晶片加工用胶带制造技术

本实用新型专利技术提供一种晶片加工用胶带。在晶片加工用胶带(1)中，与向晶片环(14)粘贴的粘贴区域P对应地以从基材膜(5)侧到达至剥离基材(2)的深度形成俯视时朝向粘结剂层(3)的中心侧的半圆状或者舌片状的切口部(11)。通过切口部(11)的形成，剥离力作用于晶片加工用胶带(1)时，粘着剂层(4)以及基材膜(5)的位于切口部(11)的外侧的部分先剥離，切口部(11)内侧的部分以呈凸状的状态残留在晶片环(14)上。因此，能够提高晶片加工用胶带(1)和晶片环(14)之间的剥离强度，能够抑制在工序中晶片加工用胶带(1)从晶片环(14)剥离的情况。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体晶片的切割以及通过切割得到的半导体芯片的贴片等所使用的晶片加工用胶带。
技术介绍
近年，移动信息终端相关联设备的多功能化以及轻量、小型化的要求急速地提高。相对于半导体芯片的高密度贴装的需求也随之增强，特别是，将半导体芯片层叠的堆叠式多芯片封装正成为开发的中心。在堆叠式多芯片封装中，有时会在贴片工序对半导体芯片相互进行层叠、粘合。采用这样的半导体芯片的制造工序，推进了在切割工序中的半导体晶片的固定、贴片工序中的半导体芯片和引线框等的粘结中都可以并用的晶片加工用胶带的导入(例如参照专利文献I)。 制作这样的晶片加工用胶带时，首先，准备在剥离基材上形成粘结剂层而构成的粘结膜、和在基材膜上形成粘着剂层而构成的切割膜，使粘结剂层和粘着剂层相对地贴合。接着，按照晶片形状对基材膜、粘结剂层、粘着剂层进行预切加工，得到所希望的形状的晶片加工用胶带。
技术介绍
文献专利文献专利文献I :日本专利特开2009-88480号公报
技术实现思路
技术要解决的问题用上述那样的晶片加工用胶带进行半导体晶片的加工的情况下，一般是在半导体晶片的周围配置有晶片环，将晶片加工用胶带贴在晶片环上。这时，晶片加工用胶带和晶片环之间的剥离强度不足的话，在切割工序、芯片焊接工序等各工序中，晶片加工用胶带可能无法从晶片环剥离，从而给工序的实施带来了障碍。本技术正是为解决上述课题而作出的，本技术的目的在于提供一种可以提高与晶片环间的剥离强度的晶片加工用胶带、晶片加工用胶带的制造方法以及使用了该胶带的半导体装置的制造方法。解决问题的手段为了解决上述课题，本技术所涉及的晶片加工用胶带，其是在半导体晶片加工时粘贴在晶片环上使用的被卷成卷状的晶片加工用胶带，其特征在于，具有成为胶带的基部的剥离基材；与半导体晶片的平面形状相对应地设置在剥离基材的一面侧的粘结剂层；设置为覆盖粘结剂层的粘着剂层；和设置为覆盖粘着剂层的基材膜，粘着剂层和基材膜向粘结剂层的外侧延伸的区域为将晶片加工用胶带粘贴到所述晶片环上用的粘贴区域，在所述粘贴区域，以从基材膜侧到达剥离基材的深度形成有俯视时朝向粘结剂层的中心侧的凸状的切口部。在该晶片加工用胶带中，与向晶片环粘贴的粘贴区域相对应地，以从基材膜侧到达至剥离基材的深度形成俯视时朝向粘结剂层的中心侧的凸状的切口部。通过切口部的形成，剥离力作用于粘贴于晶片环的晶片加工用胶带时，粘着剂层以及基材膜的位于切口部外侧的部分先剥離，切口部内侧的部分以呈凸状的状态残留在晶片环上。剥离力进一步地作用的话，外侧部分被拉伸，内侧部分即将要被剥离，但是由于剥离的面积增加的同时拉伸的作用点位于内侧部分的更内部，所以内侧部分的剥离需要更大的剥离力。因此，该晶片加工用胶带可以提高晶片加工用胶带和晶片环之间的剥离强度。又，切口部优选为沿粘贴区域排列有多个。这时，可以进一步提高晶片加工用胶带和晶片环之间的剥离强度。又，切口部优选为还具有俯视时朝向粘结剂层的外侧的凸状的部分。这时，例如切割时的冷却水等产生剥离力的液体可以从上述凸状的部分释放到晶片加工用胶带的外部。因此，可以更加确保晶片加工用胶带和晶片环之间的剥离强度。又，切口部优选为不贯通剥离基材。这时，当使用晶片加工用胶带的时候，由于在将剥离基体材料剥离时，切口部不起作用，因此剥离基材的剥离变得容易。又，剥离基体材料的厚度为a，切口部的深度为d时，优选为满足0 < d/a彡0. 7。通过满足该条件，切口部的作用可以充分地发挥。技术效果根据本技术，可以提高与晶片环之间的剥离强度。又，也可以确保半导体装置的制造成品率。附图说明图I是示出本技术所涉及的晶片加工用胶带的一实施形态的平面图。