一种利用无电解电镀制作二极管晶体的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用无电解电镀制作二极管金属层的方法，该方法首先是提供一个二极管晶片／晶圆，之后在欲形成金属层的二极管晶片／晶圆区域形成一可作为无电解电镀还原金属湿式制程的触媒的金属底材，并搭配局限金属层形成位置的阻隔层的有无，以简单快速地形成所需的金属层。该方法可产生均匀性极高的金属层，操作简易，可于晶片／晶圆的正反两面同时沉积金属层，从而有效缩短制程时间，进而大幅度降低生产制造成本。另外，金属层的表面具有较大的粗糙度，可提供后续进行打线或焊接的附着力，进一步提高产品的品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种二极管结构内金属层部分的制作方法。
技术介绍
发光二极管(Light emitted diode)和激光二极管(Laser diode)是利用半导体材料中的电子和空穴结合时能量带(Energy Gap)位阶的改变，以发光方式来显示其所释放的能量。其具有体积小、寿命长、驱动电压低、耗电量少、反应速度快、耐电性佳等优点，为日常生活中各种应用设备中常见的元件。就目前的制造技术来看，对于发光二极管和激光二极管而言，皆是采用蒸镀或者溅镀方式沉积形成金属材质部分。但采用这种方式的话，将导致所欲沉积的金属材质除了沉积于欲镀物上外，还会沉积于真空腔体的腔壁上，不仅造成额外的金属靶材浪费，更造成腔室洁净度的污染，从而影响沉积形成的金属层的品质。且如果要进行所谓的双面处理时，必须破坏腔体的真空度，将晶圆或晶片翻面再次处理，使得整个制作过程的时间变得相当冗长。
技术实现思路
本专利技术的目的就在于针对现有技术存在的不足之处而提供，其可产生均匀性极高的金属层，操作简易，可于晶片/晶圆的正反两面同时沉积金属层，从而有效缩短制程时间，进而大幅度降低生产制造成本。为实现上述目的，本专利技术采用的第一种技术方案包括如下步骤提供一个二极管晶片/晶圆；于该二极管晶片/晶圆上形成数个图案化金属底材；以及对该二极管晶片/晶圆进行无电解电镀的还原金属湿式制程，以在该数个图案化金属底材上各沉积形成有一金属层。上述技术方案中的金属底材和金属层的材质皆为金、镍、铜、铂、钯、锌、锡、银、铬中的一种或几种；其中，金属底材的形成方式为蒸镀、电镀、溅镀或无电解电镀。上述的方法还包括在金属层上进行打线结合的步骤。上述的方法还包括在金属层上形成一导电黏着层，以进行覆晶封装的步骤。本专利技术的第二种技术方案包括如下步骤提供一个二极管晶片/晶圆；于该二极管晶片/晶圆上形成数个图案化的金属底材；于该二极管晶片/晶圆上形成一阻隔层；对该阻隔层进行图案化，以形成数个显露出该金属底材的开口；以及对该二极管晶片/晶圆进行无电解电镀的还原金属湿式制程，以在自该开口处显露出来的金属底材上沉积形成一金属层。上述技术方案中的金属底材和金属层的材质皆为金、镍、铜、铂、钯、锌、锡、银、铬中的一种或几种；其中，金属底材的形成方式为蒸镀、电镀、溅镀或无电解电镀。上述的方法还包括在完成金属层沉积后，移除该阻隔离层的步骤。上述的方法还包括金属层上进行打线结合的步骤。上述的方法还包括在金属层上形成一导电黏着层，以进行覆晶封装的步骤。本专利技术的有益效果在于这种利用无电解电镀制作二极管金属层的方法，其先于欲形成金属层的二极管晶片或者晶圆区域形成一可作为无电解电镀还原金属湿制程的触媒的金属底层，并搭配局限金属层形成位置的阻隔层的有无，以形成所需的金属层。另外，因为本专利技术所使用的原理乃是利用一种无电解电镀的还原金属湿式制程系统，配合一足以诱发还原金属(反应液中的添加金属物)的金属底材，产生触媒反应而沉积于金属底材上，以产生一均匀且厚度足够的金属层，因此能够于二极管晶体片或晶圆上进行两侧面同时金属层沉积，而不需传统方法的换面工序。本专利技术的制作方法可产生均匀性极高的金属层，操作较为简易，能够有效缩短制程时间，进而大幅度降低生产制造成本。此外，本专利技术所制得的金属层表面略较使用蒸镀或者溅镀所产生的金属层表面粗糙，可有效地提高打线或者焊接的附着力，提升产品品质可靠度，使得产品的市场竞争力更为显著。