一种晶体二极管的制造工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种晶体二极管的制造工艺，包括以下步骤：S1、晶片切割；S2、晶片装配：将晶片引线置于引线轨道上，将每块晶片依次抓取放在晶片引线内，将晶片引线通过分段机分割成216～360粒产品的晶片引线段，并依次装在引线盒内；S3、焊线：将装有晶片引线段的引线盒移至焊线机工作台上，调节焊线机的功率为30～50mW，压力为250～350mN，温度为240～320℃，将引线盒内的每一块晶片引线段放在焊线机上进行焊线，得到有引脚的晶片；S4、注塑；S5、电镀；S6、分离；S7、测试；S8、上带：将测试合格的晶体二极管用装带机构装载于条带状的载带上，并通过进行塑封，得到产品。本发明专利技术的优点在于：制造过程中转运方便、提高产品质量和便于分类运输或储存。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二极管的生产
，特别是一种晶体二极管的制造工艺。
技术介绍
在电子产业界，二极管已成为各种电子产品的基本元件，传统的二极管两端各有一根引脚，使用时需要将二极管的引脚插入电路板上设置的孔中，使二极管能固定于电路板上。然而，目前全世界电子产品如电话、电视机、传真机、电脑及其周边产品皆以清包短小为研究开发目标，其电路板技术多使用双层或多层电路板技术，但双层或多层电路板技术无法像传统的单层电路板上打洞，所以要求二极管体积尽量小。随着二极管的体积逐步减小，其加工难度也越来越大，使得其生产成本也大幅提高，而且在生产过程中，由于其体积小，在不同工段之间的转运相当困难，若要对每个二极管部件进行分类然后组装，需要耗费大量的人力物力。对于成品来讲，其体积较小，运输和储存都存在较大不便。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种制造过程中转运方便、提高产品质量和便于分类运输或储存的晶体二极管的制造工艺。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现：一种晶体二极管的制造工艺，包括以下步骤：S1、晶片切割：将载有晶片的晶片原料盘通过专用切割设备进行切割，使得每个晶片呈正方形，且直径在0.21～1.0mm之间；S2、晶片装配：将晶片引线置于引线轨道上，通过机械手将晶片原料盘上的每块晶片依次抓取放在晶片引线内，将晶片引线通过分段机分割成216～360粒产品的晶片引线段，并依次装在引线盒内；S3、焊线：将装有晶片引线段的引线盒移至焊线机工作台上，调节焊线机的功率为30～50mW，压力为250～350mN，温度为240～320℃，将引线盒内的每一块晶片引线段放在焊线机上进行焊线，得到有引脚的晶片；S4、注塑：将步骤S3中焊线完成后的带引脚的晶片通过注塑机用环氧塑封料包封起来；S5、电镀：在晶片上的引脚上镀一层锡，厚度为10～15μm；S6、分离：将步骤S5电镀后的带有引脚的晶片从晶片引线段上分离，收纳于盒内；S7、测试：对每个引脚进行测试，剔除出不符合电性能测试要求的晶体二极管；S8、上带：将测试合格的晶体二极管用装带机构装载于条带状的载带上，并通过进行塑封，得到产品。所述的步骤S5后还包括一个刻字打标的步骤，在晶片表面通过刻字机和打标机分别进行刻字、打标。所述的步骤S1中采用的专用切割设备为金刚石锯或线锯。本专利技术具有以下优点：1、根据实际所生产的产品晶片尺寸采用金刚石锯或线锯进行切割。金刚石锯可得到比要求尺寸厚一些的晶片，金刚石锯也有助于减少对晶圆片的损伤、厚度不均、弯曲以及翘曲缺陷；线锯技术的进步缩小了硅片厚度并降低了切割过程中的材料损耗，提高了生产力，并通过更薄的硅片减少了硅材料的消耗。2、将晶片引线段进行切割后转运，操作简单方便，而且有助于后期的焊线、注塑、电镀等工艺过程的顺利实施。3、在焊线时，对功率、压力和温度进行严格控制，使得产品的稳定性更高，产品质量更好。4、在引脚上镀一层锡，使得引脚具有良好的可焊性，提高用户的使用体验效果。5、将晶体二极管装载于载带上，并进行塑封处理，避免在运输过程中相互之间的摩擦导致其受损，而且装箱规整，便于分类储存，尤其是对微型结构的晶体二极管显得尤为突出。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术做进一步的描述，但本专利技术的保护范围不局限于以下所述。【实施例1】：一种晶体二极管的制造工艺，包括以下步骤：S1、晶片切割：将载有晶片的晶片原料盘通过专用切割设备进行切割，使得每个晶片呈正方形，且直径为0.21mm；S2、晶片装配：将晶片引线置于引线轨道上，通过机械手将晶片原料盘上的每块晶片依次抓取放在晶片引线内，将晶片引线通过分段机分割成360粒产品的晶片引线段，并依次装在引线盒内；S3、焊线：将装有晶片引线段的引线盒移至焊线机工作台上，调节焊线机的功率为30mW，压力为250mN，温度为240℃，将引线盒内的每一块晶片引线段放在焊线机上进行焊线，得到有引脚的晶片；S4、注塑：将步骤S3中焊线完成后的带引脚的晶片通过注塑机用环氧塑封料包封起来；S5、电镀：在晶片上的引脚上镀一层锡，厚度为10μm；S6、分离：将步骤S5电镀后的带有引脚的晶片从晶片引线段上分离，收纳于盒内；S7、测试：对每个引脚进行测试，剔除出不符合电性能测试要求的晶体二极管；S8、上带：将测试合格的晶体二极管用装带机构装载于条带状的载带上，并通过进行塑封，得到产品。