一种掩膜版、曝光方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种掩膜版、曝光方法及装置。该掩膜版上包括掩模图形区域，还包括：设置于所述掩模图形区域周围的图形标记所述图形标记包括第一组和第二组，分别设置于所述掩模图形区域相对的两侧，所述第一组包括第二左标记和第三左标记，所述第二组包括第二右标记和第三右标记；且所述第二左标记大于第三右标记，所述第二右标记大于第三左标记。本发明专利技术实施例所述方案，通过设置图形标记，监控图形标记对应的光刻胶图形从而监控遮光挡板的位置是否异常来判断曝光是否正确。

Mask plate, exposure method and apparatus

The invention discloses a mask plate, exposure method and device. The mask includes mask graphics area, also includes: arranged on the mask graphic markings around the graphic patterns of regional markers including first and second groups, respectively arranged on the opposite sides of the mask pattern area, the first group included second markers and third markers left left, the the second group included second markers and third markers of right right; and the second mark left more than third right marker, the second right left more than third mark mark. The embodiment of the embodiment of the invention monitors the corresponding photoresist patterns by setting a graphical mark so as to monitor whether or not the position of the shading baffle is abnormal to judge whether the exposure is correct or not.

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜版、曝光方法及装置
本专利技术涉及显示
，尤指一种掩膜版、曝光方法及装置。
技术介绍
遮光挡板(Maskingblade)是曝光机一个重要的硬件，其作用是遮挡掩膜版(mask)上不需要的区域，防止在曝光基板上的当前图形时，将附近图形区域的光刻胶曝掉。但遮光挡板是通过机械驱动的，其驱动位置受机械因素影响，在生产中不可避免的出现偏差。当偏差超出允许范围时，会导致附近图形受到影响。这是生产中不可接受的异常。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种掩膜版、曝光方法及装置，能够检测遮光挡板的异常。为了达到本专利技术目的，本专利技术实施例提供了一种掩膜版，所述掩膜版上包括掩模图形区域，其特征在于，还包括：设置于所述掩模图形区域周围的图形标记，所述图形标记包括第一组和第二组，分别设置于所述掩模图形区域相对的两侧，所述第一组包括第二左标记和第三左标记，所述第二组包括第二右标记和第三右标记，所述第二左标记大于第三右标记，所述第二右标记大于第三左标记，各图形标记的位置满足：所述第二左标记沿第一方向平移到所述第三右标记所在位置时，完全覆盖所述第三右标记，所述第二右标记沿所述第一方向平移到所述第三左标记所在位置时，完全覆盖所述第三左标记，且第一方向上，所述第三左标记与所述掩模图形区域的距离大于所述第二左标记与所述掩模图形区域的距离，所述第三右标记与所述掩模图形区域的距离大于所述第二右标记与所述掩模图形区域的距离，所述第三左标记与所述第二左标记的距离等于所述第三右标记与所述第二右标记的距离；所述第一方向为水平方向或垂直方向。