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本发明公开了一种沟槽屏蔽型的肖特基二极管，其衬底上具有外延，所述外延中，隔离保护环环绕包围有源区，有源区内具有多个沟槽屏蔽电极，本发明在所述的沟槽底部增加了P阱，沟槽内填充的金属与沟槽内壁之间具有绝缘介质层，沟槽底部没有绝缘介质层，沟槽内的...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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