掩膜版及掩膜曝光系统、拼接曝光方法、基板技术方案

本发明专利技术提供了一种掩膜版及掩膜曝光系统、拼接曝光方法，本发明专利技术中，在主体曝光区域的第一侧边缘设置第一曝光区域，第二侧边缘设置第三曝光区域，还设置位于第一曝光区域和第三曝光区域之间的第二曝光区域；其中，所述第一曝光区域的遮光图案与所述第二曝光区域的第二侧边缘的遮光图案相同，适于对第二曝光区域的第二侧边缘的遮光图案进行遮挡；所述第三曝光区域的遮光图案与所述第二曝光区域的第一侧边缘的遮光图案相同，适于对第二曝光区域的第一侧边缘的遮光图案进行遮挡；所述第一侧和所述第二侧为相对的两侧。本发明专利技术提供的方案，可以使得掩膜版的利用率得到提高，从而提升掩膜的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及掩膜曝光
，尤其涉及一种掩膜版及掩膜曝光系统、拼接曝光方法、基板。
技术介绍
为了满足大面积显示的需求，显示触控面板的尺寸越来越大，其中的显示/触控基板的制作过程也越发复杂。为了增大显示/触控基板的尺寸，掩模版的尺寸也需要随之增大，但是由于曝光机对掩模版尺寸的限定，以及大尺寸掩模版存在制造困难、成本过高、日常存放使用不便等问题，使得在制造显示/触控基板时，需要将大尺寸的显示/触控基板划分成若干区域，并使用掩膜版依次对各个区域进行曝光，最终拼合成大尺寸的显示/触控基板。在拼接曝光过程中，一般是使用挡板对显示/触控基板上已经完成拼接曝光区域的进行遮挡，从而避免对已经曝光的区域进行再次曝光。但是由于挡板通常放置在掩膜版的上方，距离显示/触控基板较远，因此在挡板的边缘会产生衍射现象，衍射的光线仍然可能对已经曝光的区域进行再次曝光。为了避免这种情况，现有技术中一般会在掩膜版上设置金属遮光条进行遮挡。参见图1和图2，为现有技术中的一种掩膜版的结构示意图，包括显示/触控曝光区域A(用于对显示/触控区域进行曝光)和位于显示/触控曝光区域两侧的走线曝光区域B1和B2；其中在显示/触控曝光区域A上设置有金属条C1和C2，用于对光线进行遮挡，避免已经曝光的区域再次被曝光，金属条C1和C2将显示/触控曝光区域A划分为A1、A2和A3区域。在第一次曝光过程中，为了避免金属条C曝光到显示/触控基板上，将左侧的金属条C1以及金属条C1右侧的掩膜版均遮挡，实现左侧走线以及左侧的部分触控图形的曝光，在除第一次和最后一次的曝光过程中，为了避免金属条影响曝光，均需将金属条C1以及金属条C1左侧的区域和金属条C2以及金属条C2右侧的区域进行遮挡，这样仅能够使用A2区域进行曝光，曝光效率低。而如果将金属条C1和C2均制作在显示/触控曝光区域的边缘，则在第一曝光过程中，为了避免金属条C1影响曝光，需要将金属条C1以及金属条C1右侧的部分全部遮挡，也即是仅曝光走线曝光区域，而将整个显示/触控曝光区域A全部遮挡，也会影响曝光的效率。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提高拼接曝光时的曝光效率。第一方面，本专利技术提供了一种掩膜版，所述掩膜版包括主体曝光区域和走线曝光区域；所述走线曝光区域位于所述主体曝光区域的第一侧和第二侧；所述主体曝光区域包括第一曝光区域、第二曝光区域和第三曝光区域；其中第一曝光区域位于所述主体曝光区域的第一侧边缘，所述第三曝光区域位于所述主体曝光区域的第二侧边缘；所述第一曝光区域和所述第三曝光区域均与所述第二曝光区域邻接；其中，所述第一曝光区域的遮光图案与所述第二曝光区域的第二侧边缘的遮光图案相同，适于对第二曝光区域的第二侧边缘的遮光图案进行遮挡；所述第三曝光区域的遮光图案与所述第二曝光区域的第一侧边缘的遮光图案相同，适于对第二曝光区域的第一侧边缘的遮光图案进行遮挡；所述第一侧和所述第二侧为相对的两侧。进一步的，所述第一曝光区域和所述第三曝光区域的宽度均小于5-10mm。进一步的，所述第一曝光区域内的遮光图案内的遮光条的宽度为第二曝光区域第二侧边缘的遮光图案中的对应遮光条的宽度的1-1.1倍；和/或，所述第三曝光区域内的遮光图案内的遮光条的宽度为第二曝光区域第一侧边缘的遮光图案中的对应遮光条的宽度的1-1.1倍。进一步的，所述第一曝光区域内的遮光图案内的遮光条的宽度为第二曝光区域第二侧边缘的遮光图案中的对应遮光条的宽度的1.05倍；所述第三曝光区域内的遮光图案内的遮光条的宽度为第二曝光区域第一侧边缘的遮光图案中的对应遮光条的宽度的1.05倍。进一步的，所述掩膜版为金属掩膜版。第二方面，本专利技术提供了一种掩膜曝光系统，包括曝光机以及上述任一项所述的掩膜版。进一步的，所述曝光机用于产生紫外光。第三方面，本专利技术提供了一种拼接曝光方法，其特征在于，包括：利用上述任一项所述的掩膜曝光系统对基板进行拼接曝光；由第一侧方向向第二侧方向拼接曝光过程包括：除第一次曝光过程之外的其他曝光过程中，均使用所述掩膜版的第一曝光区域遮挡基板上的第一已曝光区域，第一已曝光区域为在上一次曝光过程中对应于所述掩膜版的第二曝光区域的边缘的区域，并使用挡板遮挡所述第一曝光区域；除最后一次曝光过程之外的其他曝光过程中，均使用挡板遮挡第三曝光区域以及位于第三曝光区域的第二侧的走线曝光区域。第四方面，本专利技术提供了一种基板，所述基板为利用上述所述的拼接曝光方法制作的阵列基板。