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本发明公开了一种抑制P型赝埋层中的硼杂质外扩的方法，工艺步骤为：1)在硅衬底表面淀积氧化硅、氮化硅，然后以氮化硅为阻挡层在P型硅衬底上刻蚀浅沟槽隔离结构，接着形成氧化硅及氧化硅侧墙；2)注入高浓度硼，形成重掺杂P型赝埋层；3)退火推进，同时...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种抑制P型赝埋层中的硼杂质外扩的方法，工艺步骤为：1)在硅衬底表面淀积氧化硅、氮化硅，然后以氮化硅为阻挡层在P型硅衬底上刻蚀浅沟槽隔离结构，接着形成氧化硅及氧化硅侧墙；2)注入高浓度硼，形成重掺杂P型赝埋层；3)退火推进，同时...