具有内置二极管的IGBT器件背面工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，其包括如下步骤：a、得到正面元胞结构；b、对晶圆背面进行减薄；c、在离子注入后的晶圆背面上涂覆光刻胶层；d、提供光刻机；e、确定notch区坐标；f、根据上述notch区坐标、金属层套刻对位标记的中心坐标以及下基准标记确定晶圆的位置；g、根据金属层套刻对位标记以及掩膜版套刻对位标记的中心坐标，对晶圆的位置进行校正；h、对光刻胶层进行曝光显影，并在曝光显影后，对晶圆背面进行所需的二次背面离子注入；i、去除光刻胶层，并激活载流子；j、设置背面金属层。本发明专利技术能实现背面光刻工艺达到或接近正面光刻工艺的控制能力，对背面图形没有特定限制，有利于实现更多的背面图形方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种工艺方法，尤其是一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，属于IGBT器件背面处理的

技术介绍
IGBT 结合了功率 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect- Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)及功率晶体管的优点，具有工作频率高，控制电路简单，电流密度高，通态压低等特点，广泛应用于功率控制领域。在实际应用中，IGBT很少作为一个独立器件使用，尤其在感性负载的条件下，IGBT需要一个快恢复二极管续流。因此现有的IGBT产品，一般采用反并联一个二极管以起到续流作用，保护IGBT器件。为降低成本，反并联的二极管可以集成在IGBT芯片内，即集成反并联二极管的IGBT或具有内置二极管的IGBT。公开号为CN202796961U的文件公开了一种具有内置二极管的IGBT，具体结构可以参考公开文件中的附图4，其中，在IGBT器件的背面采用背面P型和N型交替平行分布的形式，以形成内置二极管；正面条形元胞与背面条形相垂直，形成背面与正面结构的自对准，通过背面P型和N型的比例分配，粗略的调整器件性能。目前，对于制备背面P型与N型时，只能用条形图案，并且图形的控制精度要求较为粗略，适用的器件方案较为有限，不具有普适性。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，其工艺步骤简单，能实现背面光刻工艺达到或接近正面光刻工艺的控制能力，背面加工精度高，对背面图形没有特定限制，有利于实现更多的背面图形方案，支持多样的器件背面图形优化设计。按照本专利技术提供的技术方案，一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，所述IGBT器件背面工艺包括如下步骤: a、提供制备IGBT器件所需的晶圆，在所述晶圆的晶圆正面进行所需的正面工艺，以在晶圆的晶圆正面得到所需的正面元胞结构，所述正面元胞结构包括正面金属层以及金属层套刻对位标记； b、对上述晶圆的晶圆背面进行减薄，以使得减薄后得到晶圆的厚度不大于300μπι; c、对上述晶圆的晶圆背面进行所需的初次背面离子注入，并在离子注入后的晶圆背面上涂覆光刻胶层； d、提供用于对上述晶圆背面上涂覆的光刻胶层进行光刻的光刻机，所述光刻机包括上曝光台以及位于所述上曝光台下方的下曝光台，上曝光台上设有用于掩膜版对准的上基准标记，在下曝光台上设有用于晶圆对准的下基准标记；所述下基准标记与上基准标记在竖直方向上同轴分布，在下曝光台上还设有用于捕捉金属层套刻对位标记的背面感应器；e、将上述晶圆的晶圆背面朝上并置于下曝光台与上曝光台间，旋转晶圆，以通过背面感应器捕捉晶圆上的notch区，以确定notch区坐标； f、利用背面感应器捕捉晶圆的金属层套刻对位标记，以确定金属层套刻对位标记的中心坐标，并根据上述notch区坐标、金属层套刻对位标记的中心坐标以及下基准标记确定晶圆的位置； g、利用上基准标记将掩膜版与上曝光台进行对准，在掩模版与上曝光台对准后，比对掩膜版上掩膜版套刻对位标记的中心坐标与金属层套刻对位标记的中心坐标，根据金属层套刻对位标记的中心坐标以及掩膜版上掩膜版套刻对位标记的中心坐标，对晶圆的位置进行校正，以使得晶圆与掩膜版的精准对位； h、利用掩膜版对晶圆背面上的光刻胶层进行曝光显影，并在曝光显影后，对晶圆背面进行所需的二次背面离子注入，所述二次背面离子注入的离子导电类型与初次背面离子注入的离子导电类型相反； 1、去除上述晶圆背面的光刻胶层，并在退火后激活载流子，以得到所需分布于晶圆背面的二极管； j、在上述晶圆背面设置所需的背面金属层。所述晶圆的材料包括硅，金属层套刻对位标记的形状包括十字形、方形、圆形、三角形、菱形、五角形、六边形或八边形。所述步骤b包括如下步骤: bl、在得到正面元胞结构的晶圆正面贴蓝膜，并对所述晶圆的背面采用化学机械研磨方式的初次减薄； b2、去除上述贴在晶圆正面的蓝膜，并在晶圆正面键合玻璃基片，并对晶圆的背面通过化学机械研磨方式进行二次减薄，以使得减薄后晶圆的总厚度不超过300 μπι。所述玻璃基片的折射率为1.5-1.8，反射率为4%~81.6%。所述步骤b包括如下步骤: S1、在得到正面元胞结构的晶圆正面贴蓝膜，并在所述晶圆的晶圆背面设置背面减薄夹持装置； s2、对上述晶圆的背面进行减薄，以使得减薄后晶圆的总厚度不超过300 μπι。