【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别是指一种肖特基二极管，本专利技术还涉及所述肖特基二极管的工艺方法。
技术介绍
肖特基二极管(SchottkyBarrierD1de,缩写成SBD),不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属一半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属一半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。金属作为正极，半导体端作为负极的二极管，典型的肖特基二极管是以N型半导体为衬底，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层，阳极使用钥或铝等材料制成阻档层，用二氧化硅来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。其结构如图1所示，其中I是衬底，2是外延，外延2中具有多个填充有金属的沟槽型的屏蔽电极7 (隔离保护环结构图中未示)，沟槽顶部淀积有金属与沟槽内的金属连通。该二极管通过沟槽型结构在反向加压下形成横向电场来保护肖特基结，从而提高肖特基结的击穿电压，具有开关频率高、正向压降低等优点，缺点是其击穿电压较低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种肖特基二极管，其具有更高的击穿电压。本...
【技术保护点】
一种肖特基二极管，在衬底上具有外延，外延中具有隔离保护环，所述的隔离保护环环绕包围有源区，在有源区中具有多个沟槽屏蔽电极，其特征在于：所述的沟槽屏蔽电极，其沟槽填充有金属，且沟槽侧壁具有绝缘介质层将填充的金属与外延隔离；所述沟槽底部没有绝缘介质层，沟槽下方具有P阱，沟槽内的金属与下方的P阱直接接触连通。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周颖，丛茂杰，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。