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本实用新型公开了一种低温升高气密性肖特基二极管的结构；该肖特基二极管具有缓冲层与漂移层双层外延结构，在同等面积下较传统肖特基二极管具有低的正向饱和压降低温升的优势，同时在终端引入钝化层，较传统肖特基二极管相比封装后气密性更好，提升了肖特基二...
该专利属于上海芯石微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯石微电子有限公司授权不得商用。

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