DMOS器件及其制造方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种DMOS器件制造方法，包括：提供基底，包括有源区和位于有源区表面上的层间介质ILD层，其中，位于有源区表面上的ILD层内具有钨塞，所述ILD层表面和所述钨塞表面平齐；去除掉预设厚度的ILD层材料，以使ILD层和所述钨塞表面具有高度差。本发明专利技术通过在形成钨塞之后，增加了对ILD层的回刻过程，使得钨塞表面和ILD层表面不再齐平，从而使源区部位和栅区部位表面的金属区域也不再平齐，使得栅区表面的金属区域与区表面的金属区域的反光能力不同，在进行识别时，识别光束打到产品晶片上后，栅区和源区存在色差，从而能够通过色差清楚的识别DMOS器件的栅区和源区，提高了后续引线键合过程的准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及ー种DMOS器件及其制造方法。
技术介绍
在半导体芯片的制造エ艺完成后，通过电测试的硅片就需要进行单个芯片的装配和封装，这些在最終装配和封装中进行的エ序，被称为后道エ序，后道エ序还包括一级封装和ニ级封装等。其中一级封装包括背面减薄、分片、装架以及引线键合等エ艺过程。在引线键合过程中，需要将芯片表面的金属压点与引线框架上或基座上的电极内端(也称为柱)进行电性连接，在此之前，对于DMOS器件，需要先识别器件的栅区和源区，之后，再采用金属引线将位于器件栅区、源区和漏区表面的金属压点与引线框架或基座上的电极内端连接起来。现有技术中对DMOS器件的栅区和源区进行识别的设备多通过二者的色差进行识另IJ，在实际生产过程中发现，在识别过程中，往往出现对源区和栅区识别不清的问题，一旦对源区和栅区识别不清，则在后续的引线键合过程的出现连接错误的可能性就很大，从而导致产品报废。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了ー种DMOS器件及其制造方法，能够清楚的识别DMOS器件的栅区和源区，从而提高引线键合过程的准确性。为解决上述问题，本专利技术实施例提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DMOS器件制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括有源区和位于所述有源区表面上的层间介质ILD层，其中，位于有源区表面上的ILD层内具有钨塞，所述ILD层表面和所述钨塞表面平齐；去除掉预设厚度的ILD层材料，以使ILD层和所述钨塞表面具有高度差。

【技术特征摘要】
1.一种DMOS器件制造方法，其特征在于，包括: 提供基底，所述基底包括有源区和位于所述有源区表面上的层间介质ILD层，其中，位于有源区表面上的ILD层内具有钨塞，所述ILD层表面和所述钨塞表面平齐； 去除掉预设厚度的ILD层材料，以使ILD层和所述钨塞表面具有高度差。2.根据权利要求1所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，去除掉预设厚度的ILD层材料后，所述DMOS器件源区表面上的金属区域和栅区表面上的金属区域反光能力不同。3.根据权利要求2所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，去除掉预设厚度的ILD层材料的过程具体为，采用各向异性刻蚀エ艺去除掉预设厚度的ILD层材料。4.根据权利要求3所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，所述预设厚度为1800A-2200 A05.根据权利要求4所述的DMOS器件制造方法，其特征在于，所述预设厚度为2000A。6.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：万颖，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：