在本专利技术的一可选实施例中，所述第一组还包括第一左标记，所述第二组还包括第一右标记，满足：所述第二左标记与所述掩模图形区域在所述第一方向上的距离大于所述第一左标记与所述掩模图形区域在所述第一方向上的距离；所述第二右标记与所述掩模图形区域在所述第一方向上的距离大于所述第一右标记与所述掩模图形区域在所述第一方向上的距离。在本专利技术的一可选实施例中，所述第二左标记和第二右标记大小形状相同，所述第一左标记、所述第三左标记、第一右标记、第三右标记大小形状相同。在本专利技术的一可选实施例中，所述第一左标记和所述第一右标记对称，所述第二左标记和所述第二右标记对称，所述第三左标记和所述第三右标记对称，所述对称基于所述掩模图形区域的对称轴。在本专利技术一实施例中，提供一种曝光方法，包括：使用上述的掩膜版进行曝光得到基板上的小板，且曝光时满足；曝光第一小板时，所述第二右标记在所述基板上对应第一曝光位置,所述第三右标记在所述基板上对应第二曝光位置，曝光所述第一小板相邻的第二小板时，所述第二左标记在所述基板上对应第三曝光位置，所述第三左标记在所述基板上对应第四曝光位置，所述第一曝光位置、第二曝光位置、第三曝光位置、第四曝光位置位于所述第一小板和所述第二小板之间，且：所述第一曝光位置覆盖所述第四曝光位置，所述第三曝光位置覆盖所述第二曝光位置；所述第一曝光位置和第二曝光位置位于所述第一小板对应的遮光挡板覆盖所述第一小板时的正常覆盖范围之外，所述第一小板与所述第二小板的中线位于所述第一曝光位置和所述第二曝光位置之间；所述第三曝光位置和第四曝光位置位于所述第二小板对应的遮光挡板覆盖所述第二小板时的正常覆盖范围之外。在本专利技术的一可选实施例中，使用上述掩膜版进行曝光得到基板上的小板时，还满足：曝光任一小板时，所述第一左标记和所述第一右标记对应的曝光位置位于当前曝光的小板对应的遮光挡板覆盖当前曝光的小板时的正常覆盖范围之内。在本专利技术的一可选实施例中，所述方法还包括：检测所述基板上相邻两个小板之间由所述图形标记曝光形成的光刻胶图形；根据所述光刻胶图形判断遮光挡板的位置是否异常，并在判断所述遮光挡板的位置异常后，进行报警。在本专利技术的一实施例中，还提供一种曝光装置，包括：曝光单元，用于使用上述掩膜版进行曝光得到基板上的小板，其中，曝光第一小板时，所述第二右标记在所述基板上对应第一曝光位置,所述第三右标记在所述基板上对应第二曝光位置，曝光所述第一小板相邻的第二小板时，所述第二左标记在所述基板上对应第三曝光位置，所述第三左标记在所述基板上对应第四曝光位置，所述第一曝光位置、第二曝光位置、第三曝光位置、第四曝光位置位于所述第一小板和所述第二小板之间，且：所述第一曝光位置覆盖所述第四曝光位置，所述第三曝光位置覆盖所述第二曝光位置；所述第一曝光位置和第二曝光位置位于所述第一小板对应的遮光挡板覆盖所述第一小板时的正常覆盖范围之外，所述第一小板与所述第二小板的中线位于所述第一曝光位置和所述第二曝光位置之间；所述第三曝光位置和第四曝光位置位于所述第二小板对应的遮光挡板覆盖所述第二小板时的正常覆盖范围之外。在本专利技术的一可选实施例中，所述曝光单元使用上述掩膜版进行曝光得到基板上的小板时，还满足：曝光任一小板时，所述第一左标记和所述第一右标记对应的曝光位置位于当前曝光的小板对应的遮光挡板覆盖当前曝光的小板时的正常覆盖范围之内。在本专利技术的一可选实施例中，所述曝光装置还包括：检测单元和判断单元，其中：所述检测单元用于，检测所述基板上相邻两个小板之间由所述图形标记曝光形成的光刻胶图形；所述判断单元用于，根据所述光刻胶图形判断遮光挡板的位置是否异常，并在判断所述遮光挡板的位置异常后，进行报警。与现有技术相比，本专利技术实施例通过在掩膜版掩模图形区域周围添加图形标记，如果遮光挡板的停留位置发生突变，就会导致曝光于玻璃基板上的图形标记变形。通过观测图形标记是否发生变化，即可监控到曝光机的遮光挡板是否发生位置突变。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。图1为基板曝光后形成的小板的示意图；图2为本专利技术实施例掩膜版示意图；图3为本专利技术实施例使用图2中所示的掩膜版进行曝光的示意图；图4为本专利技术实施例使用图2中所示的掩膜版进行曝光的另一示意图；图5为本专利技术实施例曝光后图形标记对应的光刻胶图形的示意图；图6为本专利技术实施例光刻胶图形在遮光挡板位置不同时可能的变化示意图；图7为本专利技术实施例另一掩膜版示意图；图8为本专利技术实施例又一掩膜版示意图；图9为本专利技术实施例再一掩膜版示意图；图10为本专利技术实施例提供的曝光装置的框图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行。