一种零层对准标记的补刻蚀方法技术

本发明专利技术涉及硅片刻蚀工艺，尤其涉及一种零层对准标记的补刻蚀方法。本发明专利技术一种零层对准标记的补刻蚀方法通过化学干法刻蚀机台硅对氧化硅的刻蚀速率选择比很高的特点，进行零层对准标记的补刻蚀工作，使补刻蚀能够在光刻胶去除之后正常进行，从而提高了补刻蚀的成功率，降低硅片的报废率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片刻蚀工艺，尤其涉及。
技术介绍
零层对准标记刻蚀是芯片制造工艺流程中的第一步，如图Ia-Id为零层对准标记刻蚀的流程示意图，如图Ia所示，在一衬底硅片11上沉积一层刻蚀阻挡层12，刻蚀阻挡层12可选用氧化硅，涂布光刻胶13覆盖刻蚀阻挡层12的上表面；如图Ib所示，显影后，去除部分光刻胶13至刻蚀阻挡层12的上表面，于剩余光刻胶13中形成沟槽14 ;如图Ic所示，再以刻蚀阻挡层12为掩膜，沿沟槽14继续刻蚀衬底硅片11至一定深度；如图Id所示，利用灰化和化学清洗方法去除剩余的刻蚀阻挡层12上剩余的光刻胶13。用上述步骤在衬底硅片上刻出按一定图形排列的一定深度的沟槽，用于后续各层光刻胶显影时的对准，零层对准标记刻蚀工艺广泛用于O. 13um以上技术节点的芯片制造，其技术特点是刻蚀沟槽线·宽大(Ι-lOum)，深度较深(1500-5500A),图形透光率小(〈O. 1%)。一般情况下，零层对准标记刻蚀使用电感耦合等离子体(ICP =InductivelyCoupled Plasma)的刻蚀机台，如Lam的TCP9400,刻蚀时间采用定时控制,完成刻蚀后,再进行光刻胶的去本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种零层对准标记的补刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：灰化去除沉积在一衬底硅片上的刻蚀阻挡层上涂布的光刻胶；S2：利用化学清洗方法去除所述剩余的光刻胶；S3:？利用原子力显微镜量测在所述刻蚀阻挡层和所述衬底硅片上刻蚀形成的沟槽已刻蚀的深度；？S4：将所述刻蚀阻挡层和所述衬底硅片上刻蚀形成的所述沟槽规定需达到的深度减去量测出的所述刻蚀阻挡层和所述衬底硅片上刻蚀形成的所述沟槽已刻蚀的深度，再除以化学干法刻蚀机台的硅刻蚀速率得出达到规定的所述沟槽深度剩余的刻蚀时间；S5：以所述刻蚀阻挡层为掩膜，利用所述化学干法刻蚀机台对所述刻蚀阻挡层和所述衬底硅片上刻蚀形成的所述沟槽进行补刻蚀，所述补刻蚀的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨渝书，李程，陈玉文，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：