LDMOS晶体管及其形成方法技术

一种LDMOS晶体管及其形成方法，所述LDMOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底内形成第一导电类型的阱区；在所述阱区内形成第一导电类型的重掺杂区，并在所述重掺杂区两侧的阱区内形成第二导电类型的漂移区；在所述漂移区内形成第二导电类型的漏极区域；在所述重掺杂区内形成第一导电类型的隔离件，并在所述隔离件两侧的重掺杂区内形成第二导电类型的源极区域；在半导体衬底上形成与源极区域连接的金属插塞。本发明专利技术所形成的LDMOS晶体管安全工作范围较大，相同面积下导通电阻小、内耗小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及LDMOS晶体管及其形成方法。
技术介绍
横向双扩散金属氧化物半导体(lateral double diffusion MOS, LDMOS)晶体管，由于具备高击穿电压，与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的特性，被广泛应用于功率器件中。传统MOS晶体管的源极区域和漏极区域相对于栅极对称；而LDMOS晶体管中的漏极区域比源极更远离栅极，在漏极区域与栅极之间有一个较长的轻掺杂区域，被称为漂移区。LDMOS晶体管在源漏接高压时，通过漂移区来承受较高的电压降，获得高击穿电压的目的。参考图1，为现有工艺中N型LDMOS晶体管的示意图，包括:半导体衬底101 ;位于半导体衬底101内的P型阱区103 ；位于P型阱区103内的P型重掺杂区105 ；位于P型阱区103内的N型漂移区107，所述N型漂移区107与所述P型重掺杂区105相邻；位于P型重掺杂区105内的N型源极区域111 ;位于N型漂移区107内的N型漏极区域113 ；位于N型漂移区107内的浅沟槽隔离结构115，所述浅沟槽隔离结构115位于N型源极区域111和N型漏极区域113之间且与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底内形成第一导电类型的阱区；在所述阱区内形成第一导电类型的重掺杂区，并在所述重掺杂区两侧的阱区内形成第二导电类型的漂移区；在所述漂移区内形成第二导电类型的漏极区域；在所述重掺杂区内形成第一导电类型的隔离件，并在所述隔离件两侧的重掺杂区内形成第二导电类型的源极区域；在半导体衬底上形成与源极区域连接的金属插塞。

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括: 提供半导体衬底，并在所述半导体衬底内形成第一导电类型的阱区； 在所述阱区内形成第一导电类型的重掺杂区，并在所述重掺杂区两侧的阱区内形成第二导电类型的漂移区； 在所述漂移区内形成第二导电类型的漏极区域； 在所述重掺杂区内形成第一导电类型的隔离件，并在所述隔离件两侧的重掺杂区内形成第二导电类型的源极区域； 在半导体衬底上形成与源极区域连接的金属插塞。2.如权利要求1所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，在半导体衬底上形成与源极区域连接的金属插塞包括:在半导体衬底上形成连接隔离件两侧源极区域的金属插塞。3.如权利要求2所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，在所述漂移区内形成第二导电类型的漏极区域之前，还包括:在所述漂移区内形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述漏极区域靠近重掺杂区一侧的漂移区内。4.如权利要求3所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，在形成浅沟槽隔离结构之后，还包括:在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖部分重掺杂区和部分浅沟槽隔离结构。5.如权利要求4所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括:位于半导体衬底上的栅 介质层、位于所述栅介质层上栅极以及位于栅介质层和栅极两侧半导体衬底上表面的侧墙；在半导体衬底上形成连接隔离件两侧源极区域的金属插塞之前，还包括:形成覆盖所述半导体衬底上表面以及栅极顶部的功能层。6.如权利要求5所述的LDMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述功能层的材料为硅化钴、硅化钛或者硅化镍。7.如权利要求1所述的LDMOS晶体管的形成方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘正超，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：