并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。本专利技术实施例通过在掩膜版掩模图形周围添加图形标记，如果遮光挡板的停留位置发生突变，就会导致曝光于玻璃基板上的图形标记变形。通过观测图形标记的尺寸是否发生变化，即可监控到曝光机的遮光挡板是否发生位置突变。本专利技术实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜版，所述掩膜版上包括掩模图形区域，其特征在于，还包括：设置于所述掩模图形区域周围的图形标记，所述图形标记包括第一组和第二组，分别设置于所述掩模图形区域相对的两侧，所述第一组包括第二左标记和第三左标记，所述第二组包括第二右标记和第三右标记，所述第二左标记大于第三右标记，所述第二右标记大于第三左标记，各图形标记的位置满足：所述第二左标记沿第一方向平移到所述第三右标记所在位置时，完全覆盖所述第三右标记，所述第二右标记沿所述第一方向平移到所述第三左标记所在位置时，完全覆盖所述第三左标记，且第一方向上，所述第三左标记与所述掩模图形区域的距离大于所述第二左标记与所述掩模图形区域的距离，所述第三右标记与所述掩模图形区域的距离大于所述第二右标记与所述掩模图形区域的距离，所述第三左标记与所述第二左标记的距离等于所述第三右标记与所述第二右标记的距离；所述第一方向为水平方向或垂直方向。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，所述掩膜版上包括掩模图形区域，其特征在于，还包括：设置于所述掩模图形区域周围的图形标记，所述图形标记包括第一组和第二组，分别设置于所述掩模图形区域相对的两侧，所述第一组包括第二左标记和第三左标记，所述第二组包括第二右标记和第三右标记，所述第二左标记大于第三右标记，所述第二右标记大于第三左标记，各图形标记的位置满足：所述第二左标记沿第一方向平移到所述第三右标记所在位置时，完全覆盖所述第三右标记，所述第二右标记沿所述第一方向平移到所述第三左标记所在位置时，完全覆盖所述第三左标记，且第一方向上，所述第三左标记与所述掩模图形区域的距离大于所述第二左标记与所述掩模图形区域的距离，所述第三右标记与所述掩模图形区域的距离大于所述第二右标记与所述掩模图形区域的距离，所述第三左标记与所述第二左标记的距离等于所述第三右标记与所述第二右标记的距离；所述第一方向为水平方向或垂直方向。2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一组还包括第一左标记，所述第二组还包括第一右标记，满足：所述第二左标记与所述掩模图形区域在所述第一方向上的距离大于所述第一左标记与所述掩模图形区域在所述第一方向上的距离；所述第二右标记与所述掩模图形区域在所述第一方向上的距离大于所述第一右标记与所述掩模图形区域在所述第一方向上的距离。3.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二左标记和第二右标记大小形状相同，所述第一左标记、所述第三左标记、第一右标记、第三右标记大小形状相同。4.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第一左标记和所述第一右标记对称，所述第二左标记和所述第二右标记对称，所述第三左标记和所述第三右标记对称，所述对称基于所述掩模图形区域的对称轴。5.一种曝光方法，其特征在于，包括：使用如权利要求1至4任一所述的掩膜版进行曝光得到基板上的小板，且曝光时满足；曝光第一小板时，所述第二右标记在所述基板上对应第一曝光位置,所述第三右标记在所述基板上对应第二曝光位置，曝光所述第一小板相邻的第二小板时，所述第二左标记在所述基板上对应第三曝光位置，所述第三左标记在所述基板上对应第四曝光位置，所述第一曝光位置、第二曝光位置、第三曝光位置、第四曝光位置位于所述第一小板和所述第二小板之间，且：所述第一曝光位置覆盖所述第四曝光位置，所述第三曝光位置覆盖所述第二曝光位置；所述第一曝光位置和第二曝光位置位于所述第一小板...

【专利技术属性】
技术研发人员：江俊波，魏小丹，闫虹旭，董小龙，张昭，王军才，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11