肖特基二极管工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种肖特基二极管工艺方法,包含:第1步，硅衬底上使用硬掩膜进行沟槽刻蚀；第2步，对硬掩膜进行回刻；第3步，沟槽侧壁氧化层淀积；4步，氧化层回刻，沟槽底部注入形成P阱并退火；第5步，沟槽内Ti/TiN淀积、钨淀积，以及回刻；第6步，层间介质淀积；第7步，接触金属的淀积、光刻及回刻；第8步，Ti/TiN溅射、铝/铜溅射，再进行光刻及刻蚀。本发明专利技术增加硬掩膜的湿法刻蚀，沟槽内金属钨在硅衬底表面水平突出，在接触金属刻蚀时对沟槽内氧化层起保护作用，防止沟槽内氧化层过刻蚀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是指一种肖特基二极管的工艺方法。
技术介绍
肖特基二极管（SBD :SchottkyBarrierDiode)，一种常用的电子元器件，它不是利 用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的 金属一半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属一半导体（接触）二极管或表面势皇 二极管，它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是以贵金属（如金、银、铝、铂等）A为正 极，以N型半导体B为负极，如图1所示，利用二者接触面上形成的势皇具有整流特性而制 成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自 由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就 不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低， 表面电中性被破坏，于是就形成势皇，其电场方向为B - A。但在该电场作用之下，A中的电 子也会产生从A - B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定 宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种肖特基二极管工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：第1步，硅衬底上使用硬掩膜进行沟槽刻蚀；第2步，对硬掩膜进行回刻；第3步，沟槽侧壁氧化层淀积；第4步，氧化层回刻，沟槽底部注入形成P阱并退火；第5步，沟槽内Ti/TiN淀积、钨淀积，以及回刻；第6步，层间介质淀积；第7步，接触金属的淀积、光刻及回刻；第8步，Ti/TiN溅射、铝/铜溅射，再进行光刻及刻蚀。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丛茂杰，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31