The utility model provides a new lithographic plate which is used in conjunction with a contact type photoetching machine, which can precisely calculate the deviation angle of the flat edge and the photoetching pattern of the wafer. The lithographic plate corresponding to the edge of the area is provided with a flat wafer scale graphics, the scale pattern includes a plurality of parallel rods, which has two parallel alignment as the baseline and the scales are respectively aligned parallel to the alignment mark; the central baseline located throughout the scale of graphics, graphics is the longest ruler of a parallel ruler; the parallel alignment between the mark and the baseline distance for the maximum deviation of alignment mark and flat wafer alignment allows the baseline. According to the above scheme, the scale pattern is made in the light side area corresponding to the flat edge. Lithography, by precisely controlling the wafer flat and scale graphics alignment baseline distance, both sides can realize parallel alignment, by calculating the deflection angle can also be transformed into distance, realize accurate flat edge alignment compensation.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种在晶圆光刻工艺中与接触式光刻机配合使用的光刻板。
技术介绍
接触式光刻机(参见图1)的主要特点是:a、光线从汞灯发出后,经过透镜转化为平行线后,直接照射在光刻板上。b、光刻板与晶圆表面贴合,间隙距离不大于10um。多次作业会影响光刻板的图形。c、光刻机曝光一次,即可完成一片晶圆的曝光。d、晶圆上的光刻图形和光刻板上图形一致。砷化镓激光芯片的设计,要求芯片的谐振腔面沿着晶圆<110>解理边方向解理形成,故砷化镓晶圆在进行第一步光刻时,需要将光刻图形和表征其<110>解理边方向的平边进行对准。目前光刻板(圆形)的设计,仅设计了一个平行的长方形图案,用于在一次光刻时晶圆平边与光刻图形的对准。这样的设计,无论是一次光刻时,还是后续的工艺检查时,均只能粗略的评估晶圆平边和光刻图形的对准情况,无法精确地计算晶圆平边和光刻图形的偏差角度。
技术实现思路
为了精确地计算晶圆平边和光刻图形的偏差角度,本技术提出一种与接触式光刻机配合使用的新的光刻板。该光刻板的特点是:光刻板上对应于晶圆平边的区域设置有标尺图形,所述标尺图形包括若干条平行标尺,其中有两条平行标尺分别作为对准基线和平行对准标示;所述对准基线位于整个标尺图形的中部,是标尺图形中最长的一条平行标尺;所述平行对准标示与对准基线之间的距离用于标示晶圆平边与对准基线可允许的最大偏差。在以上方案的基础上,本技术还进一步作了如下优化:平行对准标示的长度或方向(向左、向右)区别于其他平行标尺。对准基线始自光刻板的左端、终于光刻板的右端。标尺图形还包括且仅有一条垂直标尺,与所述若干条平行标尺呈 ...
【技术保护点】
一种在晶圆光刻工艺中与接触式光刻机配合使用的光刻板,其特征在于:该光刻板上对应于晶圆平边的区域设置有标尺图形,所述标尺图形包括若干条平行标尺,其中有两条平行标尺分别作为对准基线和平行对准标示;所述对准基线位于整个标尺图形的中部,是标尺图形中最长的一条平行标尺;所述平行对准标示与对准基线之间的距离用于标示晶圆平边与对准基线可允许的最大偏差。
【技术特征摘要】
1.一种在晶圆光刻工艺中与接触式光刻机配合使用的光刻板,其特征在于:该光刻板上对应于晶圆平边的区域设置有标尺图形,所述标尺图形包括若干条平行标尺,其中有两条平行标尺分别作为对准基线和平行对准标示;所述对准基线位于整个标尺图形的中部,是标尺图形中最长的一条平行标尺;所述平行对准标示与对准基线之间的距离用于标示晶圆平边与对准基线可允许的最大偏差。2.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙丞,杨国文,
申请(专利权)人:西安立芯光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:陕西;61
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