制作沟槽MOS的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种制作沟槽MOS的工艺方法，包括以下步骤：第一步，在重掺杂硅衬底上生长外延层，形成第一轻掺杂外延层；第二步，在第一轻掺杂外延层上生长二氧化硅；第三步，在二氧化硅上形成光刻胶图形；第四步，刻蚀，将未被光刻胶挡住的二氧化硅刻蚀干净，露出光刻胶以外的第一轻掺杂外延层；然后去除光刻胶；第五步，选择性生长第二外延层；在露出的第一轻掺杂外延层的表面生长第二轻掺杂外延层，而二氧化硅上不生长；第六步，用湿法刻蚀掉二氧化硅，形成沟槽。本发明专利技术采用选择性外延生长形成沟槽，能够精确控制双层外延沟槽MOS的外延层相对沟槽的位置，从而能够通过分别控制两层外延的掺杂浓度，来优化器件的击穿电压和通态电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件的制造方法，具体涉及一种制作沟槽MOS的工艺方法。
技术介绍
现有的沟槽MOS (金属氧化物半导体)工艺通过刻蚀来形成沟槽,一般在重掺杂上只有一层外延。当需要有两层外延时，现有的技术工艺对外延与沟槽的相对位置控制性不够精确，因此使得优化外延掺杂以及器件性能的工作比较困难。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种制作沟槽MOS的工艺方法，它可以精确控制双层外延沟槽MOS的外延层相对沟槽的位置。为解决上述技术问题，本专利技术制作沟槽MOS的工艺方法的技术解决方案为，包括以下步骤:第一步,在重掺杂娃衬底上生长外延层,形成第一轻掺杂外延层；第二步，在第一轻掺杂外延层上生长二氧化硅；所形成的二氧化硅的厚度等于或者大于后续要形成的沟槽深度。第三步，采用光刻工艺，在二氧化硅上涂胶、光刻，形成光刻胶图形；第四步,刻蚀,将未被光刻胶挡住的二氧化娃刻蚀干净，露出光刻胶以外的第一轻掺杂外延层；然后去除光刻胶；第五步，选择性生长第二外延层；在露出的第一轻掺杂外延层的表面生长第二轻掺杂外延层，而二氧化硅上不生长；所形成的第二轻掺杂外延层的厚度为要形成的沟槽深度。第六步，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作沟槽MOS的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在重掺杂硅衬底上生长外延层，形成第一轻掺杂外延层；第二步，在第一轻掺杂外延层上生长二氧化硅；第三步，采用光刻工艺，在二氧化硅上涂胶、光刻，形成光刻胶图形；第四步，刻蚀，将未被光刻胶挡住的二氧化硅刻蚀干净，露出光刻胶以外的第一轻掺杂外延层；然后去除光刻胶；第五步，选择性生长第二外延层；在露出的第一轻掺杂外延层的表面生长第二轻掺杂外延层；第六步，用湿法刻蚀掉二氧化硅，形成沟槽。

【技术特征摘要】
1.一种制作沟槽MOS的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤: 第一步，在重掺杂娃衬底上生长外延层，形成第一轻掺杂外延层； 第二步，在第一轻掺杂外延层上生长二氧化硅； 第三步，采用光刻工艺，在二氧化硅上涂胶、光刻，形成光刻胶图形； 第四步，刻蚀，将未被光刻胶挡住的二氧化硅刻蚀干净，露出光刻胶以外的第一轻掺杂外延层；然后去除光刻胶； 第五步，选择性生长...

【专利技术属性】
技术研发人员：金勤海，曹俊，王军明，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
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