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一种LDMOS晶体管及其形成方法，所述LDMOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底内形成第一导电类型的阱区；在所述阱区内形成第一导电类型的重掺杂区，并在所述重掺杂区两侧的阱区内形成第二导电类型的漂移区；在所述漂移区内形...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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