【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种图形化衬底的制备方法，特别是涉及一种。
技术介绍
随着半导体器件尺寸的缩小，传统的体硅材料正接近其物理极限，Ge以及III-V族材料由于其高迁移率而受到广泛关注.但是Ge以及III-V族的体材料价格昂贵，尺寸较小，且不能与硅基工艺兼容。在硅基上外延时，由于锗以及III-V族材料与硅材料的晶格常数或热膨胀系数的不匹配，外延制备的锗以及πι-v族材料缺陷密度较高，外延厚度厚，导致高成本的情况下得到了低的器件性能。 为了抑制位错的产生及滑移，得到低位错密度、高晶体质量的外延层，人们提出和发展一系列的图形化衬底技术。这种技术的主要思想是通过各种手段在衬底表面预制图形，有意识地改变外延层表面演化的动力学路径。从图形上来分，目前这种图形化衬底技术主要包括两类一是几何图形化，也就也就是使衬底表面具有几何周期性结构来影响和控制量子点的生长。衬底表面的这种几何图形一般可以是晶体生长过程中形成的周期性台阶结构，也可以通过传统的光刻或选择性沉积生长得到。试验表明把衬底表面预制成合适的几何图形，可在一定程度上改善量子点的均匀性和密度。例如G. Jin等在文献(Cont...
【技术保护点】
一种硅基纳米阵列图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1）提供一硅衬底，在所述硅衬底上沉积一层金属薄膜；2）将所述步骤1）中形成的结构放入HF溶液中进行化学催化腐蚀以形成硅纳米点阵；3）将所述步骤2）中形成的结构放入腐蚀溶液中一定时间以去除附着在该纳米点阵上的金属颗粒；4)利用热氧化工艺对所述硅纳米点阵以及硅纳米点阵所在的硅衬底表面进行氧化，以形成氧化硅纳米点阵、或者被氧化硅层包裹的硅纳米点阵；5）将所述步骤4）中形成的结构放入HF腐蚀溶液中一定时间对热氧化生成的氧化硅进行腐蚀，以形成硅基纳米阵列图形化衬底。
【技术特征摘要】
1.一种硅基纳米阵列图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括 1)提供一娃衬底，在所述娃衬底上沉积一层金属薄膜； 2)将所述步骤I)中形成的结构放入HF溶液中进行化学催化腐蚀以形成硅纳米点阵； 3)将所述步骤2)中形成的结构放入腐蚀溶液中一定时间以去除附着在该纳米点阵上的金属颗粒； 4)利用热氧化工艺对所述硅纳米点阵以及硅纳米点阵所在的硅衬底表面进行氧化，以形成氧化硅纳米点阵、或者被氧化硅层包裹的硅纳米点阵； 5)将所述步骤4)中形成的结构放入HF腐蚀溶液中一定时间对热氧化生成的氧化硅进行腐蚀，以形成硅基纳米阵列图形化衬底。2.根据权利要求I所述的硅基纳米阵列图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述步 骤I)还包括 1-1)提供一娃衬底，在所述娃衬底上沉积一层金属薄膜； 1-2)在真空、氮气气氛、或氩气气氛下，且在200°C 500°C温度下退火，以在所述硅衬底表面形成均匀分布的金属纳米颗粒阵列。3.根据权利要求I所述的硅基纳米阵列图形化衬底的制备方法，其特征在于所述步骤I)中金属薄膜的材质为银、金或钼。4.根据权利要求3所述的硅基纳米阵列图形化衬底的制备方法，其特征在于所述步骤I)中金属薄膜的材质为银时，所述步骤3)中采用的腐蚀溶液为浓硝酸；所述步骤I)金属薄膜的材质为金...
【专利技术属性】
技术研发人员：张苗，母志强，薛忠营，陈达，狄增峰，王曦，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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