附图说明下面结合附图对本专利技术做进一步的说明附图1为本专利技术实施例之一的结构示意图附图2为附图1所示实施例的工艺流程图附图3为本专利技术实施例之二的结构示意图附图4为本专利技术实施例之三的结构示意图附图5为附图4所示实施例的工艺流程图附图6为本专利技术实施例之五的结构示意图附图7为本专利技术实施例之六的结构示意图附图8为附图7所示实施例的工艺流程图附图9为本专利技术实施例之七的结构示意图附图10为本专利技术实施例之八的结构示意图附图11为附图10所示实施例的工艺流程图附图12为本专利技术实施例之九的结构示意图附图13为附图12所示实施例的工艺流程图附图14为本专利技术实施例之十的结构示意图附图15为本专利技术实施例之十一的结构示意图附图16为本专利技术实施例之十二的结构示意图附图17为本专利技术实施例之十三的结构示意号说明10-二极管晶片12-金属底材14-金属层16-阻隔层18-开口 22-打线24-黏着层26-载板具体实施例方式以下所述仅为体现本专利技术原理的较佳实施例，并不因此而限定本专利技术的保护范围。凡依本专利技术申请专利范围所述的形状、构造、特征及精神所做的等效变化和修饰，均应包括在本专利技术所申请的专利保护范围之内。首先，本专利技术的目的是利用一种无电解电镀的还原金属湿式制程系统，配合一种足以诱发还原金属(反应液中的添加金属物)的金属底材，产生触媒反应而沉积于金属底材上，以产生一均匀且厚度足够的金属层(该金属层可作为电传导、打线、焊接、导电胶传导、凸块、覆晶封装等用途)。而运用本专利技术所制得的金属层厚度通常可大于0.1um。至于金属层的材质则可为金、镍、铜、铂、钯、锌、锡、银、铬等金属或者上述金属种类中的一种以上所形成的双层金属底材，而金属底材制作方法则可利用蒸镀、溅镀、电镀或者无电解电镀的方式产生。举例来说，当欲沉积的金属层为金时，该无电解电镀的还原金属湿式制程所使用的反应液内可添加有氰化金、亚硫酸金、三氯化金等金属盐。使用无电解电镀的还原金属湿式制程系统所产生的金属层，会包覆于金属底材周围，因此若欲限制沉积金属在金属底材之上方或某一特定方位上，可使用如二氧化硅(SiO2)、光阻、PI等介电材料来形成阻隔层，并于阻隔层上形成数个显露出金属底材的开口，再使用无电解电镀的还原金属湿式制程系统于从开口处显露出的金属底材上进行金属层沉积，即可制作特定方向与形状的金属层，而阻隔层于金属沉积后可去除，亦可以保留。以下将利用一些二极管晶片作为实施例来说明本专利技术的原理，但并不因此而将保护范围仅限定于晶片上。附图1和附图2分别为本专利技术的实施例之一的结构示意图及工艺流程图。其工艺流程如下首先，如步骤S1所述，提供一个二极管的晶片10；接着如步骤S2所述，于晶片10相应面上皆形成一足以诱发还原系统产生触媒反应的金属底材；再如步骤S3所述，使用微蚀刻技术，对金属底材进行图案化处理，以获得所欲获得的图案化金属底材12；最后如步骤S4所述，使用无电解电镀的还原金属湿制程系统于图案化金属底材12外形成一包覆于图案化金属底材周围的金属层14，而形成如附图1所示的结构。附图3是本专利技术实施例之二的结构示意图，该实施例与实施例一的差异仅在于本实施例仅对单一侧面的金属底材12进行图案化制作流程。附图4为本专利技术实施例之三的结构示意图，附图5则为附图4所示实施例的工艺流程图。首先，如步骤S5所述，先提供一个二极管的晶片10；接着如步骤S6所述，于晶片10的两个相对应面形成一足以诱发还原金属系统产生触媒反应的图案化金属底材12；再如步骤S7所述，于金属底材12上沉积一可为二氧化硅(SiO2)、光阻、PI等介电材料的阻隔层16，并于阻隔层16上制作开口18，以露出欲使用无电解电镀的还原金属湿制程系统的金属底材区域位置；最后如步骤S8所述，使用无电解电镀的还原金属湿制程系统于自开口18处暴露处的金属底材12外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用无电解电镀制作二极管金属体的方法，其特征在于它包括如下步骤：提供一个二极管晶片／晶圆；于该二极管晶片／晶圆上形成数个图案化金属底材；以及对该二极管晶片／晶圆进行无电解电镀的还原金属湿式制程，以在该数个图案化金属底材上 各沉积形成有一金属层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊彬，
申请(专利权)人：陈俊彬，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]