DMOS器件及其制造方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种DMOS器件制造方法，包括：提供基底，包括有源区和位于有源区表面上的层间介质ILD层，其中，位于有源区表面上的ILD层内具有钨塞，所述ILD层表面和所述钨塞表面平齐；去除掉预设厚度的ILD层材料，以使ILD层和所述钨塞表面具有高度差。本发明专利技术通过在形成钨塞之后，增加了对ILD层的回刻过程，使得钨塞表面和ILD层表面不再齐平，从而使源区部位和栅区部位表面的金属区域也不再平齐，使得栅区表面的金属区域与区表面的金属区域的反光能力不同，在进行识别时，识别光束打到产品晶片上后，栅区和源区存在色差，从而能够通过色差清楚的识别DMOS器件的栅区和源区，提高了后续引线键合过程的准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及ー种DMOS器件及其制造方法。
技术介绍
在半导体芯片的制造エ艺完成后，通过电测试的硅片就需要进行单个芯片的装配和封装，这些在最終装配和封装中进行的エ序，被称为后道エ序，后道エ序还包括一级封装和ニ级封装等。其中一级封装包括背面减薄、分片、装架以及引线键合等エ艺过程。在引线键合过程中，需要将芯片表面的金属压点与引线框架上或基座上的电极内端(也称为柱)进行电性连接，在此之前，对于DMOS器件，需要先识别器件的栅区和源区，之后，再采用金属引线将位于器件栅区、源区和漏区表面的金属压点与引线框架或基座上的电极内端连接起来。现有技术中对DMOS器件的栅区和源区进行识别的设备多通过二者的色差进行识另IJ，在实际生产过程中发现，在识别过程中，往往出现对源区和栅区识别不清的问题，一旦对源区和栅区识别不清，则在后续的引线键合过程的出现连接错误的可能性就很大，从而导致产品报废。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了ー种DMOS器件及其制造方法，能够清楚的识别DMOS器件的栅区和源区，从而提高引线键合过程的准确性。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了如下技术方案:ー种DMOS器件制造方法，包括:提供基底，所述基底包括有源区和位于所述有源区表面上的层间介质ILD层，其中，位于有源区表面上的ILD层内具有钨塞，所述ILD层表面和所述钨塞表面平齐；去除掉预设厚度的ILD层材料，以使ILD层和所述钨塞表面具有高度差。优选的，去除掉预设厚度的ILD层材料后，所述DMOS器件源区表面上的金属区域和栅区表面上的金属区域反光能力不同。优选的，去除掉预设厚度的ILD层材料的过程具体为，采用各向异性刻蚀エ艺去除掉预设厚度的ILD层材料。toon] 优选的，所述预设厚度为1800 A-2200 A。优选的，所述预设厚度为2000 A。优选的，所述各向异性刻蚀エ艺所采用的刻蚀气体包括CF4、CHF3和氩气。优选的，所述各向异性刻蚀エ艺所采用的刻蚀气体中CF4的浓度在16sccm_20sccm以内，CHF3的浓度在60cm_80cm以内，気气的浓度在80sccm_120sccm以内。优选的，所述各向异性刻蚀エ艺的刻蚀时间为60s。优选的，还包括:在具有高度差的ILD层和所述钨塞表面形成金属层，进入金属互连过程；完成金属互连过程后，在金属层上形成压焊点；进行低温合金エ艺，完成DMOS器件的制作过程。本专利技术实施例还公开了采用上述方法制作的DMOS器件，所述DMOS器件的ILD层和钨塞表面具有高度差。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点:本专利技术实施例所提供的技术方案，通过在形成钨塞之后，即进行了金属钨的化学机械研磨后，増加了对ILD层的回刻过程，经过此次回刻过程，使得钨塞表面和ILD层表面不再齐平，从而使得后续形成金属层及压焊点之后，源区部位和栅区部位表面的金属区域也不再平齐，由于栅区的钨塞数量与源区的钨塞数量不同，从而使得栅区表面的金属区域的剖面形状与源区表面的金属区域的剖面形状不同，进而使得栅区表面的金属区域与区表面的金属区域的反光能力不同，使得在进行识别时，识别光束打到产品晶片上后，栅区和源区存在色差，从而能够通过色差清楚的识别DMOS器件的栅区和源区，提高了后续引线键合过程的准确性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中形成钨塞后的DMOS器件剖面的电子显微照片；图2为对现有技术中的DMOS器件进行识别时的电子显微照片；图3-图5为本专利技术实施例一公开的DMOS器件制造方法的剖面图；图6为本专利技术实施例的方法制作出的DMOS器件的电子显微照片；图7为对本实施例中的DMOS器件进行识别时的电子显微照片。具体实施例方式正如
