【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种采用CSD工艺制备肖特基二极管P+型扩散保护环的方法，步骤包括旋转涂覆：在通过刻蚀制作好保护环P+沟槽后的晶圆上，使用旋转涂覆法使晶圆上覆盖一层带有硼掺杂剂的B30液态源并烘干，涂覆厚度在3000～6000埃；预扩散在氮气气氛高温炉中预扩散，温度900～1100摄氏度，时间30～120分钟；清洗氢氟酸溶液清洗，将晶圆表面的氧化层和残余有机物漂净；再扩散在氮气气氛的900～1100摄氏度的高温炉中，加热30～120分钟推进；降温至700～900摄氏度，在氧气和氢气氛围下反应150～200分钟，在P+保护环沟槽的晶圆表面形成氧化层。CSD工艺生产成本低，产能高，提高了产品竞争性。【专利说明】一种采用CSD工艺制备肖特基二极管P+型扩散保护环的方 法
本专利技术涉及半导体功率器件制造领域，特别是涉及一种肖特基整流二极管的扩散 保护环的制造方法。
技术介绍
随着现代功率控制电路对节能的要求的不断提高，电路中整流作用的功率整流二 极管的开关性能的要求也不断提高，肖特基势皇二极管（Schottky Barrier Diodes)在低...
【技术保护点】
一种采用CSD工艺制备肖特基二极管P+型扩散保护环的方法，其特征在于步骤包括：1旋转涂覆：在通过刻蚀制作好保护环P+沟槽后的晶圆上，使用旋转涂覆法使晶圆上覆盖一层带有硼掺杂剂的B30液态源，并烘干，烘干后涂覆厚度在3000～6000埃；2预扩散：在氮气气氛的高温炉中进行预扩散，预扩散温度900～1100摄氏度，预扩散时间30～120分钟；3清洗：氢氟酸溶液清洗5～10分钟，将晶圆表面的氧化层和残余有机物漂净；4再扩散：在氮气气氛的900～1100摄氏度的高温炉中，加热30～120分钟进行进一步推进；然后降温至700～900摄氏度，在氧气和氢气氛围下进行湿氧反应150～200...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谭德喜，巨峰峰，姚伟明，付国振，杨勇，李怀辉，
申请(专利权)人：扬州国宇电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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