【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路制造工艺,尤其涉及一种沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法。
技术介绍
肖特基二极管已被业界所熟知,并通过多种不同的版图设计与工艺制造。Baliga的第5,612,567号美国专利中典型示出的沟槽型版图也已被人们所知,沟槽型肖特基二极管由于追求正向导通电流能力的最大化,其台面面积被充分利用于肖特基的势垒接触,这就要求接触孔在刻蚀的时候把元胞区充分打开。目前常用的制备方法是采用干法刻蚀接触孔,然后直接沉积金属形成肖特基接触,但是实际工艺过程中会造成工艺窗口小,反向漏电流大,产品良率低等问题。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法,其改善了传统沟槽型肖特基二极管的制造工艺方法,降低反向漏电流,提高产品良率,使其适合规模化量产。 为解决上述技术问题,本专利技术提供一种沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法,主要包括如下步骤: 步骤1:参照标准沟槽型肖特基二极管制备工艺,在硅片上形成沟槽并用多晶硅进行填充,然后利用干法刻蚀将沟槽外的多晶硅进行回刻; 步骤2:沉积一层层间介质膜,开始形成接触孔; 步骤3:利用干法刻蚀工艺,将接触孔先刻蚀至硅表面,然后将硅和沟槽内的氧化硅一同刻蚀; 步骤4:刻蚀硅使沟槽内的氧化硅突出硅平面; 步骤5:然后沉积一层金属,从而形成肖特基接触; 步骤6:最后沉积金属铝并通过光刻,刻蚀工艺形成金属连接。 作为优选的技术方案,步骤2中,所述层间介质膜为氧化硅。 作为优选的 ...
【技术保护点】
一种沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法,其特征在于,主要包括如下步骤:步骤1:参照标准沟槽型肖特基二极管制备工艺,在硅片上形成沟槽并用多晶硅进行填充,然后利用干法刻蚀将沟槽外的多晶硅进行回刻;步骤2:沉积一层层间介质膜,开始形成接触孔;步骤3:利用干法刻蚀工艺,将接触孔先刻蚀至硅表面,然后将硅和沟槽内的氧化硅一同刻蚀;步骤4:刻蚀硅使沟槽内的氧化硅突出硅平面;步骤5:然后沉积一层金属,从而形成肖特基接触;步骤6:最后沉积金属铝并通过光刻,刻蚀工艺形成金属连接。
【技术特征摘要】
1.一种沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法,其特征在于,主要包括如下步骤:
步骤1:参照标准沟槽型肖特基二极管制备工艺,在硅片上形成沟槽并用多晶硅进行填
充,然后利用干法刻蚀将沟槽外的多晶硅进行回刻;
步骤2:沉积一层层间介质膜,开始形成接触孔;
步骤3:利用干法刻蚀工艺,将接触孔先刻蚀至硅表面,然后将硅和沟槽内的氧化硅一同
刻蚀;
步骤4:刻蚀硅使沟槽内的氧化硅突出硅平面;
步骤5:然后沉积一层金属,从而形成肖特基接触;
步骤6:最后沉积金属铝并通过光刻,刻蚀工艺形成金属连接。
2.根据权利要求1所述沟槽型肖特基二极管制备工艺,其特征在于:步骤2中,所述层
间介质膜为氧化硅。
3.根据权利要求1所述沟...
【专利技术属性】
技术研发人员:李昊,刘远良,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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