深沟槽顶部倾斜角形成的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种深沟槽顶部倾斜角形成的工艺方法，包括步骤：1）在单晶硅衬底上，依次淀积，形成第一氧化膜-氮化膜-第二氧化膜结构的硬掩膜，或者只淀积第三氧化膜作为硬掩膜；2）干法刻蚀硬掩膜，形成深沟槽图形；3）在单晶硅衬底上，干法刻蚀形成深沟槽；4）湿法刻蚀，去除第二氧化膜，或通过湿法刻蚀，将第三氧化膜横向推进一部分；5）干法刻蚀去除氮化膜和第一氧化膜，或去除第三氧化膜，形成深沟槽顶部圆角；6）单晶硅回刻，形成深沟槽顶部倾斜角。本发明专利技术通过深沟槽的顶部开口形成一个倾斜角，使后续的填充物形成的缝隙或空洞会小，防止后续化学机械研磨把缝隙或孔洞被打开，增加了后续工艺的工艺窗口，使工艺得以量产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种沟槽顶部倾斜角形成的工艺方法，特别是涉及一种。
技术介绍
针对在RFLDM0S (射频横向扩散型金属氧化场效应管)厚场氧隔离介质层工艺中， 通过深沟槽刻蚀形成单晶硅沟槽的等间隔排列，然后通过热氧化过程把等间隔排列的单晶硅沟槽部份氧化成二氧化硅，然后填入二氧化硅或多晶硅，从而形成大面积的厚场氧隔离介质层。为了控制硅片的应力，垂直的深沟槽可以有效的降低应力，由于后续是在沟槽内填入二氧化硅或多晶硅，因此，尖锐的深沟槽顶部轮廓在后续氧化膜生长完后，深沟槽顶部开口和底部开口尺寸相近，导致后续氧化膜或多晶硅填入后形成很大的缝隙和孔洞。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，以解决后续氧化膜或多晶硅填入后形成很大的缝隙和孔洞等问题。为解决上述技术问题，本专利技术的，包括步骤I)在单晶硅衬底上，依次淀积，形成第一氧化膜-氮化膜-第二氧化膜结构的硬掩膜，或者只淀积第三氧化膜作为硬掩膜；2)干法刻蚀硬掩膜，形成深沟槽图形；3)在单晶硅衬底上，干法刻蚀形成深沟槽；4)湿法刻蚀，去除第二氧化膜，或通过湿法刻蚀，将第三氧化膜横向推进一部分；5)干法刻蚀，去除氮化膜和第一氧化膜，或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种深沟槽顶部倾斜角形成的工艺方法，其特征在于，包括步骤：1）在单晶硅衬底上，依次淀积，形成第一氧化膜?氮化膜?第二氧化膜结构的硬掩膜，或者只淀积第三氧化膜作为硬掩膜；2）干法刻蚀硬掩膜，形成深沟槽图形；3）在单晶硅衬底上，干法刻蚀形成深沟槽；4）湿法刻蚀，去除第二氧化膜，或通过湿法刻蚀，将第三氧化膜横向推进一部分；5）干法刻蚀，去除氮化膜和第一氧化膜，或去除第三氧化膜，形成深沟槽顶部圆角；6）单晶硅回刻，形成深沟槽顶部倾斜角。

【技术特征摘要】
1.一种深沟槽顶部倾斜角形成的工艺方法，其特征在于，包括步骤1)在单晶硅衬底上，依次淀积，形成第一氧化膜-氮化膜-第二氧化膜结构的硬掩膜， 或者只淀积第三氧化膜作为硬掩膜；2)干法刻蚀硬掩膜，形成深沟槽图形；3)在单晶硅衬底上，干法刻蚀形成深沟槽；4)湿法刻蚀，去除第二氧化膜，或通过湿法刻蚀，将第三氧化膜横向推进一部分；5)干法刻蚀，去除氮化膜和第一氧化膜，或去除第三氧化膜，形成深沟槽顶部圆角；6)单晶硅回刻，形成深沟槽顶部倾斜角。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤I)中，淀积的方式包括炉管或化学气相淀积；第一氧化膜、第二氧化膜、第三氧化膜的材质包括氧化硅；氮化膜的材质包括氮化硅；第一氧化膜的厚度为100 500埃；氮化膜的厚度为1000 2000埃；第二氧化膜的厚度为2500 10000埃；第三氧化膜的厚度为2500 10000埃。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤I)中，第一氧化膜-氮化膜-第二氧化膜结构的硬掩膜适用于射频横向扩散型金属氧化场效应管器件；第三氧化膜作为硬掩膜的适用于只有厚场氧的器件。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤2)中，干法刻蚀的步骤包括通过光刻以及采用刻蚀气体，形成深沟槽图形，然后，把光刻胶通过湿法去除；其中，干法刻蚀的工艺参数为压力...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴智勇，刘鹏，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
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