一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法技术

本发明专利技术提供一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基器件表面淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶，并对待腐蚀区域进行光刻；刻蚀待腐蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理后的氮化镓基器件置于腐蚀性溶液中进行腐蚀。本发明专利技术可制得槽底平整、台阶边缘光滑的腐蚀槽，并能有效减少对器件造成的损伤，适用于氮化镓基器件的隔离工艺以及其它腐蚀工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子
，涉及半导体器件的刻蚀技术，具体涉及ー种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法。
技术介绍
以AlGaN/GaN为材料基础的器件统 称为氮化镓基器件，例如AlGaN/GaN异质结场效应管(heterostructure field effect transistors, HFET),异质结双极晶体管(heterostructure bipolar transistor, HBT)等。氮化镓基器件具有工作温度高、击穿场強大、截止频率高、功率密度大等优点，是未来微波大功率领域的首选，更成为近十多年来微波功率器件领域的研究重点。不同于传统Si器件系统，GaN基材料的化学和物理性质都非常稳定，以至于当前其刻蚀エ艺主要是以离子刻蚀为主的干法刻蚀エ艺，但这种エ艺会不可避免地给GaN基器件造成损伤，使器件性能下降。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供，可制得槽底平整、台阶边缘光滑的腐蚀槽，井能有效减少对器件造成的损伤。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案，其步骤包括I)在氮化镓基器件表面淀积保护层2)在所述保护层上涂敷光刻胶，井光刻腐蚀图形；3)刻蚀待腐蚀区域的保护层；4)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其步骤包括：1）在氮化镓基器件表面淀积保护层：2）在所述保护层上涂敷光刻胶，并光刻腐蚀图形；3）刻蚀待腐蚀区域的保护层；4）去除剩余光刻胶；5）对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化处理；6）将氧化处理后的氮化镓基器件置于腐蚀性溶液中进行腐蚀。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡金宝，王金延，刘洋，徐哲，王茂俊，于民，解冰，吴文刚，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：