【技术实现步骤摘要】
一种改善形貌的深沟槽制造方法及深沟槽
本申请涉及一种沟槽型超级结器件的深沟槽制造方法。
技术介绍
申请公布号为CN103035677A、申请公布日为2013年4月10日的中国专利技术专利申请在其说明书的
技术介绍
部分对于超级结MOSFET(金属-氧化物型场效应晶体管)进行了简要介绍。超级结器件除了包含超级结MOSFET外,还包含超级结JFET(结型场效应晶体管)、超级结肖特基二极管、超级结IGBT(绝缘栅双极晶体管)等,这些超级结器件的共同点是都具有超级结结构。请参阅图1a,这是一种现有的超级结JFET的结构示意图,在n型外延层中具有交替排列的p型立柱(pillar,也称为纵向区)和n型立柱。这种在硅材料中所具有的交替排列的p型立柱和n型立柱就被称为超级结结构。一种典型的超级结结构的制造工艺是在硅材料(例如n型外延层)刻蚀多个深沟槽(deeptrench),然后以p型硅填充这些沟槽而形成p型立柱。相邻两个p型立柱之间的n型外延层就作为n型立柱,如图1b所示。采用这种制造工艺形成超级结结构的超级结器件被称为沟槽型超级结器件。制造沟槽型超级结器件时,深沟槽的形貌至关重要。但是由于刻蚀工艺的限制,一般可获得的深沟槽形貌较差,表现为沟槽侧壁较为倾斜,沟槽开口宽度(topCD)与沟槽底部宽度(bottomCD)具有较大差异。当沟槽较浅时,沟槽形貌对器件性能的影响较小。当沟槽CD(关键尺寸)在5μm以内,沟槽深度在40μm以上时,沟槽形貌带来的沟槽开口和底部的宽度差异将会很大,这对于沟槽型超级结器件的反向击穿电压的提升非常不利。请参阅图2,假设深沟槽的开口宽度为4μm, ...
【技术保护点】
一种改善形貌的深沟槽制造方法,其特征是,包括如下步骤:第1步,在外延层上形成ONO层,所述ONO层自下而上包括第一氧化硅、第一氮化硅、第二氧化硅;第2步,采用光刻和干法刻蚀工艺穿透ONO层并在外延层中形成沟槽的第一部分;第3步,在硅片表面依次形成第三氧化硅和第二氮化硅,再采用干法反刻第二氮化硅和第三氧化硅从而在沟槽的第一部分的侧壁形成侧墙;第4步,在沟槽的第一部分的底部向下刻蚀,新刻蚀的区域称为沟槽的第二部分,沟槽的第一部分和第二部分的总和构成了完整的沟槽;第5步,在沟槽的第二部分的侧壁和底部热氧化生长出第四氧化硅;所耗费的硅使得沟槽的第二部分的底部宽度大致等于沟槽的第一部分的底部宽度、和/或沟槽的第二部分的开口宽度大致等于沟槽的第一部分的开口宽度;第6步,先去除第四氧化硅和侧墙,再去除ONO层中的第二氧化硅和第一氮化硅,仅保留第一氧化硅。
【技术特征摘要】
1.一种改善形貌的深沟槽制造方法,其特征是,包括如下步骤:第1步,在外延层上形成ONO层,所述ONO层自下而上包括第一氧化硅、第一氮化硅、第二氧化硅;第2步,采用光刻和干法刻蚀工艺穿透ONO层并在外延层中形成沟槽的第一部分所述沟槽的第一部分的深度相当于沟槽总深度的一半;第3步,在硅片表面依次形成第三氧化硅和第二氮化硅,再采用干法反刻第二氮化硅和第三氧化硅从而在沟槽的第一部分的侧壁形成侧墙;第4步,在沟槽的第一部分的底部向下刻蚀,新刻蚀的区域称为沟槽的第二部分,沟槽的第一部分和第二部分的总和构成了完整的沟槽;第5步,在沟槽的第二部分的侧壁和底部热氧化生长出第四氧化硅;所耗费的硅使得沟槽的第二部分的底部宽度等于沟槽的第一部分的底部宽度,沟槽的第二部分的开口宽度等于沟槽的第一部分的开口宽度;第6步,先去除第四氧化硅和侧墙,再去除ONO层中的第二氧化硅和第一氮化硅,仅保留第一氧化硅。2.根据权利要求1所述的改善形貌的深沟槽制造方法,其特征是,所述方法第1步中,所述外延层已形成有后续光刻工艺用于对准的零层标记。3.根据权利要求1所述的改善形貌的深沟槽制造方法,其特征是,所述方法第1步中,形成所述ONO层包括先热氧化生长或淀积第一氧化硅,再淀积第一氮化硅,最后淀积第二氧化硅。4.根据权利要求3所述的改善形貌的深沟槽制造方法,其特征是,所述方法第1步中,第一氧化硅的厚度为100~2000Å;第一氮化硅的厚度为100~1500Å;第二氧化硅的厚度为0.5~3μm。5.根据权利要求1所述的改善形貌的深沟槽制造方法,其特征是,所述方法第2步中,在干法刻蚀之后ONO层最上方的第二氧化硅仍保留超过一半厚度。6.根据权利要求1所述的改善形貌的深沟槽制造方法,其特征是,所述方法第2步中,所述ONO层作为刻蚀沟槽的第一部分的硬掩模层。7.根据权利要求1所述的改善形貌的深沟槽制造方法,其特征是,所述方法第3步中,形成第三氧化硅采用热氧化生长或淀积工艺,形成第二氮化硅采用淀积工艺。8.根据权利要求1所述的改善形貌的深沟槽制造方法,其特征是,所述方法第2步中,第三氧化硅的厚度为100~2000Å;第二氮化硅的厚度为10...
【专利技术属性】
技术研发人员:李昊,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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