板处理装置的抗蚀剂涂敷*显像处理 系统的一个例子的概略俯视图。图2是表示图1的抗蚀剂涂敷 显像处理系统的概略主视图。 图3是表示图1的抗蚀剂涂敷 显像处理系统的概略后视图。图4是表示本专利技术的基板处理装置的第一实施方式的抗蚀剂涂敷时的状态的概略截面图。图5是表示第一实施方式的基板处理装置的抗蚀剂膜形成时的状态的概略截面图。图6A是表示本专利技术中的中间罩的通气孔的其它形状的俯视图。 图6B是表示本专利技术中的中间罩的通气孔的另外的形状的俯视图。 图7是表示具有第一实施方式中的开闭部件的外罩的一部分的截面立体图。图8是表示在开闭部件上安装有密封部件的状态的放大截面图。 图9是表示第二实施方式的基板处理装置的抗蚀剂涂敷时的状态 的概略截面图。图io是表示第二实施方式的基板处理装置的抗蚀剂膜形成时的状态的概略截面图。图11是表示第二实施方式中的开闭部件的立体图。图12是表示第二实施方式的开闭部件的封闭部的放大截面图。 图13是表示第三实施方式的基板处理装置的抗蚀剂涂敷时的状态 的概略截面图。图14是表示第三实施方式的基板处理装置的抗蚀剂膜形成时的状 态的概略截面图。图15是表示本专利技术的抗蚀剂涂敷处理装置与现有的抗蚀剂涂敷处 理装置中的排气压力与回收液雾数两者关系的图表。符号说明W半导体晶片(被处理基板)15抗蚀剂涂敷处理装置(基板处理装置)16旋转卡盘(保持单元)16b旋转机构17涂敷喷嘴(处理液供给喷嘴)18真空泵(排气装置)60处理罩61底部62外罩62a外侧壁部62b可动外侧壁部 62c上部罩体62d外装罩体63内罩63a内侧壁部64中间罩64a外周部64b内周部65缝隙66、 66A通气孔67、 67A开闭部件67b密封部件68、 68A、 68B升降气缸(开闭移动机构)70控制器73排气口 76棒状部件76a狭小圆锥面77连结部件78环状进气口 79环状部件(开闭部件)具体实施例方式下面参照附图，对本专利技术的实施方式详细进行说明。在这里，对 在半导体晶片的抗蚀剂涂敷 显像处理系统中的抗蚀剂涂敷处理装置中应用本专利技术的情况进行说明。首先，对抗蚀剂涂敷，显像处理系统进行说明。图1是表示具备 本专利技术的基板处理装置的半导体晶片的抗蚀剂涂敷 显像处理系统的 概略俯视图，图2是表示该抗蚀剂涂敷 显像处理系统的概略主视图，图3是表示该抗蚀剂涂敷 显像处理系统的概略后视图。如图1所示，抗蚀剂涂敷 显像处理系统1具有将以下各部分连 接成一体的结构即，例如以25枚晶片W为盒单位从外部相对于抗 蚀剂涂敷 显像处理系统1进行搬入搬出，并且相对于盒C搬入搬出 晶片W的盒装卸台2;与本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基板处理装置，向旋转的被处理基板的表面供给处理液，使处理液扩展而形成处理膜，其特征在于，包括： 以水平姿势保持被处理基板的保持单元； 使被处理基板在水平面内旋转的旋转机构； 向被处理基板的表面供给处理液的处理液供给喷嘴 ；以及 收纳所述保持单元并且在底部与排气装置连接的处理罩， 所述处理罩具有： 外罩，其具有包围由所述保持单元保持的所述被处理基板的外侧的外侧壁部； 内罩，其具有位于被处理基板的外周部下方的内侧壁部； 中间罩，其 外周部固定在所述外罩的外侧壁部的内周面，且内周部位于与被处理基板的外周边缘保持有间隙的位置，并且具有连通所述外罩的上部与所述内罩的外侧的多个通气孔； 开闭部件，其开闭所述中间罩的通气孔；以及 开闭移动机构，其开闭移动所述开闭部件 ， 在对被处理基板供给处理液时，利用所述开闭部件封闭所述通气孔，阻断气流通过所述通气孔，在处理液供给后的处理膜形成时，打开所述通气孔，容许气流通过所述通气孔。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高柳康治，吉原孝介，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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