抑制P型赝埋层中的硼杂质外扩的方法技术

本发明专利技术公开了一种抑制P型赝埋层中的硼杂质外扩的方法，工艺步骤为：1)在硅衬底表面淀积氧化硅、氮化硅，然后以氮化硅为阻挡层在P型硅衬底上刻蚀浅沟槽隔离结构，接着形成氧化硅及氧化硅侧墙；2)注入高浓度硼，形成重掺杂P型赝埋层；3)退火推进，同时进行轻度氧化，在P型赝埋层区域和非重掺杂区域的硅表面各生长一层氧化硅；4)注入重掺杂N型赝埋层。本发明专利技术通过在退火推进的同时，进行轻度氧化，在P型赝埋层区域的硅表面生长一层较厚的氧化硅，而在非重掺杂区域的硅表面生长一层较薄的氧化硅，抑制了P型赝埋层中的硼杂质的外扩，同时又不会影响到后续的N型赝埋层注入。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种抑制P型赝埋层中的硼杂质外扩的方法。
技术介绍
在上海华虹NEC 电子有限公司的 SiGe BiCMOS(SiGe Bipolar Complementary Metal OxideSemiconductor,娃锗双极互补金属氧化半导体)工艺中，采用了独创的深孔接触工艺和赝埋层(Pseudo Buried Layer),可以使器件具有面积小、成本低等特点。其中,赝埋层工艺的现行工艺步骤为I)在硅衬底表面淀积氧化硅102、氮化硅103，然后以氮化硅为阻挡层在P型硅衬底上刻蚀浅沟槽隔离(STI) 401结构，接着制作氧化硅104以及氧化硅侧墙105。氮化硅103 阻挡层的厚度为300 1000埃米。氧化硅侧墙105的厚度为200 1200埃米。2)在STI表面注入一道高浓度的P型杂质硼，形成重掺杂的P型赝埋层106，如图1 (a)所示。注入剂量为IeHcnT2 lel6cnT2,能量范围是5keV 50keV。由于有源区有氮化硅103硬掩膜层作为阻挡层，在注入能量足够小的时候，杂质不会穿透硬掩膜层进入有源区。同时，氧化硅侧墙105的本文档来自技高网...

【技术保护点】
抑制P型赝埋层中的硼杂质外扩的方法，包括步骤：1)在硅衬底表面淀积氧化硅、氮化硅，然后以氮化硅为阻挡层在P型硅衬底上刻蚀浅沟槽隔离结构，接着形成氧化硅及氧化硅侧墙；2)在浅沟槽隔离结构表面注入一道高浓度的P型杂质硼，形成重掺杂的P型赝埋层；3)退火推进；4)浅沟槽隔离结构表面注入一道高浓度的N型杂质，形成重掺杂的N型赝埋层；其特征在于，步骤3)，在退火的同时进行轻度氧化，在P型赝埋层区域的硅表面和非重掺杂区域的硅表面各生长一层氧化硅。

【技术特征摘要】
1.抑制P型赝埋层中的硼杂质外扩的方法，包括步骤 1)在硅衬底表面淀积氧化硅、氮化硅，然后以氮化硅为阻挡层在P型硅衬底上刻蚀浅沟槽隔离结构，接着形成氧化硅及氧化硅侧墙； 2)在浅沟槽隔离结构表面注入一道高浓度的P型杂质硼，形成重掺杂的P型赝埋层； 3)退火推进； 4)浅沟槽隔离结构表面注入一道高浓度的N型杂质，形成重掺杂的N型赝埋层； 其特征在于，步骤3)，在退火的同时进行轻度氧化，在P型赝埋层区域的硅表面和非重掺杂区域的娃表面各生长一层氧化娃。2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘冬华，段文婷，石晶，钱文生，胡君，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：