【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术总体上涉及一种肖特基二极管，所述肖特基二极管具有衬底、在所述衬底上所提供的漂移层和在所述漂移层的有源区域上所提供的肖特基层。选择用于所述肖特基层的金属以及用于所述漂移层的半导体材料，用以在所述漂移层和所述肖特基层之间提供低位垒高度肖特基结。【专利说明】肖特基二极管对相关申请的交叉引用本申请与同此同时提交的题为 “EDGE TERMINATION STRUCTURE EMPLOYING RECESSESFOR EDGE TERMINATION ELEMENTS”的美国实用专利申请号_相关；并且与同此同时提交的题为 “SCHOTTKY DIODE EMPLOYING RECESSES FOR ELEMENTS OF JUNCTION BARRIERARRAY”的美国实用专利申请号_相关，其公开通过引用整体被结合于此。
本公开涉及半导体器件。
技术介绍
肖特基二极管利用金属半导体结，其提供肖特基位垒并且在金属层和掺杂半导体层之间被产生。对于具有N型半导体层的肖特基二极管，金属层充当阳极，并且N型半导体层充当阴极。通常，肖特基二极管通过容易地...
【技术保护点】
一种肖特基二极管，包括：漂移层，其具有与有源区域和同所述有源区域基本上横向相邻的边缘终端区域相关联的第一表面，其中所述漂移层主要地掺杂有第一导电类型的掺杂材料，并且所述边缘终端区域具有从所述第一表面延伸到所述漂移层中的边缘终端凹进；在所述第一表面的有源区域上的用以形成肖特基结的肖特基层，所述肖特基层由有低位垒高度能力的金属形成；在边缘终端凹进的底表面中所形成的边缘终端结构。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：JP亨宁，Q张，SH刘，AK阿加瓦尔，JW帕尔摩尔，S艾伦，
申请(专利权)人：科锐，
类型：发明
国别省市：美国;US
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