一种槽栅型肖特基二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种槽栅型肖特基二极管，包括阴极触针、阳极触针和温度传感器，所述阴极触针设置在阴极金属的下方，所述阴极金属的上方设置有N+阴极层，所述冷却套外部靠近N+阴极层的右侧位置处设置有排水口，所述N型基片的上方设置有N‑外延层，所述N‑外延层的内部设置有P型外延，所述P型外延的内部设置有槽栅。在槽删型肖特基二极管的外部设置了保护套，保护套内部充满冷却水，可以对二级管进行降温，防止二极管温度升高导致反向漏电流值升高，避免了热失控现象，在保护套内部设置了温度传感器，可以随时检测到保护套内部的水温，在冷却水温度升高后，可以通过进水口和出水口对保护套内部的冷却水进行更换，使用起来十分方便。

【技术实现步骤摘要】
一种槽栅型肖特基二极管
本技术属于半导体器件
，具体涉及一种槽栅型肖特基二极管。
技术介绍
肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。现有的市场上的槽删型二极管在使用过程中存在一些缺陷，例如二极管上没有设置降温装置，容易产生热失控现象，导致温度升高而引起反向漏电流值急剧升高，没有设置温度传感器，不能检测到温度。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种槽栅型肖特基二极管，以解决上述
技术介绍
中提出的二极管上没有设置降温装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种槽栅型肖特基二极管，包括阴极触针（6）、阳极触针（12）和温度传感器（15），其特征在于：所述阴极触针（6）设置在阴极金属（7）的下方，所述阴极金属（7）的上方设置有N+阴极层（5），且所述N+阴极层（5）的上方设置有N型基片（3），且N+阴极层（5）的外部包裹有冷却套（8），所述冷却套（8）外部靠近N+阴极层（5）的右侧位置处设置有排水口（4），所述N型基片（3）的上方设置有N‑外延层（2），所述N‑外延层（2）的内部设置有P型外延（1），所述P型外延（1）的内部设置有槽栅（10），所述N‑外延层（2）的上方设置有阳极金属（11），所述阳极金属（11）的右侧设置有二氧化硅基片（14），所...

【技术特征摘要】
1.一种槽栅型肖特基二极管，包括阴极触针（6）、阳极触针（12）和温度传感器（15），其特征在于：所述阴极触针（6）设置在阴极金属（7）的下方，所述阴极金属（7）的上方设置有N+阴极层（5），且所述N+阴极层（5）的上方设置有N型基片（3），且N+阴极层（5）的外部包裹有冷却套（8），所述冷却套（8）外部靠近N+阴极层（5）的右侧位置处设置有排水口（4），所述N型基片（3）的上方设置有N-外延层（2），所述N-外延层（2）的内部设置有P型外延（1），所述P型外延（1）的内部设置有槽栅（10），所述N-外延层（2）的上方设置有阳极金属（11），所述阳极金属（11）的右侧设置有二氧化硅基片（14），所述二氧化硅基片（14）的上方设置有保护环（13），所述冷却套（8）外部靠近二氧化硅基片（14）的左侧位置处设置有进水口（9），所述阳极触针（...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锰，
申请(专利权)人：上海芯石微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31