具有内置二极管的IGBT器件背面工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，其包括如下步骤：a、得到正面元胞结构；b、对晶圆背面进行减薄；c、在离子注入后的晶圆背面上涂覆光刻胶层；d、提供光刻机；e、确定notch区坐标；f、根据上述notch区坐标、金属层套刻对位标记的中心坐标以及下基准标记确定晶圆的位置；g、根据金属层套刻对位标记以及掩膜版套刻对位标记的中心坐标，对晶圆的位置进行校正；h、对光刻胶层进行曝光显影，并在曝光显影后，对晶圆背面进行所需的二次背面离子注入；i、去除光刻胶层，并激活载流子；j、设置背面金属层。本发明专利技术能实现背面光刻工艺达到或接近正面光刻工艺的控制能力，对背面图形没有特定限制，有利于实现更多的背面图形方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种工艺方法，尤其是一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，属于IGBT器件背面处理的

技术介绍
IGBT 结合了功率 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect- Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)及功率晶体管的优点，具有工作频率高，控制电路简单，电流密度高，通态压低等特点，广泛应用于功率控制领域。在实际应用中，IGBT很少作为一个独立器件使用，尤其在感性负载的条件下，IGBT需要一个快恢复二极管续流。因此现有的IGBT产品，一般采用反并联一个二极管以起到续流作用，保护IGBT器件。为降低成本，反并联的二极管可以集成在IGBT芯片内，即集成反并联二极管的IGBT或具有内置二极管的IGBT。公开号为CN202796961U的文件公开了一种具有内置二极管的IGBT，具体结构可以参考公开文件中的附图4，其中，在IGBT器件的背面采用背面P型和N型交替平行分布的形式，以形成内置二极管；正面条形元胞与背面条形相垂直，形成背面与正面结构的自对准，通过背面P型和N型的比例分配，粗略的调整器件性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，其特征是：所述IGBT器件背面工艺包括如下步骤：（a）、提供制备IGBT器件所需的晶圆（15），在所述晶圆（15）的晶圆正面（5）进行所需的正面工艺，以在晶圆（15）的晶圆正面（5）得到所需的正面元胞结构，所述正面元胞结构包括正面金属层以及金属层套刻对位标记（6）；（b）、对上述晶圆（15）的晶圆背面（9）进行减薄，以使得减薄后得到晶圆（15）的厚度不大于300μm；（c）、对上述晶圆（15）的晶圆背面（9）进行所需的初次背面离子注入，并在离子注入后的晶圆背面（9）上涂覆光刻胶层；（d）、提供用于对上述晶圆背面（9）上涂覆的光刻胶层进行光刻的光刻机，所...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程炜涛，许剑，王海军，叶甜春，
申请(专利权)人：江苏中科君芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32