半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置（1000）包括：具有栅极配线（3a）、源极和漏极配线（13as、13ad）以及岛状的氧化物半导体层（7）的薄膜晶体管（103）；和具有由与栅极配线（3a）相同的导电膜形成的第一电极（3b）、由与源极配线（13as）相同的导电膜形成的第二电极（13b）以及位于第一和第二电极之间的介电体层的电容元件（105），栅极绝缘层（5）具有包含与氧化物半导体层（7）接触并且包含氧化物的第一绝缘膜（5A）、和配置于第一绝缘膜的栅极电极一侧并且具有比第一绝缘膜高的介电常数的第二绝缘膜（5B）的叠层结构，介电体层包含第二绝缘膜（5B）而不包含第一绝缘膜（5A）。由此，能够在不使CS电容等电容元件的电容值降低的情况下抑制氧化物半导体层的氧缺损所致的劣化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具备薄膜晶体管的。
技术介绍
在用于液晶显示装置等的有源矩阵基板中，按每个像素具备薄膜晶体管(ThinFilm Transistor ;下记为“TFT”)等的开关元件。作为这种开关元件，历来广泛使用有以非晶硅膜为活性层的TFT (下记为“非晶硅TFT”)和以多晶硅膜为活性层的TFT (下记为“多晶硅TFT”)。近年来，作为TFT的活性层的材料，提案有使用氧化物半导体来代替非晶硅或多晶硅(专利文献I和2、非专利文献I 3等)。这样的TFT称作“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅更高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT与非晶硅TFT相比能够更高速地工作。另外，氧化物半导体膜由于通过比多晶硅膜更简便的工艺而形成，因此能够适用于需要大面积的装置。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2010 - 62549号公报专利文献2:日本特开2003 - 86808号公报非专利文献非专利文献I:SID DIGEST2010P1132 — 1135非专利文献2:SID DIGEST2010P1298 — 1300非专利文献3:SID DIGEST2010P1037 — 104本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.30 JP 2010-1925001.一种半导体装置，其特征在于: 所述半导体装置包括:基板；和设置在所述基板上的薄膜晶体管和电容元件， 所述薄膜晶体管包括: 岛状的氧化物半导体层，其具有沟道区域和分别位于所述沟道区域的两侧的第一接触区域和第二接触区域； 以与所述氧化物半导体层的至少沟道区域重叠的方式配置的栅极配线； 形成在所述栅极配线与所述氧化物半导体层之间的栅极绝缘层； 与所述第一接触区域电连接的源极配线；和 与所述第二接触区域电连接的漏极配线， 所述电容元件包括: 由与所述栅极配线相同的导电膜形成的第一电极； 由与所述源极配线相同的导电膜形成的第二电极；和 位于所述第一电极和第二电极之间的介电体层， 所述栅极绝缘层具有包含第一绝缘膜和第二绝缘膜的叠层结构，所述第一绝缘膜与所述氧化物半导体层接触并包含氧化物，所述第二绝缘膜配置于所述第一绝缘膜的所述栅极电极一侧，具有比所述第一绝缘膜高的介电常数， 所述介电体层包含所述第二绝 缘膜，并且不包含所述第一绝缘膜。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于: 所述第一绝缘膜位于所述氧化物半导体层的下方，从所述基板的上方观察，具有与所述氧化物半导体层大致相同的岛状的图案。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于: 所述栅极配线配置于所述氧化物半导体层的所述基板一侧， 所述半导体装置还包括覆盖所述氧化物半导体层的至少所述沟道区域的蚀刻阻止层。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于: 在所述蚀刻阻止层和所述第一绝缘膜形成有到达所述第二绝缘膜的开口部，所述第二电极在所述开口部内与所述第二绝缘膜接触。5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，还包括: 设置于所述薄膜晶体管和所述电容元件之上的第一层间绝缘层；和 设置于所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层， 所述第一层间绝缘层具有包含下层膜和上层膜的叠层结构，所述下层膜包含氧化物，所述上层膜配置于所述下层膜之上。6.如权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村淳，中田幸伸，原义仁，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：