制作FinFET的方法技术

本发明专利技术公开了一种制作FinFET的方法，包括：a）提供SOI衬底，所述SOI衬底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的掩埋绝缘层以及位于所述掩埋绝缘层上的Si层；b）对所述Si层进行刻蚀至露出所述掩埋绝缘层，以形成用于NMOS晶体管的第一鳍片和用于PMOS晶体管的第二鳍片；c）形成仅覆盖所述第二鳍片的反应层，所述反应层中包括Ge；以及d）执行Ge凝结工艺，以使Ge从所述反应层中扩散到所述第二鳍片中。根据本发明专利技术的制作FinFET的方法通过Ge凝结工艺可以在用于PMOS晶体管的第二鳍片中加入Ge，而不会对用于NMOS晶体管的第一鳍片产生任何影响，提高了PMOS晶体管的迁移率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制作FinFET的方法，包括：a）提供SOI衬底，所述SOI衬底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的掩埋绝缘层以及位于所述掩埋绝缘层上的Si层；b）对所述Si层进行刻蚀至露出所述掩埋绝缘层，以形成用于NMOS晶体管的第一鳍片和用于PMOS晶体管的第二鳍片；c）形成仅覆盖所述第二鳍片的反应层，所述反应层中包括Ge；以及d）执行Ge凝结工艺，以使Ge从所述反应层中扩散到所述第二鳍片中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩秋华，隋运奇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31