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本申请公开了一种改善形貌的深沟槽制造方法，包括：在外延层上形成ONO层；穿透ONO层并在外延层中形成沟槽的第一部分；在沟槽的第一部分的侧壁形成侧墙；在沟槽的第一部分的底部向下刻蚀，新刻蚀的区域称为沟槽的第二部分，沟槽的第一部分和第二部分的总...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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