【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种肖特基二极管(400),其特征在于,包括:半导体衬底(401),由堆叠覆盖,所述堆叠从所述衬底的第一表面按以下顺序包括缓冲层(403)、第一N型掺杂GaN层(405)、以及具有比所述第一N型掺杂GaN层低掺杂水平的第二N型掺杂GaN层(407);肖特基接触(409),在所述第二N型掺杂GaN层(407)的与所述衬底相对的第一表面上;第一金属层(411),将所述第一N型掺杂GaN层(405)的与所述衬底相对的第一表面连接至所述衬底(401),所述金属层(411)位于外围开口(410)中,所述外围开口(410)位于所述堆叠的未由所述肖特基接触(409)覆盖的区域中,该开口(410)从所述第二N型掺杂GaN层(407)的所述第一表面延伸至所述衬底(401);以及第二金属层(413),覆盖与所述衬底(401)的第一表面相对的所述衬底(401)的第二表面。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·伊万,D·阿尔奎尔,Y·科尔迪耶,
申请(专利权)人:意法半导体图尔公司,国家科学研究中心,法国国立图尔大学,
类型:新型
国别省市:法国;FR
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