与FINFET工艺相兼容的二极管结构制造技术

本发明专利技术涉及一种实施例集成电路(如，二极管)及其制造方法。实施例集成电路包括形成在具有第一掺杂类型的衬底的上方的具有第一掺杂类型的阱，该阱包括鳍、形成在鳍的第一侧的阱的上方的源极、形成在鳍的第二侧的阱的上方的漏极、以及形成在鳍的上方的栅氧化物，其中，源极具有第二掺杂类型、漏极具有第一掺杂类型、以及鳍的回退区将栅氧化物和源极横向分隔开。集成电路与FinFET制造工艺相兼容。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种实施例集成电路(如，二极管)及其制造方法。实施例集成电路包括形成在具有第一掺杂类型的衬底的上方的具有第一掺杂类型的阱，该阱包括鳍、形成在鳍的第一侧的阱的上方的源极、形成在鳍的第二侧的阱的上方的漏极、以及形成在鳍的上方的栅氧化物，其中，源极具有第二掺杂类型、漏极具有第一掺杂类型、以及鳍的回退区将栅氧化物和源极横向分隔开。集成电路与FinFET制造工艺相兼容。【专利说明】与FINFET工艺相兼容的二极管结构
本专利技术总体上涉及半导体领域，更具体地，涉及与FINFET工艺相兼容的二极管结构。
技术介绍
二极管是一种允许电流在一个方向通过而在另一个方向很难通过的电子器件。在现代电路设计中最常见的二极管是半导体二极管。半导体二极管的实例包括浅沟槽隔离(STI) 二极管和栅控二极管。这两种二极管通常具有快速的导通时间和高导率，使得它们能很好地适应于静电放电(ESD)保护电路。在一些案例中，利用鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺可以形成栅控二极管。由于FinFET，使得在半导体行业中，半导体的尺寸可以越来越小而相应的FET速度可以越来越快。事实上，FinF本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，包括：阱，具有第一掺杂类型，形成在具有所述第一掺杂类型的衬底的上方，所述阱包括鳍；源极，形成在所述阱的上方，位于所述鳍的第一侧，所述源极具有第二掺杂类型；漏极，形成在所述阱的上方，位于所述鳍的第二侧，所述漏极具有所述第一掺杂类型；以及栅氧化物，形成在所述鳍的上方，所述鳍的回退区将所述栅氧化物与所述源极横向分隔开。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宗哲，张伊锋，李介文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71