用于衬底圆片的单面湿处理的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于对衬底圆片进行湿处理的装置，该装置具有多个池，各池分别具有用于引入工艺液体的至少一个第一入口和平坦的水平定向的上边缘。设置用于运输衬底圆片经过沿该运输单元的运输方向相继设置的至少两个池的运输单元，其中运输单元具有多个位于池之外的衬底运送元件，这些衬底运送元件从下面与待运送的衬底接触并运送衬底。此外还涉及一种用于对衬底圆片进行湿处理的方法，在该方法中，衬底圆片经由运输单元沿运输方向经过沿运输方向相继设置的至少两个池运输。在运输过程中，衬底圆片置于至少两个衬底运送元件上面，这些运送元件设置在池外面并从下面与衬底圆片接触，其中工艺液体分别如此引入池中，以使工艺液体至少局部地越过池的上边缘，并且其中衬底圆片被如此运输，以使工艺液体与衬底圆片的底面接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于衬底圆片，特别是用于半导体和/或光伏工业的半导体圆片的湿处理的装置和方法。
技术介绍
在制造例如储存芯片、微处理器的电子部件时但也在光伏工业(Photovoltaik)或平面显示器领域中，用于制造终端产品的不同制造步骤是必要的。在此，例如在制造产品时将用于构成电子部件的不同层放置到对应的衬底圆片上。这时，对衬底圆片进行湿处理总是必要的。在此有必要有针对性地仅使衬底圆片的一面和如必要使衬底圆片的侧边暴露于工艺液体。相应湿处理的常见例子是蚀刻处理，在蚀刻处理时仅衬底圆片的一面经受蚀刻液体。 例如在EP 1733418A1中描述了能对衬底圆片进行单面湿处理的装置和方法。特别是，在该出版物中描述了这样一种装置和方法，即，设置在工艺液体中的运输辊子上的晶片越过工艺液体运输。蚀刻液体被认为是一种可能的工艺液体。通过晶片起初的翻转运动，该晶片应浸入工艺液体中并随后又被抬高。抬高后，在充分利用工艺液体的表面张力的情况下，在液体表面和晶片的晶片底面之间形成弯月面(Meniskus)。由此，在后续运输晶片经过工艺液体时，实现晶片底面的完全湿润，而没有工艺液体到达晶片的顶面。在此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于对衬底圆片(3)进行湿处理的装置(1)，所述装置具有如下部分：多个池(5)，所述池分别具有用于引入工艺液体的至少一个第一入口(11)和平坦的水平方向的上边缘；以及运输单元(7)，所述运输单元用于运输所述衬底圆片(3)经过沿所述运输单元(7)的运输方向(A)相继设置的至少两个所述池(5)，其中所述运输单元(7)具有多个位于所述池(5)之外的衬底运送元件(22)，所述衬底运送元件从下面与待运送的衬底(3)接触并运送所述衬底。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M·米歇尔，M·卡格勒，G·阿特斯，
申请(专利权)人：商先创光伏股份有限公司，
类型：发明
国别省市：