所述的步骤S5后还包括一个刻字打标的步骤，在晶片表面通过刻字机和打标机分别进行刻字、打标。所述的步骤S1中采用的专用切割设备为金刚石锯或线锯。【实施例2】：一种晶体二极管的制造工艺，包括以下步骤：S1、晶片切割：将载有晶片的晶片原料盘通过专用切割设备进行切割，使得每个晶片呈正方形，且直径为0.6mm；S2、晶片装配：将晶片引线置于引线轨道上，通过机械手将晶片原料盘上的每块晶片依次抓取放在晶片引线内，将晶片引线通过分段机分割成288粒产品的晶片引线段，并依次装在引线盒内；S3、焊线：将装有晶片引线段的引线盒移至焊线机工作台上，调节焊线机的功率为40mW，压力为300mN，温度为280℃，将引线盒内的每一块晶片引线段放在焊线机上进行焊线，得到有引脚的晶片；S4、注塑：将步骤S3中焊线完成后的带引脚的晶片通过注塑机用环氧塑封料包封起来；S5、电镀：在晶片上的引脚上镀一层锡，厚度为13μm；S6、分离：将步骤S5电镀后的带有引脚的晶片从晶片引线段上分离，收纳于盒内；S7、测试：对每个引脚进行测试，剔除出不符合电性能测试要求的晶体二极管；S8、上带：将测试合格的晶体二极管用装带机构装载于条带状的载带上，并通过进行塑封，得到产品。所述的步骤S5后还包括一个刻字打标的步骤，在晶片表面通过刻字机和打标机分别进行刻字、打标。所述的步骤S1中采用的专用切割设备为金刚石锯或线锯。【实施例3】：一种晶体二极管的制造工艺，包括以下步骤：S1、晶片切割：将载有晶片的晶片原料盘通过专用切割设备进行切割，使得每个晶片呈正方形，且直径为1.0mm；S2、晶片装配：将晶片引线置于引线轨道上，通过机械手将晶片原料盘上的每块晶片依次抓取放在晶片引线内，将晶片引线通过分段机分割成216粒产品的晶片引线段，并依次装在引线盒内；S3、焊线：将装有晶片引线段的引线盒移至焊线机工作台上，调节焊线机的功率为50mW，压力为350mN，温度为320℃，将引线盒内的每一块晶片引线段放在焊线机上进行焊线，得到有引脚的晶片；S4、注塑：将步骤S3中焊线完成后的带引脚的晶片通过注塑机用环氧塑封料包封起来；S5、电镀：在晶片上的引脚上镀一层锡，厚度为15μm；S6、分离：将步骤S5电镀后的带有引脚的晶片从晶片引线段上分离，收纳于盒内；S7、测试：对每个引本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体二极管的制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：S1、晶片切割：将载有晶片的晶片原料盘通过专用切割设备进行切割，使得每个晶片呈正方形，且直径在0.21～1.0mm之间；S2、晶片装配：将晶片引线置于引线轨道上，通过机械手将晶片原料盘上的每块晶片依次抓取放在晶片引线内，将晶片引线通过分段机分割成216～360粒产品的晶片引线段，并依次装在引线盒内；S3、焊线：将装有晶片引线段的引线盒移至焊线机工作台上，调节焊线机的功率为30～50mW，压力为250～350mN，温度为240～320℃，将引线盒内的每一块晶片引线段放在焊线机上进行焊线，得到有引脚的晶片；S4、注塑：将步骤S3中焊线完成后的带引脚的晶片通过注塑机用环氧塑封料包封起来；S5、电镀：在晶片上的引脚上镀一层锡，厚度为10～15μm；S6、分离：将步骤S5电镀后的带有引脚的晶片从晶片引线段上分离，收纳于盒内；S7、测试：对每个引脚进行测试，剔除出不符合电性能测试要求的晶体二极管；S8、上带：将测试合格的晶体二极管用装带机构装载于条带状的载带上，并通过进行塑封，得到产品。

【技术特征摘要】
1.一种晶体二极管的制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：
S1、晶片切割：将载有晶片的晶片原料盘通过专用切割设备进行切割，使得每个晶片呈正方形，且直径在0.21～1.0mm之间；
S2、晶片装配：将晶片引线置于引线轨道上，通过机械手将晶片原料盘上的每块晶片依次抓取放在晶片引线内，将晶片引线通过分段机分割成216～360粒产品的晶片引线段，并依次装在引线盒内；
S3、焊线：将装有晶片引线段的引线盒移至焊线机工作台上，调节焊线机的功率为30～50mW，压力为250～350mN，温度为240～320℃，将引线盒内的每一块晶片引线段放在焊线机上进行焊线，得到有引脚的晶片；
S4、注塑：将步骤S3中焊线完成后的带引脚的晶片通过注塑...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄职彬，
申请(专利权)人：四川蓝彩电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51