技术介绍
部分所述，采用现有技术中的识别设备在对DMOS器件的栅区和源区进行识别时，往往出现识别不清的问题，专利技术人研究发现，出现这种情况的原因是，DMOS器件制作过程中，在进行金属连线以及形成压焊点之前，需进行两次化学机械研磨(CMP)，一次是层间介质层(ILD层)的CMP，一次是金属钨的CMP，在金属互连过程，在经过这两次CMP过程之后，芯片的表面已经变得非常平整了。如图1所示，图1为形成钨塞后的芯片剖面的电子显微照片，从图中可以看出位于源区部位的钨塞的表面与栅区表面ILD层表面基本齐平，因此在进行识别时，识别的光打到芯片表面后，栅区和源区对光的反射能力相差很小，从而导致通过色差很难看出源区和栅区的区别，如图2所示，图2为进行识别时芯片的电子显微照片，从图中很难区分出源区和栅区。因此，专利技术人考虑，如果采用一定的手段使芯片的源区和栅区表面的金属区域对光的反射能力有所区别，在识别过程中即可通过色差来识别源区和栅区了。由于芯片制作完成后，源区和栅区表面均为金属材质的压焊点，改变金属表面反光能力的方法包括改变金属表面的凹凸程度，或者改变金属表面的高度。基于以上思想，专利技术人考虑，若栅区和源区表面的金属具有一定的高度差，或许使二者的反光能力有所差別。基于上述研究的基础上，本专利技术实施例提供了ー种DMOS器件及其制作方法，其中，该方法包括以下步骤:提供基底，所述基底包括位于栅区表面上的层间介质ILD层以及位于源区表面上的钨塞，所述ILD层和所述钨塞表面平齐；去除掉预设厚度的ILD层材料，以使ILD层和所述钨塞表面具有高度差。本专利技术实施例中在形成钨塞后，増加了对ILD层的回刻过程，使得钨塞表面和ILD层表面不再齐平，从而使得后续形成金属层及压焊点之后，源区部位和栅区部位表面的金属区域也不再平齐，由于栅区的钨塞数量与源区的钨塞数量不同，从而使得栅区表面的金属区域的剖面形状与源区表面的金属区域的剖面形状不同，进而使得栅区表面的金属区域与区表面的金属区域的反光能力不同，使得在进行识别时，识别光束打到产品晶片上后，栅区和源区存在色差，从而能够通过色差清楚的识别DMOS器件的栅区和源区，提高了后续引线键合过程的准确性。以上是本专利技术实施例的核心思想，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。其次，本专利技术结合示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。本专利技术实施例公开的DMOS器件制造方法各步骤的剖面图如图3和图4所示，包括以下步骤:步骤1:提供基底，所述基底包括有源区和位于所述有源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DMOS器件制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括有源区和位于所述有源区表面上的层间介质ILD层，其中，位于有源区表面上的ILD层内具有钨塞，所述ILD层表面和所述钨塞表面平齐；去除掉预设厚度的ILD层材料，以使ILD层和所述钨塞表面具有高度差。

【技术特征摘要】
1.一种DMOS器件制造方法，其特征在于，包括: 提供基底，所述基底包括有源区和位于所述有源区表面上的层间介质ILD层，其中，位于有源区表面上的ILD层内具有钨塞，所述ILD层表面和所述钨塞表面平齐； 去除掉预设厚度的ILD层材料，以使ILD层和所述钨塞表面具有高度差。2.根据权利要求1所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，去除掉预设厚度的ILD层材料后，所述DMOS器件源区表面上的金属区域和栅区表面上的金属区域反光能力不同。3.根据权利要求2所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，去除掉预设厚度的ILD层材料的过程具体为，采用各向异性刻蚀エ艺去除掉预设厚度的ILD层材料。4.根据权利要求3所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，所述预设厚度为1800A-2200 A05.根据权利要求4所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，所述预设厚度为2000A。6.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：万颖，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：