进一步地，所述基板为触控基板。本专利技术提供的掩膜版及掩膜曝光系统、拼接曝光方法中，可以使得掩膜版的利用率得到提高，从而提升掩膜的效率。附图说明通过参考附图会更加清楚的理解本专利技术的特征信息和优点，附图是示意性的而不应理解为对本专利技术进行任何限制，在附图中：图1为现有技术中的掩膜版的结构示意图；图2为利用现有技术中的掩膜版进行拼接曝光后得到的显示/触控基板的结构示意图；图3为本专利技术提供的一种掩膜版的结构示意图；图4、图5为本专利技术提供的拼接曝光方法的流程示意图；图6为利用本专利技术提供的拼接曝光方法得到的显示/触控基板的结构示意图。具体实施方式为了能够更清楚地理解本专利技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是，本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本专利技术的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。本专利技术一实施例提供的掩膜版的结构示意图可以参考图3，为了便于说明，假设该实施例提供的掩膜版用于对触控基板进行曝光，该掩膜版包括用于对触控区域进行曝光的A区域和用于对走线区域进行曝光的B1和B2区域；B1和B2区域分列与A区域的两侧，且与A区域邻接；A区域可以分为三个区域，自左向右依次为A1区域、A2区域和A3区域；其中A1和A3区域为可以用于实现自遮挡的曝光区域，且均与A1区域和A2区域邻接，具体来说，当使用掩膜版自左侧向右侧进行曝光时，使用A1区域对上一次曝光过程形成的曝光图形对应于A2区域的右侧边缘区域A1’的图形进行遮挡，A3区域则对下一次曝光时对应于A2区域的左侧边缘区域A3’的图形进行遮挡；为了满足这样的需求，A1区域的宽度需要与A1’区域的宽度一致，且A1区域内的遮光图案与A1’区域内的遮光图案一致，并且A1区域内的遮光图案内的遮光条的宽度要略大于A1’区域内的遮光图案内的对应的遮光条的宽度(比如前者为后者的1-1.1倍，优选为1.05倍)；同样的，A3区域内的宽度需要与A3’区域的宽度一致，且A3区域内的遮光图案与A3’区域内的遮光图案一致，并且A3区域内的遮光图案内的遮光条的宽度要略大于A3’区域内的遮光图案内的对应的遮光条的宽度(比如前者为后者的优选为1.05倍)。不难理解的是，这里的A1区域、A2区域和A3区域的遮挡图形是具有连续一致的。参见图4、图5、图6，为利用图3中的掩膜版M对触控基板TP进行曝光时的示意图；在第一次曝光时，使用挡板S将A3区域以及位于A3区域右侧的B2区域进行遮挡；第一次曝光之后，在触控基板TP上会形成对应于B1区域、A1区域和A2区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括主体曝光区域和走线曝光区域；所述走线曝光区域位于所述主体曝光区域的第一侧和第二侧；所述主体曝光区域包括第一曝光区域、第二曝光区域和第三曝光区域；其中第一曝光区域位于所述主体曝光区域的第一侧边缘，所述第三曝光区域位于所述主体曝光区域的第二侧边缘；所述第一曝光区域和所述第三曝光区域均与所述第二曝光区域邻接；其中，所述第一曝光区域的遮光图案与所述第二曝光区域的第二侧边缘的遮光图案相同，适于对第二曝光区域的第二侧边缘的遮光图案进行遮挡；所述第三曝光区域的遮光图案与所述第二曝光区域的第一侧边缘的遮光图案相同，适于对第二曝光区域的第一侧边缘的遮光图案进行遮挡；所述第一侧和所述第二侧为相对的两侧。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括主体曝光区域和走线曝光区域；所述走线曝光区域位于所述主体曝光区域的第一侧和第二侧；所述主体曝光区域包括第一曝光区域、第二曝光区域和第三曝光区域；其中第一曝光区域位于所述主体曝光区域的第一侧边缘，所述第三曝光区域位于所述主体曝光区域的第二侧边缘；所述第一曝光区域和所述第三曝光区域均与所述第二曝光区域邻接；其中，所述第一曝光区域的遮光图案与所述第二曝光区域的第二侧边缘的遮光图案相同，适于对第二曝光区域的第二侧边缘的遮光图案进行遮挡；所述第三曝光区域的遮光图案与所述第二曝光区域的第一侧边缘的遮光图案相同，适于对第二曝光区域的第一侧边缘的遮光图案进行遮挡；所述第一侧和所述第二侧为相对的两侧。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一曝光区域和所述第三曝光区域的宽度均小于5-10mm。3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一曝光区域内的遮光图案内的遮光条的宽度为第二曝光区域第二侧边缘的遮光图案中的对应遮光条的宽度的1-1.1倍；和/或，所述第三曝光区域内的遮光图案内的遮光条的宽度为第二曝光区域第一侧边缘的遮光图案中的对应遮光条的宽度的1-1.1倍。4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡明，张明，刘国冬，许邹明，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11