图2是图I中的II-II线截面图。图3是向晶片环安装晶片加工用胶带的安装方法的示意图。图4是向晶片环安装晶片加工用胶带的安装状态的示意图。图5是半导体晶片的切割工序的示意图。图6是示出切口部的作用的立体图。图7是变形例所涉及的晶片加工用胶带的俯视图。图8是其他变形例所涉及的晶片加工用胶带的俯视图。图9是另一其他变形例所涉及的晶片加工用胶带的俯视图。图10是另一其他变形例所涉及的晶片加工用胶带的俯视图。图11是另一其他变形例所涉及的晶片加工用胶带的俯视图。图12是另一其他变形例所涉及的晶片加工用胶带的俯视图。图13是另一其他变形例所涉及的晶片加工用胶带的俯视图。 图14是另一其他变形例所涉及的晶片加工用胶带的俯视图。图15是另一其他变形例所涉及的晶片加工用胶带的俯视图。图16是另一其他变形例所涉及的晶片加工用胶带的俯视图。符号说明1，21，31，41，51，61，71，81，91，101，111晶片加工用胶带、2剥离基材、3吣粘结剂层、4 …粘着剂层、5 …基材膜、11，32，42，52，62，72，92，102，112 …切口部、92a，102a, 112a …凸状的部分(朝内)、92b，102b, 112b…凸的部分(朝外)、13…半导体晶片、14…晶片环、15…切割刀片、16…冷却水、17…粘着膜、18…粘结膜、P…粘贴区域。具体实施方式以下，同时参照附图，对本技术涉及的晶片加工用胶带、晶片加工用胶带的制造方法以及使用该胶带的半导体装置的制造方法的较佳实施形态进行详细地说明。[晶片加工用胶带的构成]图I是示出本技术所涉及的晶片加工用胶带的一实施形态的平面图。又，图 2是图I中的II-II线截面图。图I以及图2中所示的晶片加工用胶带I例如是在半导体晶片的切割以及通过切割得到的半导体芯片的贴片中所使用的长条状的胶带，通常是被卷成卷状的状态。如同图所示，晶片加工用胶带I被预切加工，晶片加工用胶带I具有形成胶带的基部的剥离基材2、与半导体晶片的形状对应地在剥离基材2的一表面侧以规定的间隔设置为圆形的粘结剂层3、为覆盖粘结剂层3而设置为圆形的粘着剂层4和为覆盖粘着剂层4而设置为与粘着剂层4相同的形状的基材膜5。在剥离基材2的宽度方向的两边缘部设置有堤坝部6、6，该堤坝部6、6与圆形的粘着剂层4以及基材膜5相距规定的间隔地配置。该堤坝部6、6在粘着剂层4以及基材膜5的预切时形成。又，剥离基材2以及粘结剂层3由后述的粘结膜18所形成，基材膜5以及粘着剂层4由后述的粘着膜17所形成。粘着剂层4以及基材膜5的边缘部的超出于粘结剂层3的外侧的区域为向晶片环粘贴的粘贴区域P。在该粘贴区域P中，环状排列有多个切口部11，该切口部11以从基材膜5侧到达剥离基材2的深度形成。如图I所示，切口部11在俯视时呈半圆状或者舌片状，且以粘结剂层3的中心侧为凸的这样朝向形成。设剥离基材2的厚度为a、切口部的深度为d时，切口部11的深度满足0 < d/a < 0. 7，且切口部11的深度为不贯通剥离基材2的深度。又，切口部11的排列数量没有被特别地限定，例如优选为以2° 3°的间隔排列。[半导体装置的制作]使用以上那样的晶片加工用胶带I制造半导体装置的情况下，首先，如图3(a)所示，从晶片加工用胶带I将剥离基材2剥离，得到膜层叠体12。接着，如图3(b)所示，通过由于剥离基材2的剥离而露出的粘结剂层3，将膜层叠体12固定在半导体晶片13的一表面侦U。又，如图3(b)以及图4所示，在膜层叠体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2010.10.15 JP 2010-232726;2011.02.25 US 61/446,9871.一种晶片加工用胶带，其是在半导体晶片加工时粘贴在晶片环上使用的被卷成卷状的晶片加工用胶带，其特征在于，具有 成为胶带的基部的剥离基材； 与所述半导体晶片的平面形状相对应地设置在所述剥离基材的一面侧的粘结剂层； 设置为覆盖所述粘结剂层的粘着剂层；和 设置为覆盖所述粘着剂层的基材膜， 所述粘着剂层和所述基材膜向所述粘结剂层的外侧延伸的区域为将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷口纮平，松崎隆行，加藤慎也，小森田康二，增野道夫，作田竜弥，加藤理绘，
申请(专利权)人：日立化成工业株式会社，
类型：实用新型
国别省市：