本专利技术的优点:在上曝光台上设置上基准标记，在下曝光台上设置下基准标记以及背面感应器，利用上基准标记实现对掩膜版的对准，利用背面感应器对notch区的捕捉，实现对晶圆的初步对位，利用notch区坐标、金属层套刻对位标记以及下基准标记能确定晶圆的位置，利用掩膜版套刻对位标记的中心坐标与金属层套刻对位标记的中心坐标间的对应关系，能实现掩膜版与晶圆的精确对位，利用掩膜版能对晶圆背面上的光刻胶进行曝光显影，即能得到晶圆背面的N掺杂区域、P掺杂区域的位置与形状等，能实现背面光刻工艺达到或接近正面光刻工艺的控制能力，背面加工精度高，对背面图形没有特定限制，有利于实现更多的背面图形方案，支持多样的器件背面图形优化设计，安全可靠。【附图说明】图1为本专利技术对背面对准光刻的示意图。图2为本专利技术对背面对准光刻的另一种实施示意图。附图标记说明:l-notch区、2-上基准标记、3_下基准标记、4_掩膜版、5_晶圆正面、6-金属层套刻对位标记、7-蓝膜、8-玻璃基片、9-晶圆背面、10-背面感应器、11-掩膜版套刻对位标记、12-上曝光台、13-下曝光台、14-背面减薄夹持装置以及15-晶圆。【具体实施方式】下面结合具体附图和实施例对本专利技术作进一步说明。为了能实现背面光刻工艺达到或接近正面光刻工艺的控制能力，背面加工精度高，对背面图形没有特定限制，有利于实现更多的背面图形方案，支持多样的器件背面图形优化设计，本专利技术IGBT器件背面工艺包括如下步骤: a、提供制备IGBT器件所需的晶圆15，在所述晶圆15的晶圆正面5进行所需的正面工艺，以在晶圆15的晶圆正面5得到所需的正面元胞结构，所述正面元胞结构包括正面金属层以及金属层套刻对位标记6 ； 具体地，晶圆15的材料可以为硅，晶圆正面5与晶圆背面9为晶圆15的两个表面，在晶圆正面5可以实施常规的正面工艺，以得到正面元胞结构，正面元胞结构的具体实施结构可以为本
人员所熟知的结构，也可以根据需要进行选择确定，具体选择以及确定过程均为本
人员所熟知，此处不再赘述。在正面金属层上通过常规工艺得到金属层套刻对位标记6，得到金属层套刻对位标记6的具体实施过程此处不再赘述。所述金属层套刻对位标记8的形状包括十字形、方形、圆形、三角形、菱形、五角形、六边形或八边形。金属层套刻对位标记8的具体形状不限于上述列举的形状，图1中示出了采用十字形的金属层套刻对位标记8。此外，在晶圆正面5还能得到用于初步对位的notch区1，生成notch区I的具体过程也为本
人员所熟知，不再赘述。b、对上述晶圆15的晶圆背面9进行减薄，以使得减薄后得到晶圆15的厚度不大于 300 μm ； 为了能够对晶圆15的晶圆背面9进行有效减薄，可以采用如下的两种方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，其特征是：所述IGBT器件背面工艺包括如下步骤：（a）、提供制备IGBT器件所需的晶圆（15），在所述晶圆（15）的晶圆正面（5）进行所需的正面工艺，以在晶圆（15）的晶圆正面（5）得到所需的正面元胞结构，所述正面元胞结构包括正面金属层以及金属层套刻对位标记（6）；（b）、对上述晶圆（15）的晶圆背面（9）进行减薄，以使得减薄后得到晶圆（15）的厚度不大于300μm；（c）、对上述晶圆（15）的晶圆背面（9）进行所需的初次背面离子注入，并在离子注入后的晶圆背面（9）上涂覆光刻胶层；（d）、提供用于对上述晶圆背面（9）上涂覆的光刻胶层进行光刻的光刻机，所述光刻机包括上曝光台（12）以及位于所述上曝光台（12）下方的下曝光台（13），上曝光台（12）上设有用于掩膜版（4）对准的上基准标记（2），在下曝光台（13）上设有用于晶圆（15）对准的下基准标记（3）；所述下基准标记（3）与上基准标记（2）在竖直方向上同轴分布，在下曝光台（13）上还设有用于捕捉金属层套刻对位标记（6）的背面感应器（10）；（e）、将上述晶圆（15）的晶圆背面（9）朝上并置于下曝光台（13）与上曝光台（12）间，旋转晶圆（15），以通过背面感应器（10）捕捉晶圆（15）上的notch区（1），以确定notch区（1）坐标；（f）、利用背面感应器（10）捕捉晶圆（15）的金属层套刻对位标记（6），以确定金属层套刻对位标记（6）的中心坐标，并根据上述notch区（1）坐标、金属层套刻对位标记（6）的中心坐标以及下基准标记（3）确定晶圆（15）的位置；（g）、利用上基准标记（2）将掩膜版（4）与上曝光台（12）进行对准，在掩模版（4）与上曝光台（12）对准后，比对掩膜版（4）上掩膜版套刻对位标记（11）的中心坐标与金属层套刻对位标记（6）的中心坐标，根据金属层套刻对位标记（6）的中心坐标以及掩膜版（4）上掩膜版套刻对位标记（11）的中心坐标，对晶圆（15）的位置进行校正，以使得晶圆（15）与掩膜版（4）的精准对位；（h）、利用掩膜版（4）对晶圆背面（9）上的光刻胶层进行曝光显影，并在曝光显影后，对晶圆背面（9）进行所需的二次背面离子注入，所述二次背面离子注入的离子导电类型与初次背面离子注入的离子导电类型相反；（i）、去除上述晶圆背面（9）的光刻胶层，并在退火后激活载流子，以得到所需分布于晶圆背面（9）的二极管；（j）、在上述晶圆背面（9）设置所需的背面金属层。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：程炜涛，许剑，王海军，叶甜春，
申请(专利权)人：江苏中科君芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32