渐变In组分InGaN子量子阱的RTD二极管及工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种渐变In含量InGaN子量子阱的RTD二极管。包括：GaN外延层、n十GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层、GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、渐变In组分的InGaN子量子阱、第二GaN隔离层、n十GaN发射极欧姆接触层、圆形电极依次从下至上分布在衬底上方，位于n十GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一GaN隔离层接触的环形电极，位于n十GaN集电极欧姆接触层上方的AlN钝化层。本发明专利技术在RTD中引入渐变In组分InGaN子量子阱和AlN材料钝化层，增大峰值电流，提高输出功率，减小器件功耗。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种渐变In含量InGaN子量子阱的RTD二极管。包括：GaN外延层、n十GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层、GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、渐变In组分的InGaN子量子阱、第二GaN隔离层、n十GaN发射极欧姆接触层、圆形电极依次从下至上分布在衬底上方，位于n十GaN集电极欧姆接触层上方且不与第一GaN隔离层接触的环形电极，位于n十GaN集电极欧姆接触层上方的AlN钝化层。本专利技术在RTD中引入渐变In组分InGaN子量子阱和AlN材料钝化层，增大峰值电流，提高输出功率，减小器件功耗。【专利说明】渐变I η组分I nGaN子量子阱的RTD二极管及工艺
本专利技术属于电子
，更进一步涉及微电子器件
中的一种渐变铟In组分铟镓氮I nGaN子量子讲的宽带隙半导体GaN材料的共振隧穿二极管(ResonantTunneling D1de，RTD)。本专利技术可以作为高频、大功率器件，应用在微波和高速数字电路领域。
技术介绍
共振隧穿二极管(RTD)是一种靠量子共振隧穿效应工作的新型纳米器件，具有双稳态、自锁本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种渐变In组分InGaN子量子阱的RTD二极管，包括：位于衬底(1)上方的GaN外延层(2)，位于GaN外延层(2)上方位置的n十GaN集电极欧姆接触层(3)，位于n十GaN集电极欧姆接触层(3)上方中央位置的第一GaN隔离层(4)，第一InAlN势垒层(5)、GaN主量子阱层(6)、第二InAlN势垒层(7)、第二GaN隔离层(9)、n十GaN发射极欧姆接触层(10)、圆形电极(12)依次从下至上竖直分布在第一GaN隔离层(4)上方，位于n十GaN集电极欧姆接触层(3)上方且不与第一GaN隔离层(4)接触的环形电极(11)；其特征在于：渐变In组分的InGaN子量子阱(8)位于第二InAl...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张进成，黄金金，于婷，陆芹，郝跃，薛军帅，杨林安，林志宇，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61