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本发明公开了一种深沟槽顶部倾斜角形成的工艺方法，包括步骤：1）在单晶硅衬底上，依次淀积，形成第一氧化膜-氮化膜-第二氧化膜结构的硬掩膜，或者只淀积第三氧化膜作为硬掩膜；2）干法刻蚀硬掩膜，形成深沟槽图形；3）在单晶硅衬底上，干法刻蚀形成深沟...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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