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本发明涉及硅片刻蚀工艺，尤其涉及一种零层对准标记的补刻蚀方法。本发明一种零层对准标记的补刻蚀方法通过化学干法刻蚀机台硅对氧化硅的刻蚀速率选择比很高的特点，进行零层对准标记的补刻蚀工作，使补刻蚀能够在光刻胶去除之后正常进行，从而提高了补刻蚀的...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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