温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种具有内置二极管的IGBT器件背面工艺，其包括如下步骤：a、得到正面元胞结构；b、对晶圆背面进行减薄；c、在离子注入后的晶圆背面上涂覆光刻胶层；d、提供光刻机；e、确定notch区坐标；f、根据上述notch区坐标、金属层套刻对...
该专利属于江苏中科君芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏中科君芯科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。