壳体的制作方法及由该方法制得的壳体技术

一种壳体的制作方法，其包括如下步骤：提供一金属基体；在该金属基体表面蚀刻凹槽，使金属基体上被蚀刻凹槽的区域成为凹陷部位，未被蚀刻凹槽的区域成为凸起部位；对蚀刻凹槽后的金属基体进行微弧氧化处理以在其凹陷部位及凸起部位上形成一微弧氧化膜层，该微弧氧化膜层相对应形成有凹陷面及凸起面；对该微弧氧化膜层的凸起面进行抛光处理。一种壳体，其包括一金属基体及一形成于金属基体上的微弧氧化膜层，所述金属基体与微弧氧化膜层相结合的面上形成有凹槽，所述微弧氧化膜层上相对应金属基体该面上未形成有凹槽的区域被抛光呈现出镜面效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种壳体的制作方法及由该方法所制得的壳体。
技术介绍
现有对便携式电子装置的金属壳体的表面通常会进行表面处理以使其表面上生 成一硬度高、耐腐蚀性强的氧化膜层。微弧氧化技术(又称等离子体氧化、阳极火花沉积、 火花放电阳极沉积和表面陶瓷化等)是一种直接在金属表面原位生长氧化膜层的技术。该 技术在金属壳体表面生成的氧化膜层耐磨性能好、耐腐蚀性及耐热冲击性强，绝缘性能佳。 但该氧化膜层呈单一的鹏光雾面外观，视觉效果单一，装饰性不强，难以提高产品的附加价 值及吸引消费者的眼球。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种使壳体既具有耐磨性能好、耐腐蚀性及耐热冲击性强的氧化膜层又具较佳装饰效果的壳体的制作方法。 另外，还有必要提供一种由上述方法所制得的壳体。 —种壳体的制作方法，其包括如下步骤 提供一金属基体； 在该金属基体表面蚀刻凹槽，使金属基体上被蚀刻凹槽的区域成为凹陷部位，未 被蚀刻凹槽的区域成为凸起部位； 对蚀刻凹槽后的金属基体进行微弧氧化处理以在其凹陷部位及凸起部位上形成 一微弧氧化膜层，该微弧氧化膜层相对应形成有凹陷面及凸起面； 对该微弧氧化膜层的凸起面进行抛光处理。 —本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种壳体的制作方法，其包括如下步骤：提供一金属基体；在该金属基体表面蚀刻凹槽，使金属基体上被蚀刻凹槽的部位成为凹陷部位，未被蚀刻凹槽的部位成为凸起部位；对蚀刻凹槽后的金属基体进行微弧氧化处理以在其凹陷部位及凸起部位上形成一微弧氧化膜层，该微弧氧化膜层相对应形成有凹陷面及凸起面；对该微弧氧化膜层的凸起面进行抛光处理。

【技术特征摘要】
一种壳体的制作方法，其包括如下步骤提供一金属基体；在该金属基体表面蚀刻凹槽，使金属基体上被蚀刻凹槽的部位成为凹陷部位，未被蚀刻凹槽的部位成为凸起部位；对蚀刻凹槽后的金属基体进行微弧氧化处理以在其凹陷部位及凸起部位上形成一微弧氧化膜层，该微弧氧化膜层相对应形成有凹陷面及凸起面；对该微弧氧化膜层的凸起面进行抛光处理。2. 如权利要求1所述的壳体的制作方法，其特征在于所述蚀刻凹槽的方式为化学蚀刻或CNC数控机床雕刻。3. 如权利要求1所述的壳体的制作方法，其特征在于所述微弧氧化处理在电解液中进行，该电解液中含有氢氧化物、磷酸盐、硼酸盐、硅酸盐及铝酸盐中的一种或几种。4. 如权利要求3所述的壳体的制作方法，其特征在于所述电解液中含有钨酸盐，钒酸盐，硫酸盐，氟化钠、乙酸钴、山梨醇及甘油中的一种或几种。5. 如权利要求4所述的壳体的制作方法，其特征在于所述电解液的pH值为10. 5 12. 5。6. 如权利要求1所述的壳体的制作方法，其特征在于所述微弧氧化处理采用正负双向脉冲电压，其中最大恒定正电压为450V 650V，最大恒定负电压为30V 200V，正负向脉宽为1000 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴丰源，罗勇达，姜传华，韩婧，严琦琦，张保申，乔勇，刘伟，
申请(专利权)人：深圳富泰宏精密工业有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]